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硕士学位论文基于SiCMOSFET的高功率密度FSBB变换器研究RESEARCHHIGHPOWERDENSITYFSBBCONVERTERBASEDSICMOSFET哈尔滨工业大学2018国内图书分类号：TM921.1学校代码：10213国际图书分类号：621.3密级：公开...
本文将介绍一款半桥式开关电源,所用开关器件为功率MOSFET开关工作频率为45kHz,具有体积小、重量轻、成本低等特点1.1开关电源技术的发展概况最早的开关电源出现在60年代，出现的是串联型开关电源，功率晶体管用于开关状态，后来脉宽调制(PWM)控制技术...
电力电子技术器件的现状及发展趋势【摘要】电力电子技术在节约能源与绿色电源技术方面扮演着重要角色。.它已经发展为电气工程学科最为重要、最为活跃的一个分支。.近年来，电力电子器件在性能方面获得了很大的提高，未来发展的主流是提高电流和...
电力电子器件发展概况及应用现状发布时间：2008-07-06作者：蒋超摘要：本文简单回顾了电力电子技术及其器件的发展过程，介绍了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点，探讨了在21世纪中新型电力电子器件的应用展望。
近来因东南亚疫情持续升温，已有国际IDM厂调整自有晶圆厂产能，减产消费电子用低压MOSFET优先支持车用出货。有业者预计，这一变化将掀起新一轮涨价。MOSFET供应现状如何？我们在这篇文章中做了分析，并在文末列出了国内外主…
建议电力电子技术的支持和发展应本着以电力电子器件为核心，以设备和系统及其应用为推动力的思路，对电力电子器件的研发和产业化，根据拟制定的我国电力电子技术及产业2015～2025年中长期发展规划，进行重点投入，大力支持，攻克电力电子器件的关键
现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。.电力电子模块化是其向高功率密度发展的重要一步。.当前电力电子器件的主要发展成果如下：.IGBT：绝缘栅双极晶体管.IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种N沟道增强型场控(电压)复合器件。.它...
而MOSFET只依赖电子进行导电，关断时电子可以迅速被抽走，没有拖尾电流，因而关断损耗更小，且基本不随温度变化。.图1：IGBT与MOSFET剖面结构图.下面我们通过实际测试数据来直观感受一下SiC的优势。.1）开关损耗.图2是1200V…
本论文基于上述的背景，以目前最主要的碳化硅电力电子器件（SiC—MOSFET、SiC—JFET、SiC—BJT）为研究对象，从器件角度对以上电力电子器件的性能进行了全面系统的测试，并对其应用特性进行系统的对比研究。.1．碳化硅MOSFET器件在硅器件中，MOSFET是应用...
随着电力电子技术的发展，电力电子器件已逐渐发展成为一个重要的分支目前，电力电子器件的功率已扩大到工业可应用的大功率级，工作频带从50Hz100kHz以上。应用范围也延伸到如汽车、电冰箱、电视机、洗衣机和电子镇流器等日常生活用品。
硕士学位论文基于SiCMOSFET的高功率密度FSBB变换器研究RESEARCHHIGHPOWERDENSITYFSBBCONVERTERBASEDSICMOSFET哈尔滨工业大学2018国内图书分类号：TM921.1学校代码：10213国际图书分类号：621.3密级：公开...
本文将介绍一款半桥式开关电源,所用开关器件为功率MOSFET开关工作频率为45kHz,具有体积小、重量轻、成本低等特点1.1开关电源技术的发展概况最早的开关电源出现在60年代，出现的是串联型开关电源，功率晶体管用于开关状态，后来脉宽调制(PWM)控制技术...
电力电子技术器件的现状及发展趋势【摘要】电力电子技术在节约能源与绿色电源技术方面扮演着重要角色。.它已经发展为电气工程学科最为重要、最为活跃的一个分支。.近年来，电力电子器件在性能方面获得了很大的提高，未来发展的主流是提高电流和...
电力电子器件发展概况及应用现状发布时间：2008-07-06作者：蒋超摘要：本文简单回顾了电力电子技术及其器件的发展过程，介绍了现在主流的电力电子器件的工作原理、应用范围及其优缺点，探讨了在21世纪中新型电力电子器件的应用展望。
近来因东南亚疫情持续升温，已有国际IDM厂调整自有晶圆厂产能，减产消费电子用低压MOSFET优先支持车用出货。有业者预计，这一变化将掀起新一轮涨价。MOSFET供应现状如何？我们在这篇文章中做了分析，并在文末列出了国内外主…
建议电力电子技术的支持和发展应本着以电力电子器件为核心，以设备和系统及其应用为推动力的思路，对电力电子器件的研发和产业化，根据拟制定的我国电力电子技术及产业2015～2025年中长期发展规划，进行重点投入，大力支持，攻克电力电子器件的关键
现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。.电力电子模块化是其向高功率密度发展的重要一步。.当前电力电子器件的主要发展成果如下：.IGBT：绝缘栅双极晶体管.IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种N沟道增强型场控(电压)复合器件。.它...
而MOSFET只依赖电子进行导电，关断时电子可以迅速被抽走，没有拖尾电流，因而关断损耗更小，且基本不随温度变化。.图1：IGBT与MOSFET剖面结构图.下面我们通过实际测试数据来直观感受一下SiC的优势。.1）开关损耗.图2是1200V…
本论文基于上述的背景，以目前最主要的碳化硅电力电子器件（SiC—MOSFET、SiC—JFET、SiC—BJT）为研究对象，从器件角度对以上电力电子器件的性能进行了全面系统的测试，并对其应用特性进行系统的对比研究。.1．碳化硅MOSFET器件在硅器件中，MOSFET是应用...
随着电力电子技术的发展，电力电子器件已逐渐发展成为一个重要的分支目前，电力电子器件的功率已扩大到工业可应用的大功率级，工作频带从50Hz100kHz以上。应用范围也延伸到如汽车、电冰箱、电视机、洗衣机和电子镇流器等日常生活用品。
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