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中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
本文关键词：碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用更多相关文章：半导体材料碳化硅半导体SiC功率器件【摘要】：以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(SiliconCarbide)为材料制作的功率半导体器件,因其所具备的优异性能与先进性,多年来备受瞩目,已逐步渗透到生活中。
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
前言半导体材料通过多年的发展，目前可以分为三代，即第一代半导体“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体，适用于数据的运算和存储；其中硅基半导体技术较为成熟，应用也较广；第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传输方面...
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。
北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究姓名：张云申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：邵晓红20100528北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究摘要宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性，这使得它在高温，高频，大功率，以及…
半导体SiC材料及像素探测器研究.韩冲.【摘要】：近年来SiC材料被证实可应用于空间探测、核电站、核反应堆等高辐射、高温的极端环境,SiC辐射探测器在耐高温、抗辐照、不同能量粒子探测等方面也都进行了大量细致的工作。.研究表明SiC探测器在α粒子、γ...
SiC半导体材料抗辐照特性研究.杨德明.【摘要】：碳化硅半导体材料是自第一代半导体材料晶体硅和第二代半导体材料砷化镓之后快速崛起的,即第三代半导体材料。.其禁带宽度比硅和砷化镓更宽,具有更高的热导效率、更高的击穿电场以及高饱和电子速度,这些...
引人注目的SiC材料、器件和市场,MESFET,SIC,晶体管,肖特基二极管,SiC。半导体器件的基础是高性能的材料。1950年代的晶体管主要采用Ge,随后转用Si;1960年代集成电路在直径2英寸的Si...
摘要：以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子,光电子技术的迅猛发展.然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射,耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温,高频,高压以及抗辐射,能发射蓝光等...
中国科学技术大学博士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究姓名：苏剑峰申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：傅竹西20080501摘要作为第三代宽禁带半导体材料，SiC和ZnO由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。
本文关键词：碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用更多相关文章：半导体材料碳化硅半导体SiC功率器件【摘要】：以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(SiliconCarbide)为材料制作的功率半导体器件,因其所具备的优异性能与先进性,多年来备受瞩目,已逐步渗透到生活中。
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
前言半导体材料通过多年的发展，目前可以分为三代，即第一代半导体“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体，适用于数据的运算和存储；其中硅基半导体技术较为成熟，应用也较广；第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传输方面...
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。
北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究姓名：张云申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：邵晓红20100528北京化工大学硕士学位论文SiC材料P型掺杂的第一性原理研究摘要宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性，这使得它在高温，高频，大功率，以及…
半导体SiC材料及像素探测器研究.韩冲.【摘要】：近年来SiC材料被证实可应用于空间探测、核电站、核反应堆等高辐射、高温的极端环境,SiC辐射探测器在耐高温、抗辐照、不同能量粒子探测等方面也都进行了大量细致的工作。.研究表明SiC探测器在α粒子、γ...
SiC半导体材料抗辐照特性研究.杨德明.【摘要】：碳化硅半导体材料是自第一代半导体材料晶体硅和第二代半导体材料砷化镓之后快速崛起的,即第三代半导体材料。.其禁带宽度比硅和砷化镓更宽,具有更高的热导效率、更高的击穿电场以及高饱和电子速度,这些...
引人注目的SiC材料、器件和市场,MESFET,SIC,晶体管,肖特基二极管,SiC。半导体器件的基础是高性能的材料。1950年代的晶体管主要采用Ge,随后转用Si;1960年代集成电路在直径2英寸的Si...
摘要：以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子,光电子技术的迅猛发展.然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射,耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温,高频,高压以及抗辐射,能发射蓝光等...
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