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SiC单晶的生长工艺优化及V掺杂单晶的.蒋秉轩.【摘要】：碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,具有高禁带宽度,高击穿电场强度、高电子饱和漂移速度、高热导率等特性。.这些特性使SiC半导体材料可用于制作高温、高频、抗辐射和大功率的电子器件,同时在...
【摘要】：单晶SiC作为第三代宽禁带半导体材料,具有宽带隙、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,被广泛用作高频大功率电力电子器件和光电子器件的衬底基片。作为薄膜材料生长的载体,其表面质量直接影响薄膜质量,决定电子元器件性能。
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
3.2.1在SiC单晶材料方面我国SiC单晶生长研究起步较晚，但在材料方面已取得较大突破。国内SiC单晶的研究始发于2000年，主要研究单位有中科院物理研究所、山东大学、中科院上海硅酸盐研究所、中电集团46所等。
另一方面，SiC存在200多种晶体结构类型，其中六方结构的4H型(4H-SiC)等少数几种晶体结构的单晶型SiC才是所需的半导体材料，在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率以及气流气压等参数，否则容易产生多晶型夹杂，导致产出
本文回顾了半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史，简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质，对物理气相传输法(PVT)SiC单晶做了描述，详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷，同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。
碳化硅单晶的缺陷研究.pdf,摘要摘要本论文对物理气相传输法P(VT)法的碳化硅s(ci)单晶的主要缺陷进行了系统研究，旨在认识siC单晶中各种缺陷的形成、发展、分布规律以及它们之间的相互作用等降低siC单晶质量的关键问题。同时，通过对siC单品进行退火处理，开辟了一种能够有效降低siC单晶...
西安理工大学硕士学位论文SiC单晶抛光片的与表征姓名：陈勇臻申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：陈治明;杨莺20080301摘要论文题目：SiC单晶抛光片的与表征学科专业：微电子学与固体电子学研究生：陈勇臻由于SiC单晶材料的硬度及脆性大，且化学稳定性…
本文关键词：功率器件碳化硅衬底材料出处：《电力电子技术》2017年08期论文类型：期刊论文【摘要】：碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体...
中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
SiC单晶的生长工艺优化及V掺杂单晶的.蒋秉轩.【摘要】：碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,具有高禁带宽度,高击穿电场强度、高电子饱和漂移速度、高热导率等特性。.这些特性使SiC半导体材料可用于制作高温、高频、抗辐射和大功率的电子器件,同时在...
【摘要】：单晶SiC作为第三代宽禁带半导体材料,具有宽带隙、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,被广泛用作高频大功率电力电子器件和光电子器件的衬底基片。作为薄膜材料生长的载体,其表面质量直接影响薄膜质量,决定电子元器件性能。
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
3.2.1在SiC单晶材料方面我国SiC单晶生长研究起步较晚，但在材料方面已取得较大突破。国内SiC单晶的研究始发于2000年，主要研究单位有中科院物理研究所、山东大学、中科院上海硅酸盐研究所、中电集团46所等。
另一方面，SiC存在200多种晶体结构类型，其中六方结构的4H型(4H-SiC)等少数几种晶体结构的单晶型SiC才是所需的半导体材料，在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率以及气流气压等参数，否则容易产生多晶型夹杂，导致产出
本文回顾了半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史，简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质，对物理气相传输法(PVT)SiC单晶做了描述，详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷，同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。
碳化硅单晶的缺陷研究.pdf,摘要摘要本论文对物理气相传输法P(VT)法的碳化硅s(ci)单晶的主要缺陷进行了系统研究，旨在认识siC单晶中各种缺陷的形成、发展、分布规律以及它们之间的相互作用等降低siC单晶质量的关键问题。同时，通过对siC单品进行退火处理，开辟了一种能够有效降低siC单晶...
西安理工大学硕士学位论文SiC单晶抛光片的与表征姓名：陈勇臻申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：陈治明;杨莺20080301摘要论文题目：SiC单晶抛光片的与表征学科专业：微电子学与固体电子学研究生：陈勇臻由于SiC单晶材料的硬度及脆性大，且化学稳定性…
本文关键词：功率器件碳化硅衬底材料出处：《电力电子技术》2017年08期论文类型：期刊论文【摘要】：碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体...
中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
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