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稀磁半导体材料CdMnTe单晶体的及其缺陷分析.HgCdTe、HgMnTe等外延薄膜技术的发展，对衬底的要求越来越高。.CdlvlnTe被认为是很有发展潜力的衬底材料。.采用合适的生长方法，优化工艺方案，生长出大面积、低缺陷密度、组分均匀的CdMnTe衬底具有重要的意义...
在InorgChem所发表BaTiF6Mn4+单晶体论文受“材料人”微信公众号推介.“材料人”微信公众号今日头条推介了课题组在InorgChem上所发表的BaTiF6Mn4+单晶荧光体的室温及其耐水解劣化性质论文。.链接如下：.转载本文请联系原作者获取授权，同时请注明本文来自...
中国重要会议论文全文数据库.前10条.1.金应荣;贺毅;朱世富;赵北君;朱兴华;栾道成;;用熔体法生长碘化铅(PbI_2)单晶体[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年.2.赵北君;;垂直气相提拉法生长硒化镉单晶体[A];加入WTO和中国科技与可持续发展...
硒化镉（CdSe）单晶体的生长及其性能研究-硒化镉(CdSe)晶体是一种主要的直接跃迁宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，有两种结构：一种是六方结构，6mm点群；另一种是立方结构，(?)3m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温...
在InorgChem所发表BaTiF6Mn4+单晶体论文受“发光材料小白”微信公众号推介已有842次阅读2021-8-1417:22|系统分类:论文交流“发光材料小白”微信公众号今日头条推介了课题组在InorgChem上所发表的BaTiF6Mn4+单晶荧光体的室温及其耐水解劣化性质论文。
无机光电功能晶体材料，多篇JACS、Angew论文！,半导体,钛矿,高灵敏,铁电,晶体网易首页应用网易新闻网易公开课网易红彩网易严选邮箱大师网易云课堂快速导航新闻国内国际图片评论军…
材料、化学领域常用的十五大绘图软件.ATOMS用来画制晶体结构的软件，将CIF文件转成三维晶体形式，是一个程序用于绘制所有类型的原子结构，包括晶体，聚合物和分子。.它可以制作完全“三维”彩图，使用最新的系统软件，或者在出版物上，它可以使简单的...
LEC法生长4英寸InP单晶的放肩技术研究,直径4英寸,InP单晶,平放肩,低位错,半绝缘。本文利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术。
我们设计了系列新型半导体材料，研究了其电荷输运过程，探索了新的应用。.进一步发展了高质量单分子层分子晶体光电材料，展示其优异的光电性能。.主讲人简介：江浪，中科院化学所研究员、博士生导师。.2004年于湖南大学应用物理系获得学士学位...
寻找一种潜在的新拓扑超导单晶材料是当前拓扑超导研究中的一个挑战性课题。中科院强磁场中心研究人员成功将碱土金属元素Sr插入到典型的拓扑绝缘体材料Bi2Se3中，获得了高质量的SrxBi2Se3单晶体，该材料表现出高达91.5%的超导体积比。
稀磁半导体材料CdMnTe单晶体的及其缺陷分析.HgCdTe、HgMnTe等外延薄膜技术的发展，对衬底的要求越来越高。.CdlvlnTe被认为是很有发展潜力的衬底材料。.采用合适的生长方法，优化工艺方案，生长出大面积、低缺陷密度、组分均匀的CdMnTe衬底具有重要的意义...
在InorgChem所发表BaTiF6Mn4+单晶体论文受“材料人”微信公众号推介.“材料人”微信公众号今日头条推介了课题组在InorgChem上所发表的BaTiF6Mn4+单晶荧光体的室温及其耐水解劣化性质论文。.链接如下：.转载本文请联系原作者获取授权，同时请注明本文来自...
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硒化镉（CdSe）单晶体的生长及其性能研究-硒化镉(CdSe)晶体是一种主要的直接跃迁宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，有两种结构：一种是六方结构，6mm点群；另一种是立方结构，(?)3m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温...
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LEC法生长4英寸InP单晶的放肩技术研究,直径4英寸,InP单晶,平放肩,低位错,半绝缘。本文利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术。
我们设计了系列新型半导体材料，研究了其电荷输运过程，探索了新的应用。.进一步发展了高质量单分子层分子晶体光电材料，展示其优异的光电性能。.主讲人简介：江浪，中科院化学所研究员、博士生导师。.2004年于湖南大学应用物理系获得学士学位...
寻找一种潜在的新拓扑超导单晶材料是当前拓扑超导研究中的一个挑战性课题。中科院强磁场中心研究人员成功将碱土金属元素Sr插入到典型的拓扑绝缘体材料Bi2Se3中，获得了高质量的SrxBi2Se3单晶体，该材料表现出高达91.5%的超导体积比。
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