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本论文研究目的是深入理解氧化物半导体薄膜材料和器件中电荷产生和传输的物理机理，解释工艺中出现的导电性能转变的原因和对应的微观机理，寻找影响薄膜和器件高迁移率的因素和改进方案，指导实际操作。
BiOI基半导体薄膜材料的及其光催化防污性能研究.龙洋.【摘要】：海洋生物污损影响海洋工程材料的正常服役,是人类开发利用海洋难以回避的问题。.因此,研发新型、高效、环保防污材料具有重要的现实意义。.光催化防污技术以其低能耗、环境友好等...
二维半导体材料因其特殊的光学和电学性质，吸引了众多关注，并广泛应用于柔性电子器件、光电器件和自旋量子器件。MoS2由于容易存在硫空穴而显示n型半导体特性。传统化学气相沉积方法（CVD）生长的单原子层MoS2一般采用MoO3与硫粉的高温...
论文以半导体材料和器件的光物理学过程和光电子学特性研究为主线，基于微纳材料科学，开展了三个方面的创新性研究工作：(1)P型氧化锌掺钴稀磁氧化物半导体薄膜及其PN结的室温磁性特性分析与理论结构研究通过研究稀磁半导体的历史发展及研究现状，在
半导体薄膜材料电活性缺陷的谱学研究.王冲.【摘要】：在实际生产和研究中所使用的半导体材料都并非理想结构,都含有缺陷。.它们可能是外来原子(杂质),也可能是本身晶体结构方面的缺陷。.半导体材料在生产和器件的工艺过程中往往会引入很多...
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
ZnS半导体薄膜材料可控与性能研原油储罐周围土壤温度场分布变化规管道内液力旋转切割工具设计方法研磁控溅射工艺及退火温度对h-BN薄膜RPROP-MDE优化的模糊神经网络天然气图形化SiC衬底及新型图形化蓝宝石衬基于RBF神经网络JK750机过滤器
半导体论文范文一（1）：题目：我国半导体产业在后摩尔时代的发展思考摘要：要对“后摩尔时代”下的半导体产业发展路径进行研究,就需要先把握好现阶段国内产业所处的发展阶段。本文研究立足于后摩尔时代这一背景,分析了现阶段我国半导体产业存在的问题,对比其他国家以及地区产业发展...
麻省理工的工程师们开发出一种新的技术，这种技术除了硅以外还可以使用其他一系列特殊材料制成超薄半导体薄膜。为了展示他们的技术，研究人员使用砷化镓、氮化镓和氟化锂制成了多种柔性…
图5CuPbSbS3薄膜电阻率(ρ)随温度变化的函数。该方法可推广应用于其它多晶半导体薄膜的溶液沉积，包括与I-IV-V-VII组成相关的半导体，如CuPbBiS3。结果突出了碱化法在解决硫酸盐吸收层沉积问题上的前景。（文：水生）本文来自微信公众号“材料科学与
本论文研究目的是深入理解氧化物半导体薄膜材料和器件中电荷产生和传输的物理机理，解释工艺中出现的导电性能转变的原因和对应的微观机理，寻找影响薄膜和器件高迁移率的因素和改进方案，指导实际操作。
BiOI基半导体薄膜材料的及其光催化防污性能研究.龙洋.【摘要】：海洋生物污损影响海洋工程材料的正常服役,是人类开发利用海洋难以回避的问题。.因此,研发新型、高效、环保防污材料具有重要的现实意义。.光催化防污技术以其低能耗、环境友好等...
二维半导体材料因其特殊的光学和电学性质，吸引了众多关注，并广泛应用于柔性电子器件、光电器件和自旋量子器件。MoS2由于容易存在硫空穴而显示n型半导体特性。传统化学气相沉积方法（CVD）生长的单原子层MoS2一般采用MoO3与硫粉的高温...
论文以半导体材料和器件的光物理学过程和光电子学特性研究为主线，基于微纳材料科学，开展了三个方面的创新性研究工作：(1)P型氧化锌掺钴稀磁氧化物半导体薄膜及其PN结的室温磁性特性分析与理论结构研究通过研究稀磁半导体的历史发展及研究现状，在
半导体薄膜材料电活性缺陷的谱学研究.王冲.【摘要】：在实际生产和研究中所使用的半导体材料都并非理想结构,都含有缺陷。.它们可能是外来原子(杂质),也可能是本身晶体结构方面的缺陷。.半导体材料在生产和器件的工艺过程中往往会引入很多...
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
ZnS半导体薄膜材料可控与性能研原油储罐周围土壤温度场分布变化规管道内液力旋转切割工具设计方法研磁控溅射工艺及退火温度对h-BN薄膜RPROP-MDE优化的模糊神经网络天然气图形化SiC衬底及新型图形化蓝宝石衬基于RBF神经网络JK750机过滤器
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麻省理工的工程师们开发出一种新的技术，这种技术除了硅以外还可以使用其他一系列特殊材料制成超薄半导体薄膜。为了展示他们的技术，研究人员使用砷化镓、氮化镓和氟化锂制成了多种柔性…
图5CuPbSbS3薄膜电阻率(ρ)随温度变化的函数。该方法可推广应用于其它多晶半导体薄膜的溶液沉积，包括与I-IV-V-VII组成相关的半导体，如CuPbBiS3。结果突出了碱化法在解决硫酸盐吸收层沉积问题上的前景。（文：水生）本文来自微信公众号“材料科学与
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