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2018-9-5第6章MOSFET的电气特性5§6.1MOS物理学QB=−2qεSiNaφsMOS结构中的体(耗尽)电荷；：衬底掺杂浓度：体电荷密度，单位：SiaBNQ0211.8C/cmε=ε2018-9-5第6章MOSFET的电气特性6§6.1MOS物理学MOS的结构中的电子电荷...
功率—MOSFET开关特性与参数的测试电路及方法-介绍了测试功率场效应晶体管(简称功率-MOSFET)开关特性、极间电容、栅极电荷特性与参数的电路及测试方法,经实测证明是正确的。
文献出处电气自动化2015年03期关键词碳化硅论文双脉冲测试论文开关特性论文通态特性论文论文摘要由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。
基于MOSFET开关特性的电气防火限流式保护器的设计.《）1年42电自化22第3卷第期0自动控制系统与装置Auotnrlytms＆EqimettmaiCotsecoSupnS基于MOSEFT开关特性的电气防火限流式保护器的设计杨翰，胡君健（上海诚佳...
【摘要】：对比碳化硅(SiC)与硅(Si)的材料特性差异,分析基于不同材料金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电气特性,得到其开关轨迹。提出一种有关驱动电阻对于开关过程影响的分析模型。论述研究了将SiCMOSFET应用于功率变换器、桥式功率...
碳化硅MOSFET导通电阻阈值电压迁移率界面态【摘要】：相比于传统硅(Si)材料,碳化硅(SiC)因其更宽的禁带宽度(3.26eV)、更高的热导率和更高的临界击穿场强,在大功率开关电路和电力系统应用领域得到了广泛的关注。SiC功率器件最突出的性能...
论文分析了SOIMOSFET器件的结构及不同前、背栅压的条件下薄膜双栅SOIMOSFET的器件特性；论文提出了一种新的解析电流模型。该模型根据正、背面栅氧化层具有不同的参数，得到一个通用的薄膜双栅SOIMOSFET阈值电压附近的电流模型。
中国电源学会第二十届学术年会论文集基于SiCMOSFET的驱动及缓冲电路设计与实验研究（北京交通大学电气工程学院，北京100044；CREE香港有限公司）Email：11121634@bjtu.eduhli@bjtu.edu新一代宽禁带Si半导体开关器件以其在...
mosfet的输入输出特性曲线,晶体管输出特性曲线,三极管输出特性曲线,伏安特性曲线,水轮机综合特性曲线,发动机特性曲线,电机特性曲线,泵特性曲线,二极管特性曲线,万有特性曲线
博士论文开题报告—《碳化硅MOSFET芯片并联电气特性及其调控方法研究》摘要第1-7页Abstract第7-15页第1章绪论第15-33页1.1选题背景与研究意义第15-18页
2018-9-5第6章MOSFET的电气特性5§6.1MOS物理学QB=−2qεSiNaφsMOS结构中的体(耗尽)电荷；：衬底掺杂浓度：体电荷密度，单位：SiaBNQ0211.8C/cmε=ε2018-9-5第6章MOSFET的电气特性6§6.1MOS物理学MOS的结构中的电子电荷...
功率—MOSFET开关特性与参数的测试电路及方法-介绍了测试功率场效应晶体管(简称功率-MOSFET)开关特性、极间电容、栅极电荷特性与参数的电路及测试方法,经实测证明是正确的。
文献出处电气自动化2015年03期关键词碳化硅论文双脉冲测试论文开关特性论文通态特性论文论文摘要由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。
基于MOSFET开关特性的电气防火限流式保护器的设计.《）1年42电自化22第3卷第期0自动控制系统与装置Auotnrlytms＆EqimettmaiCotsecoSupnS基于MOSEFT开关特性的电气防火限流式保护器的设计杨翰，胡君健（上海诚佳...
【摘要】：对比碳化硅(SiC)与硅(Si)的材料特性差异,分析基于不同材料金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电气特性,得到其开关轨迹。提出一种有关驱动电阻对于开关过程影响的分析模型。论述研究了将SiCMOSFET应用于功率变换器、桥式功率...
碳化硅MOSFET导通电阻阈值电压迁移率界面态【摘要】：相比于传统硅(Si)材料,碳化硅(SiC)因其更宽的禁带宽度(3.26eV)、更高的热导率和更高的临界击穿场强,在大功率开关电路和电力系统应用领域得到了广泛的关注。SiC功率器件最突出的性能...
论文分析了SOIMOSFET器件的结构及不同前、背栅压的条件下薄膜双栅SOIMOSFET的器件特性；论文提出了一种新的解析电流模型。该模型根据正、背面栅氧化层具有不同的参数，得到一个通用的薄膜双栅SOIMOSFET阈值电压附近的电流模型。
中国电源学会第二十届学术年会论文集基于SiCMOSFET的驱动及缓冲电路设计与实验研究（北京交通大学电气工程学院，北京100044；CREE香港有限公司）Email：11121634@bjtu.eduhli@bjtu.edu新一代宽禁带Si半导体开关器件以其在...
mosfet的输入输出特性曲线,晶体管输出特性曲线,三极管输出特性曲线,伏安特性曲线,水轮机综合特性曲线,发动机特性曲线,电机特性曲线,泵特性曲线,二极管特性曲线,万有特性曲线
博士论文开题报告—《碳化硅MOSFET芯片并联电气特性及其调控方法研究》摘要第1-7页Abstract第7-15页第1章绪论第15-33页1.1选题背景与研究意义第15-18页
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