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本论文用原子层沉积(ALD)的方法生长氧化锌薄膜,研究了ZnO生长过程中前驱体剂量与生长温度对ZnO-TFTs性能的影响,在此基础上确定了最优的工艺。器件的电学性能优异:载流子饱和迁移率高达36.4cm2/Vs、开关比为2.86×109,开启电压为-0.98V。
这项技术称为分子层刻蚀（molecularlayeretching,MLE），相关论文已在ChemistryofMaterials杂志发表（链接见后文）。为了将微电子器件造得更小，制造商必须把越来越多的电路塞进更小的薄膜和3D结构中，现如今是用薄膜沉积和刻蚀技术来实现的，这种技术可以一次生长或去除一层膜。
磁控溅射法低温ITO透明导电薄膜工艺研究.【摘要】：氧化铟锡(ITO)是一种宽禁带、高掺杂的n型半导体,广泛应用于各种显示屏幕的透明电极中。.大多数研究者都关注于在200～400℃的基底温度下多晶ITO薄膜,研究其工艺,优化其光学和电学性质。.然而...
作为研究较为广泛的氧化物半导体，ZnO具有宽禁带、透明、高迁移率和低成本的优点。基于原子层沉积（ALD）工艺可以在低温下大面积地沉积高质量薄膜的特点，该团队采用了与以往磁控溅射不同的ALD工艺在190℃了ZnOTFT。
太阳能电池材料ZnOAL薄膜结构与性能研究第二章ZnOAl薄膜的性质、应用、方法和发展趋势2.1ZnOAl薄膜的特性ZnO是一种新型的-族宽禁带氧化物半导体材料，为六方纤锌矿结构。.ZnO薄膜材料，尤其是C轴取向占优势的ZnO薄膜，具有很好的光学和电学特性...
论文还论述了退火工艺对有机薄膜晶体管器件性能的影响。分别做了80＇U－－220＂C条件下（间隔是20＂（2）的真空和两种环境下对器件进行1个小时的退火。经过退火后的测试，发现在160条件下真空环境里器件的性能比退火之前具有了很大的...
半导体封装技术分析与研究毕业论文毕业,论文,和,毕业论文,半导体技术设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081姓名一、课题名称：半导体封装技术分析与研究二、主要技术指标：1．封装的工艺流程；2．封装的技术分类；3．封装...
薄膜太阳能电池越来越成为研究的热点对象。下面重点介绍下本实验组正在研究的-族化合物半导体CuInSe和CdTe薄膜太阳能电池。1.5.1CuInSe薄膜太阳能电池1.5.1.1CuInSe薄膜太阳能电池的发展历史和特点CuInSe是一种--族三元化合物半导体材料。
CIGS薄膜，如何评估这个膜层，该膜层有什么样的性能才能保证CIGS薄膜太阳能器件具有优良的电学性能呢？首先要摸索一下，知道大概什么工艺条件下的沉积速率是多少，然后就可以根据方阻大改判断膜的好坏了，但要想有这种判断前期试验要做细致，结构光电性能测试都少不了，这是经验积累的…
半导体工艺实习实验指导书（PDF）,计算机网络实验指导书,焊接工艺指导书,实验指导书,c语言实验指导书答案,vb实验指导书答案,信号与系统实验指导书,电路实验指导书,装配工艺指导书,工艺作业指…
本论文用原子层沉积(ALD)的方法生长氧化锌薄膜,研究了ZnO生长过程中前驱体剂量与生长温度对ZnO-TFTs性能的影响,在此基础上确定了最优的工艺。器件的电学性能优异:载流子饱和迁移率高达36.4cm2/Vs、开关比为2.86×109,开启电压为-0.98V。
这项技术称为分子层刻蚀（molecularlayeretching,MLE），相关论文已在ChemistryofMaterials杂志发表（链接见后文）。为了将微电子器件造得更小，制造商必须把越来越多的电路塞进更小的薄膜和3D结构中，现如今是用薄膜沉积和刻蚀技术来实现的，这种技术可以一次生长或去除一层膜。
磁控溅射法低温ITO透明导电薄膜工艺研究.【摘要】：氧化铟锡(ITO)是一种宽禁带、高掺杂的n型半导体,广泛应用于各种显示屏幕的透明电极中。.大多数研究者都关注于在200～400℃的基底温度下多晶ITO薄膜,研究其工艺,优化其光学和电学性质。.然而...
作为研究较为广泛的氧化物半导体，ZnO具有宽禁带、透明、高迁移率和低成本的优点。基于原子层沉积（ALD）工艺可以在低温下大面积地沉积高质量薄膜的特点，该团队采用了与以往磁控溅射不同的ALD工艺在190℃了ZnOTFT。
太阳能电池材料ZnOAL薄膜结构与性能研究第二章ZnOAl薄膜的性质、应用、方法和发展趋势2.1ZnOAl薄膜的特性ZnO是一种新型的-族宽禁带氧化物半导体材料，为六方纤锌矿结构。.ZnO薄膜材料，尤其是C轴取向占优势的ZnO薄膜，具有很好的光学和电学特性...
论文还论述了退火工艺对有机薄膜晶体管器件性能的影响。分别做了80＇U－－220＂C条件下（间隔是20＂（2）的真空和两种环境下对器件进行1个小时的退火。经过退火后的测试，发现在160条件下真空环境里器件的性能比退火之前具有了很大的...
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