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华南师范大学硕士学位论文摘要GaN基发光二极管响应特性研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：苏晨导师姓名：范广涵摘要GaN基LED响应特性为基础催生了诸如：可见光通信技术，商用PMMA光纤光源，以及所产生的高速脉冲光在生化分析、时间分辨率荧光光谱等生物、化学等领域的一系…
中山大学博士学位论文硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长姓名：招瑜申请学位级别：博士专业：光学指导教师：王钢20100430中山大学博士学位论文论文题目：硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长专业：光学博士生：招瑜指导教师：王钢（教授）近年来，作为固体照明的LED光源…
物理学报ActaPhys.Sin.Vol.63,No.6(2014)068103GaN基发光二极管衬底材料的研究进展陈伟超1)2)唐慧丽1)y罗平1)麻尉蔚1)徐晓东1)钱小波1)姜大朋1)吴锋1)王静雅1)徐军1)z1)(中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800)2)(中国科学院大学
摘要:GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件，在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难。.针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易方法的现状，本研究组做出了有意义的富有创新性的工作：提出的宽窄耦合量子...
GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究.!光电子器件和系统!GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究清华大学电子工程系9集成光电子学国家重点联合实验室9北京100084清华大学深圳研究生院半导体照明实验室9广东深圳518057摘要:基于蒙特卡罗方法模拟分析了...
GaN基LED芯片键合工艺研究.佟路.【摘要】：氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)是目前固态照明领域的研究焦点。.产业界通常采用异质外延生长GaN薄膜,普遍采用蓝宝石(Al2O3)作为衬底外延生长GaN薄膜,但晶格失配(13.4%)严重制约GaN薄膜的质量,影响LED的性能。.另外热...
由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度
【摘要】：相比传统半导体硅,III族氮化物半导体氮化镓(GaN)具有宽禁带和直接带隙等优势,特别适合高效短波长发光器件,如蓝色发光二极管(LED),在固态照明等领域具有巨大的应用潜力。但是,在正向大电流注入情况下,传统p型AlGaN电子阻挡层(EBL)结构会降低空穴向有源层的注入效率,导致发光效率随...
编辑推荐：本文研究了不同电子阻挡层对GaN基绿光发光二极管的效率影响。采用常规AlGaN、梯度AlGaN、四元AlGaN和三元AlInN电子阻挡层，对每种器件的性能进行了评价。介绍了器件的载流子输运、辐射复合率、静电场、…
GaN基LED具有发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点，基于LED的半导体照明被认为是最有可能替代传统照明的新型固态冷光源。.超高效率LED芯片研究已成为微纳制造领域一个重要的研究方向，近年来备受研究人员青睐。.进一步提高GaN基LED芯片的发光...
华南师范大学硕士学位论文摘要GaN基发光二极管响应特性研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：苏晨导师姓名：范广涵摘要GaN基LED响应特性为基础催生了诸如：可见光通信技术，商用PMMA光纤光源，以及所产生的高速脉冲光在生化分析、时间分辨率荧光光谱等生物、化学等领域的一系…
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物理学报ActaPhys.Sin.Vol.63,No.6(2014)068103GaN基发光二极管衬底材料的研究进展陈伟超1)2)唐慧丽1)y罗平1)麻尉蔚1)徐晓东1)钱小波1)姜大朋1)吴锋1)王静雅1)徐军1)z1)(中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800)2)(中国科学院大学
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GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究.!光电子器件和系统!GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究清华大学电子工程系9集成光电子学国家重点联合实验室9北京100084清华大学深圳研究生院半导体照明实验室9广东深圳518057摘要:基于蒙特卡罗方法模拟分析了...
GaN基LED芯片键合工艺研究.佟路.【摘要】：氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)是目前固态照明领域的研究焦点。.产业界通常采用异质外延生长GaN薄膜,普遍采用蓝宝石(Al2O3)作为衬底外延生长GaN薄膜,但晶格失配(13.4%)严重制约GaN薄膜的质量,影响LED的性能。.另外热...
由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度
【摘要】：相比传统半导体硅,III族氮化物半导体氮化镓(GaN)具有宽禁带和直接带隙等优势,特别适合高效短波长发光器件,如蓝色发光二极管(LED),在固态照明等领域具有巨大的应用潜力。但是,在正向大电流注入情况下,传统p型AlGaN电子阻挡层(EBL)结构会降低空穴向有源层的注入效率,导致发光效率随...
编辑推荐：本文研究了不同电子阻挡层对GaN基绿光发光二极管的效率影响。采用常规AlGaN、梯度AlGaN、四元AlGaN和三元AlInN电子阻挡层，对每种器件的性能进行了评价。介绍了器件的载流子输运、辐射复合率、静电场、…
GaN基LED具有发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点，基于LED的半导体照明被认为是最有可能替代传统照明的新型固态冷光源。.超高效率LED芯片研究已成为微纳制造领域一个重要的研究方向，近年来备受研究人员青睐。.进一步提高GaN基LED芯片的发光...
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