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本期的智能内参，我们推荐台积电的论文《铜（111）面上单层晶圆级六方氮化硼单晶》，权威解读台积电最新研发的二维半导体绝缘材料。以下为论文全文翻译：超薄二维半导体层状材料为摩尔定律在集成电路继续发展提供了巨大的潜力。
1、大直径硅单晶及新型半导体材料行业概况CMRN市调中心综合国家统计局、国家信息中心、海关数据库、行业协会等权威部门发布的统计信息和统计数据，糅合各类年鉴信息数据、财经媒体信息数据、商用数据库信息数据，从行业发展现状，当前产业政策，行业所处生命周期，行业市场竞争程度...
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Si衬底上用反应蒸发法AlN单晶薄膜.本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜,X射线衍射分析表明,薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰,其生长晶面为（1120）,是AlN的解理面．在较高...
溶液法生长有机半导体单晶及相关研究,蒽,红荧烯,蒽醌,单晶,溶液法。有机场效应晶体管可以应用于有源驱动显示、大规模集成电路、传感器、有机激光等,具有广阔的应用前景。有机半导体的电荷传输理...
半导体技术论文高分子材料论文：半导体材料的发展现状摘要在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。
中国半导体十大研究进展候选推荐（2020-020）———大尺寸高指数晶面单晶铜箔库的成功已有893次阅读2020-8-609:55|系统分类:论文交流
该工作实现了单晶钙钛矿在半导体硅晶圆上的直接集成，并在此基础上研制出了超快的光电探测器。此项工作对构建基于钙钛矿的新一代高速集成光电子器件具有重大意义。有机-无机杂化钙钛矿作为一种新型的半导体光电材料，…
二维结构InSe无机半导体单晶超常塑性获揭示.上海交通大学与中科院上海硅酸盐研究所等单位合作，在无机塑性半导体领域取得重大突破。.研究发现，二维结构范德华半导体InSe在单晶块体形态下具有超常规的塑性和巨大的变形能力，既拥有传统无机非金属...
魏学成，男，博士，副研究员，硕士生导师。2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获材料物理与化学专业博士学位；同年留所工作至今。目前主要从事III族氮化物材料的生长与表征，包括AlN单晶材料生长、半导体材料与器件的光学性质和杂质分布、紫外LED模组可靠性和应用等相关…
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