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基于ECI沉积技术和离子注入技术的半导体发光薄膜研究离子,薄膜,与,离子注入,研究,半导体,技术的,与沉积技术,ECI,半导体研究中国科学院上海原子核研究所硕士学位论文基于ECI沉积技术和离子注入技术的半导体发光薄膜研究姓名：刘华明申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师...
学术论文：PLD方法沉积ZnO薄膜及其光电性能研究.氧化锌（ZnO）是新一代的II一族宽带半导体材料，具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3．37eV，激子能为60meV，可以实现室温下的受激发射。.ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性，并且易于...
天津大学硕士学位论文SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究姓名：刘晓新申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：靳正国20031201中文摘要采用液相薄膜制各工艺一sILAR（连续离子层吸附反应）法，于玻璃衬底上了CdS，ZnS，RuS2单组份薄膜及（Zn．，Cd）S复合薄膜。
化学气相沉积技术发展与应用论文.doc,化学气相沉积技术的发展与应用【摘要】本文介绍了化学气相沉积技术的发展及其应用，在分析其原理、特点的基础上，介绍几种常用的化学气相沉积技术，并对其未来的发展趋势提出构想。【关键词】化学气相沉积、发展、应用1、化学沉积技术的发展现代...
半导体制造工艺薄膜沉积(上)重点.ppt,ChemicalVaporDepositionCVDSinglecrystalepitaxy化学气相淀积（CVD）单晶外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜半导体、介质、金属薄膜常压化学气相淀积（APCVD），低压CVDLPCVD，等离子体增强淀...
书名:半导体薄膜技术与物理作者：叶志镇吕斌出版社：浙江大学出版社出版时间：2008年09月ISBN:9787308066174开本：16开定价:36.00元编辑本段内容简介《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术...
当今，很多技术的核心之处就在于半导体器件。随着摩尔定律走向极限，十分有必要寻找一种新的方法，将更多的电路封装到单个设备中，以提高设备的计算速度和性能。近日，美国能源部阿贡国家实验室的研究人员开发出…
1半导体技术.半导体制造技术是半导体产业发展的基础，制造技术水平的高低直接影响半导体产品的性能及其发展。.光刻，刻蚀，沉积，扩散，离子注入，热处理和热氧化等都是常用的半导体制造技术[2]。.而光刻技术和薄膜技术是半导体制造技术中最...
本论文研究目的是深入理解氧化物半导体薄膜材料和器件中电荷产生和传输的物理机理，解释工艺中出现的导电性能转变的原因和对应的微观机理，寻找影响薄膜和器件高迁移率的因素和改进方案，指导实际操作。
书名:半导体薄膜技术与物理.作者：叶志镇吕斌.出版社：浙江大学出版社.出版时间：2008年09月.ISBN:9787308066174.开本：16开.定价:36.00元.编辑本段内容简介.《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术及其相关的物理基础。.
基于ECI沉积技术和离子注入技术的半导体发光薄膜研究离子,薄膜,与,离子注入,研究,半导体,技术的,与沉积技术,ECI,半导体研究中国科学院上海原子核研究所硕士学位论文基于ECI沉积技术和离子注入技术的半导体发光薄膜研究姓名：刘华明申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师...
学术论文：PLD方法沉积ZnO薄膜及其光电性能研究.氧化锌（ZnO）是新一代的II一族宽带半导体材料，具有纤锌矿晶体结构，禁带宽度为3．37eV，激子能为60meV，可以实现室温下的受激发射。.ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性，并且易于...
天津大学硕士学位论文SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究姓名：刘晓新申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：靳正国20031201中文摘要采用液相薄膜制各工艺一sILAR（连续离子层吸附反应）法，于玻璃衬底上了CdS，ZnS，RuS2单组份薄膜及（Zn．，Cd）S复合薄膜。
化学气相沉积技术发展与应用论文.doc,化学气相沉积技术的发展与应用【摘要】本文介绍了化学气相沉积技术的发展及其应用，在分析其原理、特点的基础上，介绍几种常用的化学气相沉积技术，并对其未来的发展趋势提出构想。【关键词】化学气相沉积、发展、应用1、化学沉积技术的发展现代...
半导体制造工艺薄膜沉积(上)重点.ppt,ChemicalVaporDepositionCVDSinglecrystalepitaxy化学气相淀积（CVD）单晶外延）、多晶、非晶（无定型）薄膜半导体、介质、金属薄膜常压化学气相淀积（APCVD），低压CVDLPCVD，等离子体增强淀...
书名:半导体薄膜技术与物理作者：叶志镇吕斌出版社：浙江大学出版社出版时间：2008年09月ISBN:9787308066174开本：16开定价:36.00元编辑本段内容简介《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术...
当今，很多技术的核心之处就在于半导体器件。随着摩尔定律走向极限，十分有必要寻找一种新的方法，将更多的电路封装到单个设备中，以提高设备的计算速度和性能。近日，美国能源部阿贡国家实验室的研究人员开发出…
1半导体技术.半导体制造技术是半导体产业发展的基础，制造技术水平的高低直接影响半导体产品的性能及其发展。.光刻，刻蚀，沉积，扩散，离子注入，热处理和热氧化等都是常用的半导体制造技术[2]。.而光刻技术和薄膜技术是半导体制造技术中最...
本论文研究目的是深入理解氧化物半导体薄膜材料和器件中电荷产生和传输的物理机理，解释工艺中出现的导电性能转变的原因和对应的微观机理，寻找影响薄膜和器件高迁移率的因素和改进方案，指导实际操作。
书名:半导体薄膜技术与物理.作者：叶志镇吕斌.出版社：浙江大学出版社.出版时间：2008年09月.ISBN:9787308066174.开本：16开.定价:36.00元.编辑本段内容简介.《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术及其相关的物理基础。.
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