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本论文利用第一性原理计算方法,对通过熔化—冷却获得的硫族化合物AlSb和GeSbTe非晶半导体的价键结构、原子图像以及在电子激发下的结构演化规律进行探索,为理解它们在相变存储器件应用中的作用提供理论借鉴;另外,我们也考察了在电子激发效应作用下
2.4非晶半导体材料非晶半导体材料是具有半导体特性的非晶体组成的材料，如α-硅、α-锗、α-砷化镓、α-硫化砷、α-硒等。论文发表。这类材料，原子排列短程有序，长程无序，又称无定形半导体，部分称作玻璃半导体。
依据半导体材料的化学成分，可以将半导体分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态半导体[1]。2半导体材料的性能2.1元素半导体元素半导体是指半导体材料由单一化学元素构成，在元素周期表有12种具有半导体性质的元素。
他们发现，随着压力的增加，非晶半导体Sb2Se3在24万大气压时也表现出同样的超导电性。原位高压高能X射线衍射测试表明非晶Sb2Se3在超导出现的同时由低密度非晶转变为一种高密度非晶，如下图所示，进一步压缩下，高密度非晶态最终转变为晶态立方
具体研究工作包括以下四个方面:1.我们研究了高Mn含量的Mn_(0.48)Si_(0.52)非晶半导体薄膜的磁性和反常霍尔效应,发现Mn_(0.48)Si_(0.52)薄膜在17K以下显示弱的铁磁性,17K以上显示超顺磁性,其反常霍尔系数正比于纵向电阻率表明反常霍尔效应起源于斜散射机制(见论文...
本论文利用第一性原理计算方法,对通过熔化—冷却获得的硫族化合物AlSb和GeSbTe非晶半导体的价键结构、原子图像以及在电子激发下的结构演化规律进行探索,为理解它们在相变存储器件应用中的作用提供理论借鉴;另外,我们也考察了在电子激发效应作用下
2.4非晶半导体材料非晶半导体材料是具有半导体特性的非晶体组成的材料，如α-硅、α-锗、α-砷化镓、α-硫化砷、α-硒等。论文发表。这类材料，原子排列短程有序，长程无序，又称无定形半导体，部分称作玻璃半导体。
依据半导体材料的化学成分，可以将半导体分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态半导体[1]。2半导体材料的性能2.1元素半导体元素半导体是指半导体材料由单一化学元素构成，在元素周期表有12种具有半导体性质的元素。
他们发现，随着压力的增加，非晶半导体Sb2Se3在24万大气压时也表现出同样的超导电性。原位高压高能X射线衍射测试表明非晶Sb2Se3在超导出现的同时由低密度非晶转变为一种高密度非晶，如下图所示，进一步压缩下，高密度非晶态最终转变为晶态立方
具体研究工作包括以下四个方面:1.我们研究了高Mn含量的Mn_(0.48)Si_(0.52)非晶半导体薄膜的磁性和反常霍尔效应,发现Mn_(0.48)Si_(0.52)薄膜在17K以下显示弱的铁磁性,17K以上显示超顺磁性,其反常霍尔系数正比于纵向电阻率表明反常霍尔效应起源于斜散射机制(见论文...
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