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研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响毕业设计(论文)研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。.它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的...
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的进步和物质文化生活水平的提高，由其...
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响.doc,毕业设计（论文）报告题目研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013年4月研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。它广泛应用于国民经济的各个...
⑤CMP前对研磨垫进行修正、造型或平整。⑥有规律地对研磨垫用刷子或金刚石修整器做临场和场外修整。4.研磨液研磨液是影响CMP速率和效果的重要因素，在半导体工艺中，针对SiO2、钨栓、多晶硅和铜，需要用不同的研磨液来进行研磨。
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响毕业设计（论文）报告研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响7>2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。.它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类...
关键字：化学机械研磨；终点检测系统；铜化学机械研磨哈尔滨工业大学工程硕士学位论文AbstractCMP,ChemicalMechanicalbecomessignificanttechnologyplanarizationprocess,now.pastyears,CMPtechnologyapplicationlithographyrequirement,have
上海交通大学硕士学位论文基于Ebara设备的CMP工艺优化姓名：刘丽申请学位级别：硕士专业：软件工程指导教师：程秀兰;华光平20060101上海交通大学工程硕士学位论文PROCESSOPTIMIZATIEBARACMPTOOLABSTRACTCMPChemicalMechanicalPolishingplanarizationtechnologyVLSImanufacturing...
学科专业无线电电子学文献出处中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）年关键词化学机械抛光论文纳米研磨料论文硅衬底论文电化学论文湿法刻蚀论文论文摘要集成电路发展至0.25微米工艺之后，唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光（CMP）已成为IC制程的关键工艺之一。
对CMP设备而言，其产业化关键指标包括工艺一致性、生产效率、可靠性等，CMP设备的主要检测参数包括研磨速率、研磨均匀性和缺陷量。（1）研磨速率：单位时间内晶圆表面材料被研磨的总量。（2）研磨均匀性：分为片内均匀性和片间均匀性。
化学机械研磨（CMP）对电特性影响的分析与优化.姜霖.【摘要】：集成电路进入纳米时代,集成电路设计技术和制造技术联系紧密。.在芯片制造和良率逐渐触及物理瓶颈的今天,集成电路制造技术在不断挑战人类工程技术的极限,并产生了一个新的领域---可制造性...
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响毕业设计(论文)研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。.它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的...
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⑤CMP前对研磨垫进行修正、造型或平整。⑥有规律地对研磨垫用刷子或金刚石修整器做临场和场外修整。4.研磨液研磨液是影响CMP速率和效果的重要因素，在半导体工艺中，针对SiO2、钨栓、多晶硅和铜，需要用不同的研磨液来进行研磨。
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学科专业无线电电子学文献出处中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）年关键词化学机械抛光论文纳米研磨料论文硅衬底论文电化学论文湿法刻蚀论文论文摘要集成电路发展至0.25微米工艺之后，唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光（CMP）已成为IC制程的关键工艺之一。
对CMP设备而言，其产业化关键指标包括工艺一致性、生产效率、可靠性等，CMP设备的主要检测参数包括研磨速率、研磨均匀性和缺陷量。（1）研磨速率：单位时间内晶圆表面材料被研磨的总量。（2）研磨均匀性：分为片内均匀性和片间均匀性。
化学机械研磨（CMP）对电特性影响的分析与优化.姜霖.【摘要】：集成电路进入纳米时代,集成电路设计技术和制造技术联系紧密。.在芯片制造和良率逐渐触及物理瓶颈的今天,集成电路制造技术在不断挑战人类工程技术的极限,并产生了一个新的领域---可制造性...
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