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半导体光刻中晶圆缺陷问题的研究WaferDefectsIssueStudyLithography天津大学电子信息工程学院二零一二年五月指导教师：秦国轩副教授企业导师：高级工程师独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的...
同济大学机械工程学院硕士学位论文C半导体公司八寸晶圆制造过程工作研究姓名：杨东森申请学位级别：硕士专业：工业工程指导教师：徐克林;孔庆华20090301摘要摘要半导体制造工厂中操作工的主要工作内容是装载和卸载晶圆片。
半导体光刻中晶圆缺陷问题的研究.刘丰.【摘要】：在摩尔定律的指引下，半导体工业每两至三年就跨上一个新的台阶。.大量资金投入，工程技术人员的使用高于工业界平均比例，这些导致了半导体生产高昂的分摊成本,加上激烈竞争使得产品价格持续下滑...
作为半导体封装的第一道工序，划片质量的好坏直接影响到整体的封装质量。.而晶圆在划片过程中容易发生崩角、分层与剥离等缺陷(如图1)，给划片工艺带来了挑战，促使划片工艺不断向前发展，目前，划片的方式主要有砂轮划片和激光划片。.砂轮划片...
半导体晶圆激光切割新技术.pdf,第36卷第3期激光技术Vo1．36．No．32012年5月LASERTECHNOLOGYMay，2012文章编号：1001—3806(2012)03—0293—05半导体晶圆激光切割新技术黄福民，谢小柱，魏昕，胡伟，苑学瑞(广东工业大学...
半导体论文范文一（1）：题目：我国半导体产业在后摩尔时代的发展思考摘要：要对“后摩尔时代”下的半导体产业发展路径进行研究,就需要先把握好现阶段国内产业所处的发展阶段。本文研究立足于后摩尔时代这一背景,分析了现阶段我国半导体产业存在的问题,对比其他国家以及地区产业发展...
半导体工艺和晶圆缺陷检测技术的发展.半个多世纪以来，半导体行业按照摩尔定律不断发展，制程从微米量级缩小至如今的单数位纳米量级。.先进的工艺意味着更复杂的图案，而复杂的图案也需要更精细的缺陷检测技术。.从紫外光（UV）到深紫外光（DUV...
半导体技术发展过程中的基本分析.摘要：随着科技的不断创新和发展,半导体技术也取得了显著的发展成果,特别是半导体晶体管得到了非常广泛的运用,已经有越来越多的人们投入到了半导体技术相关的工作中。自从半导体技术的出现到现在,它已经逐渐渗透...
MBA智库文档，专业的管理资源分享平台。分享管理资源，传递管理智慧。-1-中国科技论文在线8寸晶圆单片晶圆良率降低现象产生的原因及改善方法姜俊克1,2，黄其煜1**作者简介：姜俊克，（1983-），男，上海交通大学工程硕士在读，集成电路制造领域。
【摘要】：该课题的开设是基于德州仪器半导体制造（成都）公司着手建立的“晶圆背面制程”项目，内容是将正常厚度为725μm的晶圆从背面研磨至100μm，然后经由背面酸碱法蚀刻后，继续在背面蒸镀金属的制程过程。完成上述制程的芯片将在器件热阻的降低、工作散热和冷却、封装厚度减薄等各个...
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半导体光刻中晶圆缺陷问题的研究.刘丰.【摘要】：在摩尔定律的指引下，半导体工业每两至三年就跨上一个新的台阶。.大量资金投入，工程技术人员的使用高于工业界平均比例，这些导致了半导体生产高昂的分摊成本,加上激烈竞争使得产品价格持续下滑...
作为半导体封装的第一道工序，划片质量的好坏直接影响到整体的封装质量。.而晶圆在划片过程中容易发生崩角、分层与剥离等缺陷(如图1)，给划片工艺带来了挑战，促使划片工艺不断向前发展，目前，划片的方式主要有砂轮划片和激光划片。.砂轮划片...
半导体晶圆激光切割新技术.pdf,第36卷第3期激光技术Vo1．36．No．32012年5月LASERTECHNOLOGYMay，2012文章编号：1001—3806(2012)03—0293—05半导体晶圆激光切割新技术黄福民，谢小柱，魏昕，胡伟，苑学瑞(广东工业大学...
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半导体工艺和晶圆缺陷检测技术的发展.半个多世纪以来，半导体行业按照摩尔定律不断发展，制程从微米量级缩小至如今的单数位纳米量级。.先进的工艺意味着更复杂的图案，而复杂的图案也需要更精细的缺陷检测技术。.从紫外光（UV）到深紫外光（DUV...
半导体技术发展过程中的基本分析.摘要：随着科技的不断创新和发展,半导体技术也取得了显著的发展成果,特别是半导体晶体管得到了非常广泛的运用,已经有越来越多的人们投入到了半导体技术相关的工作中。自从半导体技术的出现到现在,它已经逐渐渗透...
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【摘要】：该课题的开设是基于德州仪器半导体制造（成都）公司着手建立的“晶圆背面制程”项目，内容是将正常厚度为725μm的晶圆从背面研磨至100μm，然后经由背面酸碱法蚀刻后，继续在背面蒸镀金属的制程过程。完成上述制程的芯片将在器件热阻的降低、工作散热和冷却、封装厚度减薄等各个...
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