发表服务
天津大学硕士学位论文GaN基HEMT器件的基础研究姓名：刘芳申请学位级别：硕士专业：物理电子学指导教师：王涛20070101中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管（印三MT）因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。
西安电子科技大学硕士学位论文GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究姓名：陆珏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：郝跃20070101摘要宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移...
然而仍然有很多问题制约着GaN基HEMT器件应用和性能的进一步提升。.本论文的工作主要在于研究新结构的AIGaN／GaNHEMT器件，使器件能够获得更好的电学特本论文主要研究工作在于具有纳米沟道阵列的AIGaN／GaNHEMT器件，包括版图设计、工艺流程和电学测试...
GaN基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展1.引言：GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700，GaN具有高的电离度，在—族化合物中是最高的（0.5或0.43）。.在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。.它在一个无胞中有4个原子，原子体积...
博士毕业论文—《毫米波GaN基功率器件及MMIC电路研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-14页符号对照表第14-16页缩略语对照表第16-21页第一章绪论
南京电子器件研究所的薛舫时研究员[20]提出了GaN异质结的表面有一极化吸GaN基HEMTs器件表面态及界面态研究附层，吸附层中形成二维表面态，并建立了相应的表面及表面态及其跃迁过程的理论模型，这种模型很好的解释了器件中的瞬态电流、肖特基势垒...
GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究.张恒.【摘要】：自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。.这些Ⅲ族氮化物半导体材料因为所具备的突出的物理、化学性能而被普遍...
本文选题：氮化镓+异质结；参考：《西安邮电大学》2017年硕士论文[Abstract]:Sincegalliumnitride(GaN)basedmaterialshavelargebandgap,highelectronsaturationdriftspeed,highpressureresistanceandradiationresistance,itiseasytoformheterostructures,withhightwo-dimensionalelectrongas(2DEG)concentrationproducedbylargespontaneousand...
博士毕业论文—《基于微纳结构的GaN基材料生长及探测器研究》摘要第1-6页Abstract第6-16页第1章绪论第16-46页1.1课题研究背景第16-18页1.2GaN基材料结构参数及材料特性
锂离子电池在能源存储领域具有极为广泛的应用前景。近年来,金属氮化物在电化学储能方面的应用受到越来越多的重视。作为第三代半导体材料,氮化镓（GaN）的应用目前主要集中在发光器件、激光探测及极端条件电子器件等军事领域。虽然GaN具有良好的物理和化学稳定性,但是由
天津大学硕士学位论文GaN基HEMT器件的基础研究姓名：刘芳申请学位级别：硕士专业：物理电子学指导教师：王涛20070101中文摘要随着高频无线通讯产业的发展，高电子迁移率晶体管（印三MT）因为其低噪声、高功率等特点，在通讯产业中占有越来越重要的地位。
西安电子科技大学硕士学位论文GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究姓名：陆珏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：郝跃20070101摘要宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移...
然而仍然有很多问题制约着GaN基HEMT器件应用和性能的进一步提升。.本论文的工作主要在于研究新结构的AIGaN／GaNHEMT器件，使器件能够获得更好的电学特本论文主要研究工作在于具有纳米沟道阵列的AIGaN／GaNHEMT器件，包括版图设计、工艺流程和电学测试...
GaN基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展1.引言：GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700，GaN具有高的电离度，在—族化合物中是最高的（0.5或0.43）。.在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。.它在一个无胞中有4个原子，原子体积...
博士毕业论文—《毫米波GaN基功率器件及MMIC电路研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-14页符号对照表第14-16页缩略语对照表第16-21页第一章绪论
南京电子器件研究所的薛舫时研究员[20]提出了GaN异质结的表面有一极化吸GaN基HEMTs器件表面态及界面态研究附层，吸附层中形成二维表面态，并建立了相应的表面及表面态及其跃迁过程的理论模型，这种模型很好的解释了器件中的瞬态电流、肖特基势垒...
GaN基Ⅲ族氮化物外延生长及相关器件的研究.张恒.【摘要】：自2000年以来,以氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为主的Ⅲ族氮化物半导体异质结构及相关电子器件得到了快速发展。.这些Ⅲ族氮化物半导体材料因为所具备的突出的物理、化学性能而被普遍...
本文选题：氮化镓+异质结；参考：《西安邮电大学》2017年硕士论文[Abstract]:Sincegalliumnitride(GaN)basedmaterialshavelargebandgap,highelectronsaturationdriftspeed,highpressureresistanceandradiationresistance,itiseasytoformheterostructures,withhightwo-dimensionalelectrongas(2DEG)concentrationproducedbylargespontaneousand...
博士毕业论文—《基于微纳结构的GaN基材料生长及探测器研究》摘要第1-6页Abstract第6-16页第1章绪论第16-46页1.1课题研究背景第16-18页1.2GaN基材料结构参数及材料特性
锂离子电池在能源存储领域具有极为广泛的应用前景。近年来,金属氮化物在电化学储能方面的应用受到越来越多的重视。作为第三代半导体材料,氮化镓（GaN）的应用目前主要集中在发光器件、激光探测及极端条件电子器件等军事领域。虽然GaN具有良好的物理和化学稳定性,但是由
发表服务