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4.ImprovedTechniquesforTrainingGANs.这篇论文的作者之一是IanGoodfellow，它介绍了很多如何构建一个GAN结构的建议，它可以帮助你理解GAN不稳定性的原因，给出很多稳定训练DCGANs的建议，比如特征匹配(featurematching)、最小批次判别(minibatchdiscrimination)、单边...
本文首先介绍了GaN器件的发展与现状,并对其特性与优势进行总结,选取LLC谐振变换器作为增强型GaN器件应用特性的研究拓扑：其次研究了增强型GaN晶体管的静态特性与动态特性,与MOSFET进行对比分析,并对增强型GaN晶体管进行了特性测试;然后理论分析了杂散参数对...
原标题：【学术论文】GaNFET的结构、驱动及应用综述.随着电力电子装置的小型化和轻量化，宽禁带半导体器件GaNFET优于Si器件的特性使其在电力电子领域的应用受到广泛关注。.在GaNFET的发展中，其结构和驱动对其安全应用至关重要。.首…
天津大学硕士学位论文GaN基HEMT器件的基础研究姓名：刘芳申请学位级别：硕士专业：物理电子学指导教师：王涛20070101中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管（印三MT）因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。
西安电子科技大学硕士学位论文GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究姓名：陆珏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：郝跃20070101摘要宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移...
1.3论文主要内容及安排本文中，借助于ISETCAD软件的建模和，我们讨论了一些AlGaN/GaNHEMT器件的一些问题，如器件的栅极泄漏电流和可靠性问题，源极电阻的非线性，电制耦合效应等，并针对这些问题对HEMT器件提出了一些优化措施，然后
GaNMOSFET器件的研究-学位论文论文,研究,学位,GaN,学位论文,器件的研究,FET,元器件论文频道豆丁首页社区企业工具创业微案例会议热门频道工作总结作文股票医疗文档分类论文生活休闲外语心理学全部建筑频道建筑文本...
南京电子器件研究所的薛舫时研究员[20]提出了GaN异质结的表面有一极化吸GaN基HEMTs器件表面态及界面态研究附层，吸附层中形成二维表面态，并建立了相应的表面及表面态及其跃迁过程的理论模型，这种模型很好的解释了器件中的瞬态电流、肖特基势垒...
GaNHEMT器件与GaAsPHEMT器件载流子迁移率随Vg变化曲线差异主要源于GaNHEMT器件独有的PCF散射。2.GaNHEMT器件和GaAsPHEMT器件的栅源寄生串联电阻Rs特性对比研究。Rs特性直接决定了器件跨导。根据栅探针(GateProbe)方法测试两者随栅...
GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计.输出功率半导体以其高集成度和低功耗等优点，在电力电子系统中得到了广泛的应用。.gan输出功率场效应晶体管具有开关速度快、击穿输出电压高等优点。.它还需要系统达到高频、高稳定性和可靠性。.它将逐渐取代...
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本文首先介绍了GaN器件的发展与现状,并对其特性与优势进行总结,选取LLC谐振变换器作为增强型GaN器件应用特性的研究拓扑：其次研究了增强型GaN晶体管的静态特性与动态特性,与MOSFET进行对比分析,并对增强型GaN晶体管进行了特性测试;然后理论分析了杂散参数对...
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