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MOSFET驱动器设计管理论文.doc,编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第PAGE1页共NUMPAGES1页第第PAGE1页共NUMPAGES1页MOSFET驱动器设计管理论文摘要：介绍了一种专为IGBT和功率...
碳化硅MOSFET驱动技术研究.周琦.【摘要】：当前,随着电力系统的智能化发展和能源互联网的构建,电力电子设备的应用越来越引起人们的重视。.功率开关器件作为功率变换器中的重要组件,其成熟程度也决定了电力电子设备的发展程度。.目前常用的MOSFET、IGBT...
串联SiCMOSFET驱动研究.【摘要】：过去的数十年中,硅基功率器件一直在电力电子领域发挥着至关重要的作用。.但目前受限于其物理特性,硅基技术已经难以满足日渐增长的功率器件在功率密度和工作频率等方面的性能需求。.第三代半导体器件材料SiC由于其卓越...
内蒙古科技大学硕士学位论文54无刷电机MOSFET驱动电路设计无刷直流电机的驱动电路采用三相全桥逆变电路使用6个N沟道的MOSFET管控制电机以三相六状态方式工作。三相全桥逆变电路的上桥臂的MOSFET管的控制信号是PWM方波信号下桥臂...
中国电源学会第二十届学术年会论文集基于SiCMOSFET的驱动及缓冲电路设计与实验研究（北京交通大学电气工程学院，北京100044；CREE香港有限公司）Email：11121634@bjtu.eduhli@bjtu.edu新一代宽禁带Si半导体开关器件以其在高压、高频、高温等方面的显著优势而...
一种使用的MOSFET管电机驱动电路.一种实用的功率MOS管电机驱动电路军事交通学院研究生三队，天津300161；2.军事交通学院军事物流系，天津300161）摘要：在分析了MOS管导通原理的基础上，结合功率放大电路的原理，提出了一种电机MOS管的驱动电路，该...
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究更新时间：2021-10-2008:51:02大小：13M上传用户：xzxbybd查看TA发布的资源浏览次数：1下载积分：3分评价赚积分（如何评价?）
上海交通大学硕士学位论文高压功率MOS栅驱动电路的研究和实现姓名：虞海燕申请学位级别：硕士专业：电路与系统指导教师：林争辉20040101本文在分析了国内外高压集成电路发展现状的基础上研制了一种用于功率MOSFETIGBT栅极驱动的600V高压功率集成数模混合电路PIC（PowerIntegratedCircuit）并...
本文以功率MOSFET安全可靠工作为目的，对功率MOSFET失效机理进行了分析，得出了解决方法，在此基础上设计了MOSFET并联使用的驱动电路。.主要研究内容如下：阐述了功率MOSFET的结构和基本原理，并在此基础上分析了功率MOSFET的工作特性：静态特性、开关特性...
SiCMOSFET驱动保护电路研究.【摘要】：作为新一代宽禁带半导体器件,碳化硅(SiC)MOSFET由于其在中高压大功率应用领域的优良特性而受到了大量的关注。.在充电桩逆变器等电力设备中使用SiCMOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiCMOSFET的驱动...
MOSFET驱动器设计管理论文.doc,编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第PAGE1页共NUMPAGES1页第第PAGE1页共NUMPAGES1页MOSFET驱动器设计管理论文摘要：介绍了一种专为IGBT和功率...
碳化硅MOSFET驱动技术研究.周琦.【摘要】：当前,随着电力系统的智能化发展和能源互联网的构建,电力电子设备的应用越来越引起人们的重视。.功率开关器件作为功率变换器中的重要组件,其成熟程度也决定了电力电子设备的发展程度。.目前常用的MOSFET、IGBT...
串联SiCMOSFET驱动研究.【摘要】：过去的数十年中,硅基功率器件一直在电力电子领域发挥着至关重要的作用。.但目前受限于其物理特性,硅基技术已经难以满足日渐增长的功率器件在功率密度和工作频率等方面的性能需求。.第三代半导体器件材料SiC由于其卓越...
内蒙古科技大学硕士学位论文54无刷电机MOSFET驱动电路设计无刷直流电机的驱动电路采用三相全桥逆变电路使用6个N沟道的MOSFET管控制电机以三相六状态方式工作。三相全桥逆变电路的上桥臂的MOSFET管的控制信号是PWM方波信号下桥臂...
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高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究更新时间：2021-10-2008:51:02大小：13M上传用户：xzxbybd查看TA发布的资源浏览次数：1下载积分：3分评价赚积分（如何评价?）
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本文以功率MOSFET安全可靠工作为目的，对功率MOSFET失效机理进行了分析，得出了解决方法，在此基础上设计了MOSFET并联使用的驱动电路。.主要研究内容如下：阐述了功率MOSFET的结构和基本原理，并在此基础上分析了功率MOSFET的工作特性：静态特性、开关特性...
SiCMOSFET驱动保护电路研究.【摘要】：作为新一代宽禁带半导体器件,碳化硅(SiC)MOSFET由于其在中高压大功率应用领域的优良特性而受到了大量的关注。.在充电桩逆变器等电力设备中使用SiCMOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiCMOSFET的驱动...
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