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测试结果也表明该模型可以很好的模拟栅电荷测试过程。.西南交通大学硕士研究生学位论文第2章功率MOSFET相关基础2．1功率MOSFET的基本结构从功率MOSFET的发展历史来看大致可以将其分为平面型（planar）和沟槽型（trench）两种结构。.\邕：：二二：卢广fchanne...
西安电子科技大学硕士学位论文4H-SiC功率MOSFET特性研究与器件模拟姓名：侯峰波申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张玉明20100101摘要摘要碳化硅（SiC）由于其带隙宽、热导率高、电子的饱和速度大、临界...
功率MOSFET：从原理、特性到应用分析-陈桥梁.pdf,电子工程师的掌上学习平台功率MOSFET：从原理、特性到应用分析陈桥梁龙腾半导体有限公司1电子工程师的掌上学习平台主要内容•功率MOSFET的原理•功率MOSFET的参数和特性•功率...
本论文研究的超结功率MOSFET器件包括超结VDMOS和超结LDMOS。VDMOS（VerticalDouble．diffusedMOSFET，垂直双扩散MOSFET）作为分立器件由于其性能优良、工艺简单而被广泛应用。LDMOS（LateralDouble...
功率MOSFET击穿特性研究.刘驰.【摘要】：击穿电压是功率半导体器件的重要参数之一。.功率半导体器件在不同的应用场合下,需要不同规格的击穿电压。.从100V左右的显示器驱动,几千伏的电气机车,到上万伏特的高压直流传输应用中,都可以发现功率半导体的...
专业学位硕士学位论文600V功率VD．MOSFET器件DeviceSimulation600VPowerVD．MOSFET作者姓名：专业（工程领域）：篡盛电路王猩学号：指导教师：完成日期：大连理工大学DalianUniversityTechnology0llIllIIIIIIIIIIIIIIIIIY2416330大连理工大学学位论文独创性声明作者郑重声明：所呈交的学位论文，是...
下载论文网问题1：功率MOSFET的Qgs、Qgd、Ciss、Crss、Coss、tr和tf的关系？如图1所示，在一定的测试条件下，Qgs与Ciss相关，Qgd与Crss相关，Qg与Crss、Ciss都相关，驱动的电压决定其最终的电荷值。Qgs和Qgd都是基于相关电容的计算值的。
功率MOSFET很好的学位论文。频道豆丁首页社区企业工具创业微案例会议热门频道工作总结作文股票医疗文档分类论文生活休闲外语心理学全部建筑频道建筑文本施组...
碳化硅功率MOSFET器件短路特性研究.曹蕾.【摘要】：半导体器件是电力电子行业发展的基础。.作为第三代半导体器件的重要代表,碳化硅(SiC)基功率器件凭借其高击穿场强、高饱和电子迁移率、高热导率等优异的材料优势,被越来越广泛地应用于高压、高温...
功率MOSFET雪崩击穿的微观分析双极性器件在发生二次击穿时，集电极电压会在故障瞬间很短时间内（可能小于1ns）衰减几百伏。.这种电压锐减主要是由雪崩式注入引起的，主要原因在于：二次击穿时，器件内部电场很大，电流密度也比较大，两种因素同时存在...
测试结果也表明该模型可以很好的模拟栅电荷测试过程。.西南交通大学硕士研究生学位论文第2章功率MOSFET相关基础2．1功率MOSFET的基本结构从功率MOSFET的发展历史来看大致可以将其分为平面型（planar）和沟槽型（trench）两种结构。.\邕：：二二：卢广fchanne...
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