发表服务
FinFET工艺论文..doc,微电子前沿（4）姓名：学号：签名：微电子前沿-----FinFET技术引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程...
FinFET器件结构发展综述所属分类：技术论文上传者：aetmagazine文档大小：746K标签：场效应晶体管FinFET器件结构所需积分：0分积分不够怎么办？文档介绍：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的...
FinFET器件的自热效应及其建模研究.郑嘉宸.【摘要】：与平面MOSFET相比,FinFET器件的3D结构散热有限,由于FinFET其Fin的结构而具有较差的散热条件,新型的沟道材料也会降低热导率。.因此,自热效应在FinFET中比在平面技术中更明显。.在电路应用中,器件温度的上升...
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了.1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。.而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。.真空管的发明是电子工业发展的重要动力...
由于优异的器件性能，FinFET已经成为当前的主流逻辑工艺，台积电和三星等公司已经量产了7nmFinFET，并且已经朝着更小的器件尺寸进发了。然而由于器件尺寸的微缩，以及FinFET的3D漏源结构，其漏源的寄生电容电阻越来越不可忽视且复杂。在...
中国半导体工艺落后国际大厂谈突破先了解FinFET和胡正明-日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOIFinFET上实现了全...
新型GaN基FinFET研究.王鑫.【摘要】：氮化镓(GaN)因其具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和速度快等优点,被广泛应用于微波器件、功率器件以及GaN数字电路等领域。.近年来,众多专家学者对GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)的材料和物理特性做了很多深入研究,但...
本论文针对n型Ino．53Gao．47AsFinFET的导电模型展开研究。论文第一章介绍了国际上半导体器件的发展趋势以及三栅场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的研究历史、发展现状和存在的问题。
硕士论文开题报告—《FINFET器件特性与NBTI效应研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-12页符号对照表第12-14页缩略语对照表第14-18页第一章绪论
FinFETSRAM辐射效应建模研究作者姓名学校导师姓名、职称吴振宇副教授软件工程企业导师姓名、职称付永朝高工申请学位类别工程硕士提交学位论文日期2015年1月107011211122899TN4公开西安电子科技大学硕士学位论文FinFET...
FinFET工艺论文..doc,微电子前沿（4）姓名：学号：签名：微电子前沿-----FinFET技术引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程...
FinFET器件结构发展综述所属分类：技术论文上传者：aetmagazine文档大小：746K标签：场效应晶体管FinFET器件结构所需积分：0分积分不够怎么办？文档介绍：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的...
FinFET器件的自热效应及其建模研究.郑嘉宸.【摘要】：与平面MOSFET相比,FinFET器件的3D结构散热有限,由于FinFET其Fin的结构而具有较差的散热条件,新型的沟道材料也会降低热导率。.因此,自热效应在FinFET中比在平面技术中更明显。.在电路应用中,器件温度的上升...
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了.1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。.而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。.真空管的发明是电子工业发展的重要动力...
由于优异的器件性能，FinFET已经成为当前的主流逻辑工艺，台积电和三星等公司已经量产了7nmFinFET，并且已经朝着更小的器件尺寸进发了。然而由于器件尺寸的微缩，以及FinFET的3D漏源结构，其漏源的寄生电容电阻越来越不可忽视且复杂。在...
中国半导体工艺落后国际大厂谈突破先了解FinFET和胡正明-日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOIFinFET上实现了全...
新型GaN基FinFET研究.王鑫.【摘要】：氮化镓(GaN)因其具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和速度快等优点,被广泛应用于微波器件、功率器件以及GaN数字电路等领域。.近年来,众多专家学者对GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)的材料和物理特性做了很多深入研究,但...
本论文针对n型Ino．53Gao．47AsFinFET的导电模型展开研究。论文第一章介绍了国际上半导体器件的发展趋势以及三栅场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的研究历史、发展现状和存在的问题。
硕士论文开题报告—《FINFET器件特性与NBTI效应研究》摘要第1-7页ABSTRACT第7-12页符号对照表第12-14页缩略语对照表第14-18页第一章绪论
FinFETSRAM辐射效应建模研究作者姓名学校导师姓名、职称吴振宇副教授软件工程企业导师姓名、职称付永朝高工申请学位类别工程硕士提交学位论文日期2015年1月107011211122899TN4公开西安电子科技大学硕士学位论文FinFET...
发表服务