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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）授权转载自【haikun01】，作者贾海昆，谢谢！本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业…
基于此，本论文对基于载流子色散效应硅基光子器件的若干问题作了探索研究。.本论文主要贡献在于以下几个方面：（1）建立起电学结构模型，从物理层面上直观反映硅基光子器件电学结构对硅基光子器件光学性能的影响，改进了其分析计算方法，进而...
半导体学报2019年40卷6期——二维材料物理性质与光电器件专刊半导体学报2019年40卷1期——超宽禁带半导体氧化镓材料与器件专刊半导体学报2018年39卷7期——材料基因工程设计专题半导体学报2018年39卷6期——Si基材料与器件专刊
南开大学硕士学位论文利用原子层沉积方法硅基MOS器件研究姓名孟凡杰申请学位级别硕士专业凝聚态物理指导教师孙甲明201205中文摘要中文摘要硅基金属一氧化物一半导体光电器件因其价格低廉、应用广泛等优点具有广阔的应用潜力。
由于硅材料较大的折射率以及介质层的影响,使得器件的光学性质并不十分理想,而通过设计与硅基纳米阵列结构来进行光管理,改善对光的吸收或发光的提取效率是一种有效的提高器件性能的途径。本论文中,我们利用时域有限差分法(Finite-DifferenceTime
半导体器件物理课后习题(施敏)硅的晶体结构是金刚石晶格结构，这种结构也属于面心立方晶体家族，而且可被视为两个相互套构的面心立方副晶格，此两个副晶格偏移的距离为立方体体对角线的1/4（a/4的长度）硅在300K时的晶格常数为5.43，所以硅中最...
论文提出了一种高效的可用于硅基亚波长结构光子器件反向优化设计的数字化伴随法，对其进行理论推导与论证。为验证这种方法在效率上的提升以及可靠性，设计了3-dB功分器、双模式解复用器和粗波分解复用器，对论文的框架描述如下：第一章为绪论。
硅微电子技术物理极限的挑战,硅微电子技术,CMOS,基本物理极限,实际物理限制,量子电子器件。本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高,所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望,并从...
（凝聚态物理专业优秀论文）有机半导体器件的电学性能研究凝聚态物理学（CONDENSEDMATTERPHYSICS）是从微观角度出发，研究由大量粒子（原子、分子、离子、电子）组成的凝聚态的结构、动力学过程及其与宏观物理性质之间的联系的一门学科。凝聚态物理是以固体物理为基础的外向延拓…
新型硅基集成光子器件的研究声明：本人论文均为可编辑的文本格式PDF，绝非垃圾的截图文档，请大家放心下载使用。摘要摘要不断呈现的各种业务需求、飞速发展的光通信技术以及逐步拓宽的应用领域大大促进了集成光子器件的研究与发展。
来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）授权转载自【haikun01】，作者贾海昆，谢谢！本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业…
基于此，本论文对基于载流子色散效应硅基光子器件的若干问题作了探索研究。.本论文主要贡献在于以下几个方面：（1）建立起电学结构模型，从物理层面上直观反映硅基光子器件电学结构对硅基光子器件光学性能的影响，改进了其分析计算方法，进而...
半导体学报2019年40卷6期——二维材料物理性质与光电器件专刊半导体学报2019年40卷1期——超宽禁带半导体氧化镓材料与器件专刊半导体学报2018年39卷7期——材料基因工程设计专题半导体学报2018年39卷6期——Si基材料与器件专刊
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由于硅材料较大的折射率以及介质层的影响,使得器件的光学性质并不十分理想,而通过设计与硅基纳米阵列结构来进行光管理,改善对光的吸收或发光的提取效率是一种有效的提高器件性能的途径。本论文中,我们利用时域有限差分法(Finite-DifferenceTime
半导体器件物理课后习题(施敏)硅的晶体结构是金刚石晶格结构，这种结构也属于面心立方晶体家族，而且可被视为两个相互套构的面心立方副晶格，此两个副晶格偏移的距离为立方体体对角线的1/4（a/4的长度）硅在300K时的晶格常数为5.43，所以硅中最...
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硅微电子技术物理极限的挑战,硅微电子技术,CMOS,基本物理极限,实际物理限制,量子电子器件。本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高,所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望,并从...
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新型硅基集成光子器件的研究声明：本人论文均为可编辑的文本格式PDF，绝非垃圾的截图文档，请大家放心下载使用。摘要摘要不断呈现的各种业务需求、飞速发展的光通信技术以及逐步拓宽的应用领域大大促进了集成光子器件的研究与发展。
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