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天津大学硕士学位论文GaN基HEMT器件的基础研究姓名：刘芳申请学位级别：硕士专业：物理电子学指导教师：王涛20070101中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管（印三MT）因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。
西安电子科技大学硕士学位论文GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究姓名：陆珏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：郝跃20070101摘要宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移...
单位代码：_____硕士学位论文GaN基单晶光电子器件外延生长及其MOCVD设备研究论文2018公开TN364+.210142沈阳工业大学硕士学位论文GaN-basedsingleCrystalOptoelectronicDevicesepitaxialgrowthMetal-organicchemicalvapor...
博士毕业论文—《毫米波GaN基功率器件及MMIC电路研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-14页符号对照表第14-16页缩略语对照表第16-21页第一章绪论
GaN基HEMT器件的基础分析.pdf,中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管(印三MT)因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。而化合物半导体异质结界面二维电子气(2DEG)的浓度及其分布，直接影响基于...
浅析GaN基新型结构HEMT器件.摘要：近些年来，随着时代经济的飞速发展以及科技的进步，GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度，同时也有着较高的击穿场强。.对于GaN基的HEMT器件而言，是实现毫米波功率器件的一种重要选择。.分析GaN基新型结构HEMT...
南京电子器件研究所的薛舫时研究员[20]提出了GaN异质结的表面有一极化吸GaN基HEMTs器件表面态及界面态研究附层，吸附层中形成二维表面态，并建立了相应的表面及表面态及其跃迁过程的理论模型，这种模型很好的解释了器件中的瞬态电流、肖特基势垒...
毫米波GaN基HEMT器件分析-电磁场与微波技术专业论文.docx,万方数据万方数据原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下，进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本学位论文不包含任何他人或集体已经发表的作品内容，也不包含本人为获得其他学位而...
GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究.张恒.【摘要】：自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。.这些Ⅲ族氮化物半导体材料因为所具备的突出的物理、化学性能而被普遍...
GaNHEMT毫米波器件及建模.王庆娜.【摘要】：功率放大器广泛应用于通信系统，其最核心的部分是功率晶体管。.由于GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的高击穿电压和高频性能，成为无线基站及军事应用率放大器具有潜力的器件。.因为GaN基器件的研究历史...
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浅析GaN基新型结构HEMT器件.摘要：近些年来，随着时代经济的飞速发展以及科技的进步，GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度，同时也有着较高的击穿场强。.对于GaN基的HEMT器件而言，是实现毫米波功率器件的一种重要选择。.分析GaN基新型结构HEMT...
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GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究.张恒.【摘要】：自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。.这些Ⅲ族氮化物半导体材料因为所具备的突出的物理、化学性能而被普遍...
GaNHEMT毫米波器件及建模.王庆娜.【摘要】：功率放大器广泛应用于通信系统，其最核心的部分是功率晶体管。.由于GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的高击穿电压和高频性能，成为无线基站及军事应用率放大器具有潜力的器件。.因为GaN基器件的研究历史...
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