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110V体硅LDMOS器件研究.利用SILVACOTCAD工艺和器件软件研究了110V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在...
硅光子芯片工艺与设计发展与挑战.doc,硅光子芯片工艺与设计发展与挑战摘要：针对硅光子器件的特殊性提出了与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容的硅光工艺开发的基本原则和关键问题。相比于工艺，硅光在芯片设计的方法和流程方面面临更多的挑战，例如硅光子技术与CMOS工艺兼容…
基于体硅工艺的静电致动微夹持器制作工艺分析.介绍了一种基于体硅工艺的大尺寸、大深宽比梳状静电致动微夹持器的制作工艺。.对微夹持器制作中的关键工艺进行分析,重点分析ICP蚀刻工艺的蚀刻时间对结构的影响,总结导致器件失效的原因,探讨了减少失效的...
硅基载流子注入型全内反射光波导开关的研究,集成光学,硅基CMOS工艺,全内反射光开关,热光效应。光开关是光交换等系统中的关键器件。长期以来,人们提出了很多制作光开关的方法。其中全内反射光开关,以其数字响应、波长偏振...
锗硅HBT器件的低温直流特性研究.2011年11月第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议中国三亚锗硅HBT器件的低温直流特性研究（清华大学微电子学研究所，北京100084）摘要：研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。.与硅器件相比，锗硅器件在...
硅微电子技术物理极限的挑战,硅微电子技术,CMOS,基本物理极限,实际物理限制,量子电子器件。本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高,所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望,并从...
1.4研究内容及论文框架本论文围绕硅基亚波长结构光子器件的反向优化设计展开，致力于解决优化算法与器件结构在数值计算开销与工艺制造难度方面带来的一系列问题。论文提出了一种高效的可用于硅基亚波长结构光子器件反向优化...
MRM光器件本身呈电容性负载，便于深亚微米CMOS工艺下与数字电路的集成，是最有可能实现光电单片集成的方案之一。然而长期以来，国内惯性思维认为该方案波长稳定问题难以跨越，距离实用化遥遥无期，也不愿投入过多精力开展研究；而已开展的研究多集中于单独微环光器件的优化，与电路集…
期刊/会议论文>硅基波导光栅耦合器件的研究分类号O438学号09020034UDC000密级理学硕士学位论文硅基波导光栅耦合器件的研究硕士生姓名国防科学技术大学研究生院二〇一一年十月论文书脊（此页只是书脊样式，学位论文不需要印刷本页...
论文中的研究成果，均基于国产硅基工艺流片，电子科技大学为唯一单位。在2020年5月刊出的IEEEJSSC上，该团队钱慧珍博士发表了题为“A20-32-GHzquadraturedigitaltransmitterusingsynthesizedimpedancevariationcompensation”的期刊论文，钱慧珍、罗讯为共同通讯作者。
110V体硅LDMOS器件研究.利用SILVACOTCAD工艺和器件软件研究了110V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在...
硅光子芯片工艺与设计发展与挑战.doc,硅光子芯片工艺与设计发展与挑战摘要：针对硅光子器件的特殊性提出了与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容的硅光工艺开发的基本原则和关键问题。相比于工艺，硅光在芯片设计的方法和流程方面面临更多的挑战，例如硅光子技术与CMOS工艺兼容…
基于体硅工艺的静电致动微夹持器制作工艺分析.介绍了一种基于体硅工艺的大尺寸、大深宽比梳状静电致动微夹持器的制作工艺。.对微夹持器制作中的关键工艺进行分析,重点分析ICP蚀刻工艺的蚀刻时间对结构的影响,总结导致器件失效的原因,探讨了减少失效的...
硅基载流子注入型全内反射光波导开关的研究,集成光学,硅基CMOS工艺,全内反射光开关,热光效应。光开关是光交换等系统中的关键器件。长期以来,人们提出了很多制作光开关的方法。其中全内反射光开关,以其数字响应、波长偏振...
锗硅HBT器件的低温直流特性研究.2011年11月第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议中国三亚锗硅HBT器件的低温直流特性研究（清华大学微电子学研究所，北京100084）摘要：研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。.与硅器件相比，锗硅器件在...
硅微电子技术物理极限的挑战,硅微电子技术,CMOS,基本物理极限,实际物理限制,量子电子器件。本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高,所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望,并从...
1.4研究内容及论文框架本论文围绕硅基亚波长结构光子器件的反向优化设计展开，致力于解决优化算法与器件结构在数值计算开销与工艺制造难度方面带来的一系列问题。论文提出了一种高效的可用于硅基亚波长结构光子器件反向优化...
MRM光器件本身呈电容性负载，便于深亚微米CMOS工艺下与数字电路的集成，是最有可能实现光电单片集成的方案之一。然而长期以来，国内惯性思维认为该方案波长稳定问题难以跨越，距离实用化遥遥无期，也不愿投入过多精力开展研究；而已开展的研究多集中于单独微环光器件的优化，与电路集…
期刊/会议论文>硅基波导光栅耦合器件的研究分类号O438学号09020034UDC000密级理学硕士学位论文硅基波导光栅耦合器件的研究硕士生姓名国防科学技术大学研究生院二〇一一年十月论文书脊（此页只是书脊样式，学位论文不需要印刷本页...
论文中的研究成果，均基于国产硅基工艺流片，电子科技大学为唯一单位。在2020年5月刊出的IEEEJSSC上，该团队钱慧珍博士发表了题为“A20-32-GHzquadraturedigitaltransmitterusingsynthesizedimpedancevariationcompensation”的期刊论文，钱慧珍、罗讯为共同通讯作者。
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