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天津大学硕士学位论文SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究姓名：刘晓新申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：靳正国20031201中文摘要采用液相薄膜制各工艺一sILAR（连续离子层吸附反应）法，于玻璃衬底上了CdS，ZnS，RuS2单组份薄膜及（Zn．，Cd）S复合薄膜。
alinn半导体薄膜的与物性研究word格式论文.docx,牛.....l"WAl(In)N半导体薄膜的与物性研究凝聚态物理专业研究生芦伟指导教师徐明啕摘要AlInN的物性…般可通过改变组分的方法进行大跨度调节，并可与GaN等材料晶格匹配，因此A1InN是比...
有机小分子半导体薄膜的与光电性质.朱园园.【摘要】：酞菁类(Pc)和苝酰亚胺类(PDI)有机小分子半导体具有优良的光热稳定性,其分别作为空穴和电子传导材料,在现代有机光电功能器件的应用中具有重要作用。.但从目前的研究来看,制约其应用发展的主要...
半导体封装技术分析与研究毕业论文毕业,论文,和,毕业论文,半导体技术设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081姓名一、课题名称：半导体封装技术分析与研究二、主要技术指标：1．封装的工艺流程；2．封装的技术分类；3．封装...
图5CuPbSbS3薄膜电阻率(ρ)随温度变化的函数。该方法可推广应用于其它多晶半导体薄膜的溶液沉积，包括与I-IV-V-VII组成相关的半导体，如CuPbBiS3。结果突出了碱化法在解决硫酸盐吸收层沉积问题上的前景。（文：水生）本文来自微信公众号“材料科学与
然而目前关于磁性薄膜材料尤其是反铁磁薄膜的研究比较少,本论文的研究课题主要是和表征高质量的反铁磁半导体薄膜。利用分子束外延技术(MBE)和反射式高能电子衍射仪(RHEED),我们了一系列高质量的浓缩磁性半导体(过渡金属磁性元素Mn、Fe、V等...
这项技术称为分子层刻蚀（molecularlayeretching,MLE），相关论文已在ChemistryofMaterials杂志发表（链接见后文）。为了将微电子器件造得更小，制造商必须把越来越多的电路塞进更小的薄膜和3D结构中，现如今是用薄膜沉积和刻蚀技术来实现的，这种技术可以一次生长或去除一层膜。
本论文研究目的是深入理解氧化物半导体薄膜材料和器件中电荷产生和传输的物理机理，解释工艺中出现的导电性能转变的原因和对应的微观机理，寻找影响薄膜和器件高迁移率的因素和改进方案，指导实际操作。
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
1焦兵兵;王东兴;刘跃;赵洪;;有机半导体酞菁铜双极薄膜晶体管与特性[A];第十三届全国工程电介质学术会议论文集[C];2011年2邱龙臻;;基于有机半导体纳米线复合材料的薄膜晶体管[A];2011年全国高分子学术论文报告会论文摘要集[C];2011年3张群;;新型氧化物薄膜晶体管的研究进展[A];TFC’09全国薄膜...
天津大学硕士学位论文SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究姓名：刘晓新申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：靳正国20031201中文摘要采用液相薄膜制各工艺一sILAR（连续离子层吸附反应）法，于玻璃衬底上了CdS，ZnS，RuS2单组份薄膜及（Zn．，Cd）S复合薄膜。
alinn半导体薄膜的与物性研究word格式论文.docx,牛.....l"WAl(In)N半导体薄膜的与物性研究凝聚态物理专业研究生芦伟指导教师徐明啕摘要AlInN的物性…般可通过改变组分的方法进行大跨度调节，并可与GaN等材料晶格匹配，因此A1InN是比...
有机小分子半导体薄膜的与光电性质.朱园园.【摘要】：酞菁类(Pc)和苝酰亚胺类(PDI)有机小分子半导体具有优良的光热稳定性,其分别作为空穴和电子传导材料,在现代有机光电功能器件的应用中具有重要作用。.但从目前的研究来看,制约其应用发展的主要...
半导体封装技术分析与研究毕业论文毕业,论文,和,毕业论文,半导体技术设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081姓名一、课题名称：半导体封装技术分析与研究二、主要技术指标：1．封装的工艺流程；2．封装的技术分类；3．封装...
图5CuPbSbS3薄膜电阻率(ρ)随温度变化的函数。该方法可推广应用于其它多晶半导体薄膜的溶液沉积，包括与I-IV-V-VII组成相关的半导体，如CuPbBiS3。结果突出了碱化法在解决硫酸盐吸收层沉积问题上的前景。（文：水生）本文来自微信公众号“材料科学与
然而目前关于磁性薄膜材料尤其是反铁磁薄膜的研究比较少,本论文的研究课题主要是和表征高质量的反铁磁半导体薄膜。利用分子束外延技术(MBE)和反射式高能电子衍射仪(RHEED),我们了一系列高质量的浓缩磁性半导体(过渡金属磁性元素Mn、Fe、V等...
这项技术称为分子层刻蚀（molecularlayeretching,MLE），相关论文已在ChemistryofMaterials杂志发表（链接见后文）。为了将微电子器件造得更小，制造商必须把越来越多的电路塞进更小的薄膜和3D结构中，现如今是用薄膜沉积和刻蚀技术来实现的，这种技术可以一次生长或去除一层膜。
本论文研究目的是深入理解氧化物半导体薄膜材料和器件中电荷产生和传输的物理机理，解释工艺中出现的导电性能转变的原因和对应的微观机理，寻找影响薄膜和器件高迁移率的因素和改进方案，指导实际操作。
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
1焦兵兵;王东兴;刘跃;赵洪;;有机半导体酞菁铜双极薄膜晶体管与特性[A];第十三届全国工程电介质学术会议论文集[C];2011年2邱龙臻;;基于有机半导体纳米线复合材料的薄膜晶体管[A];2011年全国高分子学术论文报告会论文摘要集[C];2011年3张群;;新型氧化物薄膜晶体管的研究进展[A];TFC’09全国薄膜...
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