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【毕业论文】MOSFET器件及其开关电源设计论文.doc,lMOSFET器件及其开关电源设计与制作摘要：MOSFTE器件从发明以来因其控制电路简单、开关频率快等各方面优点，受到电子设计者的青睐，在通信、控制、电源等领域得到广泛应用。本文针对...
MOSFET的击穿特性的研究论文.doc,燕山大学课程设计说明书题目：MOSFET的击穿特性的研究学院（系）理学院年级专业：08电子信息科学与技术学号：080108040003学生姓名：陈滔指导教师：郭得峰教师职称：讲师燕山大学课程...
基于半解析法MOSFET寄生电容的研究.作者：师大云端图书馆时间：2021-10-30分类：硕士论文喜欢：424.【摘要】MOSFET非本征部分产生寄生电容会影响器件的性能,如何降低寄生电容的大小,一直是国内外学者的研究热点。.集成电路的集成度一直遵循摩尔定律,器件...
功率MOSFET很好的学位论文。上海大学硕士学位论文低压功率沟槽MOSFET的设计与研究姓名：沈伟星申请学位级别：硕士专业：电气工程指导教师：冉峰;程东方20060901上海大学工程硕士学位论文低压功率沟槽MOSFET以其输入阻抗高...
本论文研究的超结功率MOSFET器件包括超结VDMOS和超结LDMOS。VDMOS（VerticalDouble．diffusedMOSFET，垂直双扩散MOSFET）作为分立器件由于其性能优良、工艺简单而被广泛应用。LDMOS（LateralDouble...
论文生活休闲外语心理学全部建筑频道建筑文本施组方案交底用户中心充值...02-0099-04中图分类号：TM23文献标志码：A碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究单片集成电路和模块国家级重点实验室，江苏省南京市210016；2.国网智能电网研究...
测试结果也表明该模型可以很好的模拟栅电荷测试过程。.西南交通大学硕士研究生学位论文第2章功率MOSFET相关基础2．1功率MOSFET的基本结构从功率MOSFET的发展历史来看大致可以将其分为平面型（planar）和沟槽型（trench）两种结构。.\邕：：二二：卢广fchanne...
SGTMOSFET雪崩耐量论文总结-2016/6/2论文名称：①DesignofAvalancheCapabilityofPowerMOSFETsbyDeviceSi...首页文档视频音频文集文档
原文介绍10篇介绍GANs以及最新进展的论文，跟原文介绍顺序有所不同，我是根据时间顺序，从最开始提出的GANs论文到目前最新的来介绍，这十篇分别如下所示：.GenerativeAdversarialNetworks，2014.ConditionalGANs，2014.DCGAN，2015.…
因此,针对SiCMOSFET的行业发展和理论研究方面的这些问题,本论文对SiCMOSFET进行了研究和探讨,主要包括以下内容:通过对Cree公司三代SiCMOSFET器件在-160℃C至200℃C温度下进行测试,提取出了每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数。.分析比较了三代...
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因此,针对SiCMOSFET的行业发展和理论研究方面的这些问题,本论文对SiCMOSFET进行了研究和探讨,主要包括以下内容:通过对Cree公司三代SiCMOSFET器件在-160℃C至200℃C温度下进行测试,提取出了每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数。.分析比较了三代...
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