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一维纳米材料论文：一维碳化硅纳米材料的、表征及性能研究【中文摘要】碳化硅(SiC)半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热稳定性好、热导率和饱和电子漂移速度大等特点,使其在高温、高频、强辐射、大功率等条件下具有良好的性能。
本文关键词：碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用更多相关文章：半导体材料碳化硅半导体SiC功率器件【摘要】：以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(SiliconCarbide)为材料制作的功率半导体器件,因其所具备的优异性能与先进性,多年来备受瞩目,已逐步渗透到生活中。
前言半导体材料通过多年的发展，目前可以分为三代，即第一代半导体“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体，适用于数据的运算和存储；其中硅基半导体技术较为成熟，应用也较广；第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传输方面...
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。
SiC半导体材料抗辐照特性研究.杨德明.【摘要】：碳化硅半导体材料是自第一代半导体材料晶体硅和第二代半导体材料砷化镓之后快速崛起的,即第三代半导体材料。.其禁带宽度比硅和砷化镓更宽,具有更高的热导效率、更高的击穿电场以及高饱和电子速度,这些...
SiC半导体材料产业发展现状.【摘要】：本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和方法,重点对物理气相传输法(PVT)SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。.(如何获取全文？.
中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
半导体SiC材料及像素探测器研究.韩冲.【摘要】：近年来SiC材料被证实可应用于空间探测、核电站、核反应堆等高辐射、高温的极端环境,SiC辐射探测器在耐高温、抗辐照、不同能量粒子探测等方面也都进行了大量细致的工作。.研究表明SiC探测器在α粒子、γ...
第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
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前言半导体材料通过多年的发展，目前可以分为三代，即第一代半导体“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体，适用于数据的运算和存储；其中硅基半导体技术较为成熟，应用也较广；第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传输方面...
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。
SiC半导体材料抗辐照特性研究.杨德明.【摘要】：碳化硅半导体材料是自第一代半导体材料晶体硅和第二代半导体材料砷化镓之后快速崛起的,即第三代半导体材料。.其禁带宽度比硅和砷化镓更宽,具有更高的热导效率、更高的击穿电场以及高饱和电子速度,这些...
SiC半导体材料产业发展现状.【摘要】：本文介绍了SiC半导体材料的性能优势,应用前景和方法,重点对物理气相传输法(PVT)SiC单晶做了描述,分析了SiC单晶材料国内外产业发展现状及发展瓶颈,同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。.(如何获取全文？.
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半导体SiC材料及像素探测器研究.韩冲.【摘要】：近年来SiC材料被证实可应用于空间探测、核电站、核反应堆等高辐射、高温的极端环境,SiC辐射探测器在耐高温、抗辐照、不同能量粒子探测等方面也都进行了大量细致的工作。.研究表明SiC探测器在α粒子、γ...
第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
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