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纳米MOSFET散粒噪声及输运机制研究.王婷岚.【摘要】：实验测量和理论模拟结果都表明,当器件沟道长度减小到某一长度后,载流子输运机制将从漂移扩散向准弹道甚至弹道输运过渡,而器件中的过剩噪声主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主。.本文...
米级MOSFET器件数值模拟的量子模型，以及在该模型下用到的几种载流子输运模型，并结合模拟结果对...关键词：器件模拟；量子传输；纳米级金属氧化物半导体场效应管；弹道传输中图分类号：2570H文献标识码：A文章编号：1000—3819(2005)02—16O...
本文基于弹道理论,考虑上述量子效应,建立一个仅有11个可调参数、适用于亚100nmMOS2FET的集约I2V模型.通过与TSMC提供的实际测试特性比较,表明该模型具有良好的精度.进一步与三个亚100nmMOSFET器件组的数值模拟结果比较,可知该模型具有良好的可延伸性...
图2.4是本篇论文研究的基础模型，“弹道效应”模型图。温度对半导体纳米结构中弹道效应的影响10图2.4“弹道效应”模型图这是一个两端的器件，为了能够用最简单的模型来研究弹道效应而设计这…
InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟.李金培杜刚刘力锋刘晓彦†.北京大学微电子学研究院,北京100871;†通信作者,E-mail:xyliu@ime.pku.edu.摘要采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法,考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中...
叠栅MOSFET的结构设计与特性研究.【摘要】：众所周知,计算机和通讯机是实现社会现代化信息化的关键,但是其主要的核心基础都是微电子产品。.目前,MOS集成电路是微电子产业的核心,自20世纪60年代以来,集成电路的发展遵循着1965年Intel公司的创始人之一GordonE...
第十一章MOSFET概念深入.ppt,第11章MOSFET概念的深入11．1非理想效应11．2MOSFET按比例缩小理论11．3阈值电压的修正11．4附加电学特性11．5辐射和热电子效应11.1非理想效应亚阈值电流:定义非弹道输运MOSFET沟道长度L>0...
逃逸深度：没听过电势降：压降弹道输运：纳米MOS器件里的概念，属于半导体器件物理范畴，表示载流子（电子和空穴）在输运时（从源到漏），没有被散射，又称幸运输运
Abstract随着硅基金属.氧化物一半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道长度减小至30纳米[1]以下,沟道长度已经逐渐和载流子平均自由程相比拟,载流子在沟道中仅遭遇少数的散射事件,传统的用于描述长沟器件的漂移.扩散模型[2-3]无法准确的刻画这一物理输运机制[4],为了能更好的认识亚30纳米MOS器件的输运特性...
300K到4.2K下亚微米硅MOSFET的特性.【摘要】：我们在300K到4.2K温度范围内测量了亚微米硅MOSFET的特性,并画出了迁移率随温度的变化及载流子速度随纵向电场的变化(以温度为参数)曲线。.发现500μm的器件在4.2K下的有效迁移率高达25000cm~2/Vs。.而0.2μm的器件,由于高...
纳米MOSFET散粒噪声及输运机制研究.王婷岚.【摘要】：实验测量和理论模拟结果都表明,当器件沟道长度减小到某一长度后,载流子输运机制将从漂移扩散向准弹道甚至弹道输运过渡,而器件中的过剩噪声主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主。.本文...
米级MOSFET器件数值模拟的量子模型，以及在该模型下用到的几种载流子输运模型，并结合模拟结果对...关键词：器件模拟；量子传输；纳米级金属氧化物半导体场效应管；弹道传输中图分类号：2570H文献标识码：A文章编号：1000—3819(2005)02—16O...
本文基于弹道理论,考虑上述量子效应,建立一个仅有11个可调参数、适用于亚100nmMOS2FET的集约I2V模型.通过与TSMC提供的实际测试特性比较,表明该模型具有良好的精度.进一步与三个亚100nmMOSFET器件组的数值模拟结果比较,可知该模型具有良好的可延伸性...
图2.4是本篇论文研究的基础模型，“弹道效应”模型图。温度对半导体纳米结构中弹道效应的影响10图2.4“弹道效应”模型图这是一个两端的器件，为了能够用最简单的模型来研究弹道效应而设计这…
InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟.李金培杜刚刘力锋刘晓彦†.北京大学微电子学研究院,北京100871;†通信作者,E-mail:xyliu@ime.pku.edu.摘要采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法,考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中...
叠栅MOSFET的结构设计与特性研究.【摘要】：众所周知,计算机和通讯机是实现社会现代化信息化的关键,但是其主要的核心基础都是微电子产品。.目前,MOS集成电路是微电子产业的核心,自20世纪60年代以来,集成电路的发展遵循着1965年Intel公司的创始人之一GordonE...
第十一章MOSFET概念深入.ppt,第11章MOSFET概念的深入11．1非理想效应11．2MOSFET按比例缩小理论11．3阈值电压的修正11．4附加电学特性11．5辐射和热电子效应11.1非理想效应亚阈值电流:定义非弹道输运MOSFET沟道长度L>0...
逃逸深度：没听过电势降：压降弹道输运：纳米MOS器件里的概念，属于半导体器件物理范畴，表示载流子（电子和空穴）在输运时（从源到漏），没有被散射，又称幸运输运
Abstract随着硅基金属.氧化物一半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道长度减小至30纳米[1]以下,沟道长度已经逐渐和载流子平均自由程相比拟,载流子在沟道中仅遭遇少数的散射事件,传统的用于描述长沟器件的漂移.扩散模型[2-3]无法准确的刻画这一物理输运机制[4],为了能更好的认识亚30纳米MOS器件的输运特性...
300K到4.2K下亚微米硅MOSFET的特性.【摘要】：我们在300K到4.2K温度范围内测量了亚微米硅MOSFET的特性,并画出了迁移率随温度的变化及载流子速度随纵向电场的变化(以温度为参数)曲线。.发现500μm的器件在4.2K下的有效迁移率高达25000cm~2/Vs。.而0.2μm的器件,由于高...
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