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半导体硅材料研磨液研究进展.第36卷总第196期gdchem半导体硅材料研磨液研究进展杨杰(1．长春工业大学，吉林长春130012；2．上海新阳半导体材料有限公司，上海201616)要]随着IC制造技术的飞速发展，为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本，硅片逐渐...
分类号：UDC：——学校代号：密级：——学广东工业大学硕士学位论文（工学硕士）118452111001036SiC晶片精密研磨工艺及其表面损伤研究李伟指导教师姓名、职称：lIIIIIIII1111111111IIlY2305255ADissertationSubmittedGuangdongUniversityMaster（MasterEngineeringScience）AnExperimentalStudySubstratesLappingItsDamageSiCSing...
硅晶圆表面磨削数学模型与硅晶圆表面次表面性质的研究测试计量技术及仪器学科属仪器科学与技术中的二级学科.本学科是数学,物理学,微电子学,精密机械,传感器技术,自动控制技术,计算机技术和通信技术等学科相互交叉的综合学科.目前,本学科技术的发展趋向智能化,微型化,集成化和网络化,其...
有机硅压敏胶的及性能研究（毕业论文）.doc,本科毕业设计(论文)题目：有机硅压敏胶的及性能研究院（系）：材料与化工学院专业：高分子材料与工程班级：学生：石学号：指导教师：2012年6月西安工业大学毕业设计（论文）任务书院（系）材料与化工学院专业高分子材料与...
半导体行业深度报告：半导体硅片行业全攻略.市场认为国内硅晶圆会过度投资，我们认为国内硅晶圆产业起点低、起步晚，且长晶技术是决定硅片参数的核心环节，主要体现在炉内温度的热场和控制晶体形状的磁场设计能力。.硅抛光晶圆的主要技术指标包括...
氮化硅陶瓷球材料工艺基础技术的研究综述.（1合肥波林新材料有限公司，2洛阳轴承研究所）摘要：简要介绍了氮化硅陶瓷球生产工艺方法，并对其关键技术（包括粉末、体系、成型剂、烧结工艺技术等）的研究进展进行了综述，加快国内开展精细...
硅片表面抛光重点.ppt,上章内容回顾;为何是对硅片，而不对硅锭，进行热处理？1)大块单晶不容易均匀受热，加热后易发生崩裂，（热膨胀系数各向异性的），而硅片尺寸小，散热快，不易于崩裂。2)对硅片热处理，可以消除倒角和磨片过程中形成的应力。
半导体超精密摘要：氧化镓(β-Ga2O3)单晶是继碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后，制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度LED等高性能半导体器件的新一代半导体材料，大尺寸低缺陷氧
硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究作者王晓燕，翟秀静，张廷安，符岩，郑双作者单位王晓燕,翟秀静,张廷安,符岩东北大学,辽宁,沈阳,110004，郑双沈阳航空工业学院,辽宁,沈阳,110032刊名真空与低温英文刊名VACUUMAND...
等离子球磨技术处理后的合金材料在350℃H2完全释放用时不到30分钟，而纯MgH2需要超过120min。.脱氢活化能也降低。.这种动力学增强源于MgF2的催化作用，它可以为氢扩散提供通道。.P-millingMg-In-Al-Ti四元储氢材料.为了进一步降低Mg-In二元固溶体的热力学稳定...
半导体硅材料研磨液研究进展.第36卷总第196期gdchem半导体硅材料研磨液研究进展杨杰(1．长春工业大学，吉林长春130012；2．上海新阳半导体材料有限公司，上海201616)要]随着IC制造技术的飞速发展，为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本，硅片逐渐...
分类号：UDC：——学校代号：密级：——学广东工业大学硕士学位论文（工学硕士）118452111001036SiC晶片精密研磨工艺及其表面损伤研究李伟指导教师姓名、职称：lIIIIIIII1111111111IIlY2305255ADissertationSubmittedGuangdongUniversityMaster（MasterEngineeringScience）AnExperimentalStudySubstratesLappingItsDamageSiCSing...
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硅片表面抛光重点.ppt,上章内容回顾;为何是对硅片，而不对硅锭，进行热处理？1)大块单晶不容易均匀受热，加热后易发生崩裂，（热膨胀系数各向异性的），而硅片尺寸小，散热快，不易于崩裂。2)对硅片热处理，可以消除倒角和磨片过程中形成的应力。
半导体超精密摘要：氧化镓(β-Ga2O3)单晶是继碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后，制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度LED等高性能半导体器件的新一代半导体材料，大尺寸低缺陷氧
硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究作者王晓燕，翟秀静，张廷安，符岩，郑双作者单位王晓燕,翟秀静,张廷安,符岩东北大学,辽宁,沈阳,110004，郑双沈阳航空工业学院,辽宁,沈阳,110032刊名真空与低温英文刊名VACUUMAND...
等离子球磨技术处理后的合金材料在350℃H2完全释放用时不到30分钟，而纯MgH2需要超过120min。.脱氢活化能也降低。.这种动力学增强源于MgF2的催化作用，它可以为氢扩散提供通道。.P-millingMg-In-Al-Ti四元储氢材料.为了进一步降低Mg-In二元固溶体的热力学稳定...
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