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原文介绍10篇介绍GANs以及最新进展的论文，跟原文介绍顺序有所不同，我是根据时间顺序，从最开始提出的GANs论文到目前最新的来介绍，这十篇分别如下所示：.GenerativeAdversarialNetworks，2014.ConditionalGANs，2014.DCGAN，2015.…
天津大学硕士学位论文GaN基HEMT器件的基础研究姓名：刘芳申请学位级别：硕士专业：物理电子学指导教师：王涛20070101中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管（印三MT）因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。
GaN基异质结的纵向结构设计主要有势垒层设计和沟道设计两个方面，主要是利用极化效应来实现器件性能的优化。GaN基HEMT器件自诞生以来，器件的性能的稳定性就一直受到电流崩塌效应的危害。图1-2给出了电流崩塌原理示意图。
GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究.张恒.【摘要】：自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。.这些Ⅲ族氮化物半导体材料因为所具备的突出的物理、化学性能而被普遍...
GaN基HEMT器件的基础分析.pdf,中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管(印三MT)因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。而化合物半导体异质结界面二维电子气(2DEG)的浓度及其分布，直接影响基于...
相关会议论文前1条1王蓉;王志功;;20Gb/s52dBΩGaAsPHEMT共源共栅跨阻前置放大器[A];全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议论文集[C];2007年相关硕士学位论文前2条1霍宇;GaNHEMT器件和GaAsPHEMT器件对比特性研究[D];山东大学
Keysight与Focus可以一起向客户提供完整的GaN器件建模解决方案，本文提供了完整的GaN射频功率器件解决方案。文章的主要内容如下：1.GaN技术的发展及应用2.射频器件模型的种类3.实
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
论文写作指导：请加QQ2784176836导读:本论文可用于器件功率论文范文参考下载，器件功率相关论文写作参考研究。湘能华磊光电股份有限公司湖南郴州背景随着经济的增长,人们的日常活动中越来越依赖电子化的数据和设备.这为功率电子产业的...
硅基GaN功率器件缺陷相关可靠性机理研究.【摘要】：因具有高击穿电压、高电子迁移率、高饱和电子速度和高载流子迁移率等优异性能,硅基氮化镓异质结高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaNHighElectronMobilityTransistors,HEMTs)功率器件正成为下一代高效功率电子的强有力...
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GaN基异质结的纵向结构设计主要有势垒层设计和沟道设计两个方面，主要是利用极化效应来实现器件性能的优化。GaN基HEMT器件自诞生以来，器件的性能的稳定性就一直受到电流崩塌效应的危害。图1-2给出了电流崩塌原理示意图。
GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究.张恒.【摘要】：自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。.这些Ⅲ族氮化物半导体材料因为所具备的突出的物理、化学性能而被普遍...
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硅基GaN功率器件缺陷相关可靠性机理研究.【摘要】：因具有高击穿电压、高电子迁移率、高饱和电子速度和高载流子迁移率等优异性能,硅基氮化镓异质结高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaNHighElectronMobilityTransistors,HEMTs)功率器件正成为下一代高效功率电子的强有力...
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