发表服务
上海交通大学硕士学位论文基于Ebara设备的CMP工艺优化姓名：刘丽申请学位级别：硕士专业：软件工程指导教师：程秀兰;华光平20060101上海交通大学工程硕士学位论文PROCESSOPTIMIZATIEBARACMPTOOLABSTRACTCMPChemicalMechanicalPolishingplanarizationtechnologyVLSImanufacturing...
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的进步和物质文化生活水平的提高，由其...
其中研磨液和抛光垫为消耗品。图1.CMP设备组成（1)抛光头组件新型的抛光头组件（图2）具有用于吸附晶圆的真空吸附装置，对晶圆施加压力的下压力系统，以及调节晶圆的定位环系统。图2.抛光头组件（2）研磨盘研磨盘是CMP研磨的支撑平台，其作用是
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响毕业设计(论文)研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。.它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的...
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响.doc,毕业设计（论文）报告题目研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013年4月研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。它广泛应用于国民经济的各个...
本论文通过介绍基本的化学机械研磨工艺和业界主流的化学机械研磨设备，主要探讨了化学机械研磨终点检测技术。.针对STI(浅槽绝缘)，钨，氧化膜，铜的工艺特性和技术要求，化学机械研磨设备厂商研制出了不同的技术，如光学，涡流，实时轮廓控制。.在...
半导体CMP工艺介绍.ppt35页.半导体CMP工艺介绍.ppt.35页.内容提供方：ranfand.大小：817.5KB.字数：约4.15千字.发布时间：2016-12-20.浏览人气：4195.下载次数：仅上传者可见.
在CMP过程中，抛光液对被表有化学腐蚀和机械研磨的双重作用，对抛光效果产生重要影响，但目前仍存在诸如金属离子污染、分散性差、材料去除率低等问题。.本论文以二氧化硅介质层CMP抛光液为研究方向，在介绍、分析抛光液的材料去除原理...
化学机械研磨（CMP）对电特性影响的分析与优化.姜霖.【摘要】：集成电路进入纳米时代,集成电路设计技术和制造技术联系紧密。.在芯片制造和良率逐渐触及物理瓶颈的今天,集成电路制造技术在不断挑战人类工程技术的极限,并产生了一个新的领域---可制造性...
CMP设备抛光头压力自动加载系统设计与研究.薛超.【摘要】：随着平板显示器向薄型化、弯曲化方向发展,柔性显示逐渐成为显示器行业发展的趋势。.超薄不锈钢基板是下一代柔性显示器基板的理想材料,化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)以其高质量、低...
上海交通大学硕士学位论文基于Ebara设备的CMP工艺优化姓名：刘丽申请学位级别：硕士专业：软件工程指导教师：程秀兰;华光平20060101上海交通大学工程硕士学位论文PROCESSOPTIMIZATIEBARACMPTOOLABSTRACTCMPChemicalMechanicalPolishingplanarizationtechnologyVLSImanufacturing...
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的进步和物质文化生活水平的提高，由其...
其中研磨液和抛光垫为消耗品。图1.CMP设备组成（1)抛光头组件新型的抛光头组件（图2）具有用于吸附晶圆的真空吸附装置，对晶圆施加压力的下压力系统，以及调节晶圆的定位环系统。图2.抛光头组件（2）研磨盘研磨盘是CMP研磨的支撑平台，其作用是
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响毕业设计(论文)研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。.它广泛应用于国民经济的各个领域中，它的发展推动着人类社会的...
研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响.doc,毕业设计（论文）报告题目研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响2013年4月研磨抛光液对CMP研磨抛光工艺的影响摘要：半导体科学在现代科学技术中占有极其重要的地位。它广泛应用于国民经济的各个...
本论文通过介绍基本的化学机械研磨工艺和业界主流的化学机械研磨设备，主要探讨了化学机械研磨终点检测技术。.针对STI(浅槽绝缘)，钨，氧化膜，铜的工艺特性和技术要求，化学机械研磨设备厂商研制出了不同的技术，如光学，涡流，实时轮廓控制。.在...
半导体CMP工艺介绍.ppt35页.半导体CMP工艺介绍.ppt.35页.内容提供方：ranfand.大小：817.5KB.字数：约4.15千字.发布时间：2016-12-20.浏览人气：4195.下载次数：仅上传者可见.
在CMP过程中，抛光液对被表有化学腐蚀和机械研磨的双重作用，对抛光效果产生重要影响，但目前仍存在诸如金属离子污染、分散性差、材料去除率低等问题。.本论文以二氧化硅介质层CMP抛光液为研究方向，在介绍、分析抛光液的材料去除原理...
化学机械研磨（CMP）对电特性影响的分析与优化.姜霖.【摘要】：集成电路进入纳米时代,集成电路设计技术和制造技术联系紧密。.在芯片制造和良率逐渐触及物理瓶颈的今天,集成电路制造技术在不断挑战人类工程技术的极限,并产生了一个新的领域---可制造性...
CMP设备抛光头压力自动加载系统设计与研究.薛超.【摘要】：随着平板显示器向薄型化、弯曲化方向发展,柔性显示逐渐成为显示器行业发展的趋势。.超薄不锈钢基板是下一代柔性显示器基板的理想材料,化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)以其高质量、低...
发表服务