电子元器件工艺成熟度评估,能有效识别电子元器件制造工艺中的各种风险,及时了解产品工艺的行业水平,有助于企业找出工艺控制能力的薄弱环节及对工艺投资的决策,也可借鉴同行业的经验和各评定专家的意见,改进及提升本单位的工艺水平。.制造成熟...
电子元器件工艺成熟度评价探讨.doc,电子元器件工艺成熟度评价研究摘要通过对电子元器件工艺成熟度评价技术的研究,探索一种可行的评估电子元器件工艺成熟度的方法。首先,介绍了成熟度概念发展过程,然后,通过学习国外制造成熟度评价技术,对电子元器件工艺成熟度评价方法进行了研究...
那么,在哪能够查到跟半导体工艺和器件的相关的文献呢?尤其是半导体生产商的同行们发表的跟芯片生产高度相关的文献。读博读研的时候,webofscience可谓是大杀器,学术界每年也都有数量庞大的前沿探索型研究问世,但是,相信我,99.9%的从webofscience搜出的前沿文献对你在工作中遭遇…
第1章半导体工艺及器件工具SentaurusTCAD.SentaurusTCAD2/117Sentaurus简介SentaurusTCAD全面继承了Tsuprem4,Medici和ISE-TCAD的特点和优势,它可以用来模拟集成器件的工艺制程,器件物理特性和互连线特性等。.SentaurusTCAD提供全面的产品套件,其中包括…
来源:可靠性技术交流一、元器件概述1、元器件的定义与分类定义:欧洲空间局ESA标准中的定义:完成某一电子、电气和机电功能,并由一个或几个部分构成而且一般不能被分解或不会破坏的某个装置。GJB4027-2000《军…
1.TCAD简介1.1.什么是TCAD随着微电子技术的发展,半导体工艺水平和器件性能不断提升,这其中半导体工艺和器件软件TCAD(TechnologyComputerAidedDesign)的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上…
听说不少学校的IC器件挂虚名,干的是工艺和材料的活啊。那读IC器件研究生怎么选学校去读真正的器件呢?请…
随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不断缩小,MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应(ShortChannelEffect-SCE),…
现代IC制造工艺下离子注入技术的研究ResearchofIonImplantationTechnologyinModernICManufacturingProcess学科专业研究生指导教师企业导师集成电路工程夏教授罗登贵经理天津大学电子信息工程学院二零一零年五月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果...
电子科技大学硕士学位论文4.2n型GaN离子注入工艺研究现状在GaN基器件制作中,离子注入作为关键技术之一,主要用于选择区域掺杂,干法刻蚀,欧姆接触,电学隔离等从而实现更好的工艺控制及使器件达到更高的性能。Si是n型GaN注入中最适用的...
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随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不断缩小,MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应(ShortChannelEffect-SCE),…
现代IC制造工艺下离子注入技术的研究ResearchofIonImplantationTechnologyinModernICManufacturingProcess学科专业研究生指导教师企业导师集成电路工程夏教授罗登贵经理天津大学电子信息工程学院二零一零年五月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果...
电子科技大学硕士学位论文4.2n型GaN离子注入工艺研究现状在GaN基器件制作中,离子注入作为关键技术之一,主要用于选择区域掺杂,干法刻蚀,欧姆接触,电学隔离等从而实现更好的工艺控制及使器件达到更高的性能。Si是n型GaN注入中最适用的...