发表服务
基于硅基工艺的毫米波功率放大器的研究与设计-随着1G至4G通信系统的快速发展,sub6GHz射频频段日趋拥挤,又因为毫米波频段具备高数据速率、频谱较为干净等优点,所以催生了许多毫米波频段的应用,例如5G通信的毫米波频段、车载雷达等。由于传统...
然而,新技术的引入都必须与传统的CMOS工艺相兼容,才可能得到工业界的普遍认可和采纳。.所以,本论文重点研究了下一代新器件工艺中的关键技术。.
针对硅纳米线围栅器件突出的栅控能力可以有效抑制短沟效应,本论文重点研究了硅纳米线围栅器件的...
110V体硅LDMOS器件研究.利用SILVACOTCAD工艺和器件软件研究了110V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在...
为了探究GAASNWT的应用潜力，本论文就基于围栅硅纳米线器件（GAASNWT）的静态随机存储器进行了深入的研究。.文章分别针对GAASNWT6管SRAM的性能、器件电路综合优化方法及其优化效果、小尺寸器件涨落对SRAM的影响、GAASNWTSRAM的低功耗特性…
MRM光器件本身呈电容性负载，便于深亚微米CMOS工艺下与数字电路的集成，是最有可能实现光电单片集成的方案之一。然而长期以来，国内惯性思维认为该方案波长稳定问题难以跨越，距离实用化遥遥无期，也不愿投入过多精力开展研究；而已开展的研究多集中于单独微环光器件的优化，与电路集…
该论文提出一种新型的全数字宽频毫米波直接调制全正交发射机芯片，其中的数字化毫米波功率放大器集成整合10-bit数字模拟转换器（mm-wavepower-DAC）。基于国产硅基28nmCMOS射频工艺，完成了从数字基带信号到毫米波频段调制信号的直…
Si是目前大规模用于电子集成技术的材料,在光通信波长范围内具有很好的光透性,同时它具有高折射率,利于实现高折射率差系统结构,适合制作各种结构紧凑的光波导器件,另外其工艺与成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容,便于实现光子、光电子集成。
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.docx,青岛大学本科毕业论文（设计）PAGEPAGE35本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计...
通信用光电子正从分离器件向集成化方向加速发展。传统通信用光器件主要基于III-V族半导体材料研制，近年来在尺寸、成本、功耗以及“与电芯片一体化”等方面面临挑战。硅基光电子集成技术（简称“硅光技术”）是光子集成的重要方向。
PECVD法沉积氮化硅薄膜性质工艺实验研究第38卷，增刊红外与激光工程2009年11Vol.38SupplementInfraredLaserEngineeringNov.2009（北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京100876）摘要：使用新型HQ-3型等离子体增强...
基于硅基工艺的毫米波功率放大器的研究与设计-随着1G至4G通信系统的快速发展,sub6GHz射频频段日趋拥挤,又因为毫米波频段具备高数据速率、频谱较为干净等优点,所以催生了许多毫米波频段的应用,例如5G通信的毫米波频段、车载雷达等。由于传统...
然而,新技术的引入都必须与传统的CMOS工艺相兼容,才可能得到工业界的普遍认可和采纳。.所以,本论文重点研究了下一代新器件工艺中的关键技术。.
针对硅纳米线围栅器件突出的栅控能力可以有效抑制短沟效应,本论文重点研究了硅纳米线围栅器件的...
110V体硅LDMOS器件研究.利用SILVACOTCAD工艺和器件软件研究了110V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在...
为了探究GAASNWT的应用潜力，本论文就基于围栅硅纳米线器件（GAASNWT）的静态随机存储器进行了深入的研究。.文章分别针对GAASNWT6管SRAM的性能、器件电路综合优化方法及其优化效果、小尺寸器件涨落对SRAM的影响、GAASNWTSRAM的低功耗特性…
MRM光器件本身呈电容性负载，便于深亚微米CMOS工艺下与数字电路的集成，是最有可能实现光电单片集成的方案之一。然而长期以来，国内惯性思维认为该方案波长稳定问题难以跨越，距离实用化遥遥无期，也不愿投入过多精力开展研究；而已开展的研究多集中于单独微环光器件的优化，与电路集…
该论文提出一种新型的全数字宽频毫米波直接调制全正交发射机芯片，其中的数字化毫米波功率放大器集成整合10-bit数字模拟转换器（mm-wavepower-DAC）。基于国产硅基28nmCMOS射频工艺，完成了从数字基带信号到毫米波频段调制信号的直…
Si是目前大规模用于电子集成技术的材料,在光通信波长范围内具有很好的光透性,同时它具有高折射率,利于实现高折射率差系统结构,适合制作各种结构紧凑的光波导器件,另外其工艺与成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容,便于实现光子、光电子集成。
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.docx,青岛大学本科毕业论文（设计）PAGEPAGE35本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计...
通信用光电子正从分离器件向集成化方向加速发展。传统通信用光器件主要基于III-V族半导体材料研制，近年来在尺寸、成本、功耗以及“与电芯片一体化”等方面面临挑战。硅基光电子集成技术（简称“硅光技术”）是光子集成的重要方向。
PECVD法沉积氮化硅薄膜性质工艺实验研究第38卷，增刊红外与激光工程2009年11Vol.38SupplementInfraredLaserEngineeringNov.2009（北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京100876）摘要：使用新型HQ-3型等离子体增强...
发表服务