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天津大学硕士学位论文SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究姓名：刘晓新申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：靳正国20031201中文摘要采用液相薄膜制各工艺一sILAR（连续离子层吸附反应）法，于玻璃衬底上了CdS，ZnS，RuS2单组份薄膜及（Zn．，Cd）S复合薄膜。
alinn半导体薄膜的与物性研究word格式论文.docx,牛.....l"WAl(In)N半导体薄膜的与物性研究凝聚态物理专业研究生芦伟指导教师徐明啕摘要AlInN的物性…般可通过改变组分的方法进行大跨度调节，并可与GaN等材料晶格匹配，因此A1InN是比...
半导体超薄膜的光吸收特性研究.郭路清.【摘要】：在薄膜光电和光催化应用领域,人们一直存在两难选择,从增强光吸收的角度出发需要增加半导体薄膜厚度；但从光生载流子的有效传输和收集的角度,需要减小半导体薄膜厚度从而减少载流子的散射与复合,也...
本论文用原子层沉积(ALD)的方法生长氧化锌薄膜,研究了ZnO生长过程中前驱体剂量与生长温度对ZnO-TFTs性能的影响,在此基础上确定了最优的工艺。器件的电学性能优异:载流子饱和迁移率高达36.4cm2/Vs、开关比为2.86×109,开启电压为-0.98V。
金属硫化物半导体薄膜的方法—In2S3纳米薄膜的及性能研究毕业论文.doc,诚信声明本人郑重声明：所呈交毕业论文，是本人在指导教师的指导下，进行研究工作所取得的成果。除文中已注明引用的内容外，本文不包含任何其他人或集体已经发表过或撰写过的作品成果。
学术论文：PLD方法沉积ZnO薄膜及其光电性能研究.氧化锌（ZnO）是新一代的II一族宽带半导体材料，具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3．37eV，激子能为60meV，可以实现室温下的受激发射。.ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性，并且易于...
反铁磁半导体,集两种优势于一身,可以在一种材料中同时实现室温自旋导电和半导体调控。然而目前关于磁性薄膜材料尤其是反铁磁薄膜的研究比较少,本论文的研究课题主要是和表征高质量的反铁磁半导体薄…
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
华中科技大学文华学院题目：薄膜太阳能电池的研究与发展现状陈刚祥学号：080110011106职称或学位：讲师2012关键词IABSTRACTIKeywordsI一、薄膜太阳能电池概述2二、薄膜太阳能电池的分类和特点32.1a-Si：H薄膜42.2Poly-Si薄膜62.3...
半导体封装技术分析与研究毕业论文毕业,论文,和,毕业论文,半导体技术设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081姓名一、课题名称：半导体封装技术分析与研究二、主要技术指标：1．封装的工艺流程；2．封装的技术分类；3．封装...
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