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半导体纳米晶材料的及其在光电器件中的应用.刘泽柯.【摘要】：胶体半导体纳米晶(下文简写为纳米晶)是一种溶液中的新型无机功能材料,其表面覆盖有一层长链有机配体,使其在有机溶剂中有很好的分散性,同时使得此类材料具备了大面积溶液的...
纳米半导体材料是一种自然界中并不存在的人工制造新型半导体材料,随着材料维度的降低和结构特征尺度的减小,量子尺寸效应、量子干涉效应、量子隧穿效应、库伦阻塞效应以及非线性光学效应都表现得越来越明显,使得纳米半导体材料表现出独特的物理化学性质
半球状纳米线视网膜电化学仿生眼的结构及表征。03用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列北京大学张志勇-彭练矛团队发展了高密度高纯半导体碳纳米管阵列薄膜晶圆技术，首次突破了超大规模碳管集成电路发展的材料瓶颈。
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
.｛半导体纳米晶体的结构和特征©半导体纳米晶体：＞半导体纳米晶体是由数目极少的原子或分子组成的原子或原子团簇。＞目前文献中报道的主要涉及的是主族II~VI如CdSe、IU~V如InP、InAs和GaAs主族化合物以及Si等元素，特别是II~VI和111~V主族化合物尤其引人关注。2013-4^©半导体纳米晶体…
摘要：作为最有影响力的纳米结构技术之一,纳米压印技术因具有高分辨率,低成本,可大规模生产等优势,在国际半导体技术蓝图(ITRS)中被列为下一代32nm,22nm和16nm节点光刻技术的重要代表.自1995年华裔科学家周郁(StephenChou)教授在Appl.Phys.Lett.上...
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文，介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
因此,建立半导体纳米材料的晶体结构缺陷与发光性能之间的相互关系对于理解半导体纳米材料的发光机制和光电器件搭建具有重要的指导意义。.在本报告中,我们将主要介绍利用高分辨透射电镜和阴极射线荧光技术研究几种典型半导体纳米材料如GaN、ZnS、ZnO...
分享一篇综述论文。稀土离子和半导体纳米晶（或量子点）本身都是良好的发光材料，二者的有效结合能否产生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者十分感兴趣的问题。通过半导体基质到三价稀土离子高效能量传递，可以克服稀土离子自身吸收截面小的缺点，实现稀土离子高效发光。
博士毕业论文—《钙钛矿纳米晶的光学性能调控及其光电器件应用研究》中文摘要第1-6页英文摘要第6-14页1绪论第14-54页1.1引言第14页1.2半导体纳米晶的物理性质
半导体纳米晶材料的及其在光电器件中的应用.刘泽柯.【摘要】：胶体半导体纳米晶(下文简写为纳米晶)是一种溶液中的新型无机功能材料,其表面覆盖有一层长链有机配体,使其在有机溶剂中有很好的分散性,同时使得此类材料具备了大面积溶液的...
纳米半导体材料是一种自然界中并不存在的人工制造新型半导体材料,随着材料维度的降低和结构特征尺度的减小,量子尺寸效应、量子干涉效应、量子隧穿效应、库伦阻塞效应以及非线性光学效应都表现得越来越明显,使得纳米半导体材料表现出独特的物理化学性质
半球状纳米线视网膜电化学仿生眼的结构及表征。03用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列北京大学张志勇-彭练矛团队发展了高密度高纯半导体碳纳米管阵列薄膜晶圆技术，首次突破了超大规模碳管集成电路发展的材料瓶颈。
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
.｛半导体纳米晶体的结构和特征©半导体纳米晶体：＞半导体纳米晶体是由数目极少的原子或分子组成的原子或原子团簇。＞目前文献中报道的主要涉及的是主族II~VI如CdSe、IU~V如InP、InAs和GaAs主族化合物以及Si等元素，特别是II~VI和111~V主族化合物尤其引人关注。2013-4^©半导体纳米晶体…
摘要：作为最有影响力的纳米结构技术之一,纳米压印技术因具有高分辨率,低成本,可大规模生产等优势,在国际半导体技术蓝图(ITRS)中被列为下一代32nm,22nm和16nm节点光刻技术的重要代表.自1995年华裔科学家周郁(StephenChou)教授在Appl.Phys.Lett.上...
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文，介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
因此,建立半导体纳米材料的晶体结构缺陷与发光性能之间的相互关系对于理解半导体纳米材料的发光机制和光电器件搭建具有重要的指导意义。.在本报告中,我们将主要介绍利用高分辨透射电镜和阴极射线荧光技术研究几种典型半导体纳米材料如GaN、ZnS、ZnO...
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博士毕业论文—《钙钛矿纳米晶的光学性能调控及其光电器件应用研究》中文摘要第1-6页英文摘要第6-14页1绪论第14-54页1.1引言第14页1.2半导体纳米晶的物理性质
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