发表服务
FinFET器件结构发展综述.2021年电子技术应用第1期.熊倩1，马奎1，2，杨发顺1，2.1.贵州大学大数据与信息工程学院，贵州贵阳550025；2.半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心，贵州贵阳550025.摘要：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小...
FinFET器件结构发展综述所属分类：技术论文上传者：aetmagazine文档大小：746K标签：场效应晶体管FinFET器件结构所需积分：0分积分不够怎么办？文档介绍：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的...
基于FinFET的SRAM结构研究.朱国权.【摘要】：随着集成电路工艺逐渐缩小,在提高晶体管速度的同时也并行出现了一个很严重的问题,即短沟道效应。.由于短沟道效应的影响,当晶体管缩减到纳米制程时,泄漏功耗不仅不减小,反而会持续增加。.当前流行的FinFET结构...
FinFET工艺论文..doc,微电子前沿（4）姓名：学号：签名：微电子前沿-----FinFET技术引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程...
FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。（共7页)
最后简单的介绍了进一步改善三栅FinFET短沟道效应的方法，包括抬起源漏结构（三栅RSDFinFET）以及源漏非对称掺杂结构（三栅ADFinFET）。第五章对论文的内容进行了概括总结，同时对二栅FinFET器件的应用进行了展望。
本论文利用软件SentaurusTCAD对无结FinFET器件进行了三维电学特性研究,并进一步深入研究了结构参数对器件性能的影响。结果显示,无结FinFET器件与相同条件下的传统反型FinFET器件相比,DIBL(DrainInducedBarrierLowing)值降低了50%,亚阈值斜率也降低了13%,证明无结FinFET器件抑制短沟道效应的能力...
这两种结构的主要结构都是薄体，因此栅极电容更接近整个通道，本体很薄，大约在10nm以下。所以没有离栅极很远的泄漏路径。栅极可有效控制泄漏。他们提出的FinFET的基本结构是由多个通道控制的通道。双栅极结构之一如图8所示。
PMOS+FINFET关键技术研究.pdf,摘要摘要随着微电子技术的迅速发展，器件的尺寸越来越接近物理极限，为了延续摩尔定律，人们不断探索新工艺、新方法、新材料、新结构，其中FINFET结构能够有效地抑止短沟道效应、具有更高的电流驱动能力和...
FinFET器件结构发展综述.2021年电子技术应用第1期.熊倩1，马奎1，2，杨发顺1，2.1.贵州大学大数据与信息工程学院，贵州贵阳550025；2.半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心，贵州贵阳550025.摘要：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小...
FinFET器件结构发展综述所属分类：技术论文上传者：aetmagazine文档大小：746K标签：场效应晶体管FinFET器件结构所需积分：0分积分不够怎么办？文档介绍：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的...
基于FinFET的SRAM结构研究.朱国权.【摘要】：随着集成电路工艺逐渐缩小,在提高晶体管速度的同时也并行出现了一个很严重的问题,即短沟道效应。.由于短沟道效应的影响,当晶体管缩减到纳米制程时,泄漏功耗不仅不减小,反而会持续增加。.当前流行的FinFET结构...
FinFET工艺论文..doc,微电子前沿（4）姓名：学号：签名：微电子前沿-----FinFET技术引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程...
FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。（共7页)
最后简单的介绍了进一步改善三栅FinFET短沟道效应的方法，包括抬起源漏结构（三栅RSDFinFET）以及源漏非对称掺杂结构（三栅ADFinFET）。第五章对论文的内容进行了概括总结，同时对二栅FinFET器件的应用进行了展望。
本论文利用软件SentaurusTCAD对无结FinFET器件进行了三维电学特性研究,并进一步深入研究了结构参数对器件性能的影响。结果显示,无结FinFET器件与相同条件下的传统反型FinFET器件相比,DIBL(DrainInducedBarrierLowing)值降低了50%,亚阈值斜率也降低了13%,证明无结FinFET器件抑制短沟道效应的能力...
这两种结构的主要结构都是薄体，因此栅极电容更接近整个通道，本体很薄，大约在10nm以下。所以没有离栅极很远的泄漏路径。栅极可有效控制泄漏。他们提出的FinFET的基本结构是由多个通道控制的通道。双栅极结构之一如图8所示。
PMOS+FINFET关键技术研究.pdf,摘要摘要随着微电子技术的迅速发展，器件的尺寸越来越接近物理极限，为了延续摩尔定律，人们不断探索新工艺、新方法、新材料、新结构，其中FINFET结构能够有效地抑止短沟道效应、具有更高的电流驱动能力和...
发表服务