上海交通大学硕士学位论文基于Ebara设备的CMP工艺优化姓名:刘丽申请学位级别:硕士专业:软件工程指导教师:程秀兰;华光平20060101上海交通大学工程硕士学位论文PROCESSOPTIMIZATIEBARACMPTOOLABSTRACTCMPChemicalMechanicalPolishingplanarizationtechnologyVLSImanufacturing...
中国科技论文在线TrenchSBR器件的CMP相关工艺研究顾文炳,陈东坡作者简介:顾文炳(1986-),男,资深工程师,主要研究方向:超级结和超级势垒整流器等功率半导体器件工艺方向通信联系人:陈东坡(1980-)男,副研究员,主要研究...
化机械抛光工艺(CMP).doc,化学机械抛光工艺(CMP)摘要:本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理,然后,通过介绍CMP系统,从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程,通过介绍分析CMP工艺参数,对CMP作定量了解。在文献精度中...
CMP工艺流程控制策略综述(英文)摘要:化学机械抛光测量技术和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。.测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据所使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及...
glsi多层铜布线阻挡层cmp材料与工艺的研究.pdf,DissertationSubmittedtoHebeiUniversityofTechnologyforTheDoctorDegreeofMicroelectronicsandSolidStateElectronicsSTUDYONCOPPERANDBARRIERCMPINCOPPERINTERCONNECTS
半导体CMP工艺介绍.ppt35页.半导体CMP工艺介绍.ppt.35页.内容提供方:ranfand.大小:817.5KB.字数:约4.15千字.发布时间:2016-12-20.浏览人气:4195.下载次数:仅上传者可见.
论文摘要.集成电路发展至0.25微米工艺之后,唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)已成为IC制程的关键工艺之一。.更小特征尺寸工艺时代的发展对抛光液及抛光工艺应用技术提出苛刻的要求。.本文针对IC衬底及GST薄膜的CMP需要,从以下几个方面开展...
1刘玉岭;檀柏梅;牛新环;赵海涛;;蓝宝石CMP工艺中粗糙度的控制技术(英文)[A];2008全国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2008年2檀柏梅;牛新环;时慧玲;刘玉岭;崔春翔;;纳米磨料在二氧化硅介质CMP中的作用分析[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2)[C];2007年
CMP纳米抛光液及抛光工艺相关技术研究.张楷亮.【摘要】:集成电路发展至0.25微米工艺之后,唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)已成为IC制程的关键工艺之一。.更小特征尺寸工艺时代的发展对抛光液及抛光工艺应用技术提出苛刻的要求。.本文针对...
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响毕业设计(论文)研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要:半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。.它广泛应用于国民经济的各个领域中,它的发展推动着人类社会的...
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1刘玉岭;檀柏梅;牛新环;赵海涛;;蓝宝石CMP工艺中粗糙度的控制技术(英文)[A];2008全国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2008年2檀柏梅;牛新环;时慧玲;刘玉岭;崔春翔;;纳米磨料在二氧化硅介质CMP中的作用分析[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2)[C];2007年
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