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FinFET工艺论文..doc,微电子前沿（4）姓名：学号：签名：微电子前沿-----FinFET技术引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程...
本论文通过使用流程化设计软件和后端设计的EDA工具完成了,一款基于FINFET工艺的加速处理器中,位于显示核心区域的模块后端物理设计。论文通过对硬核不同布放的版图的标准单元端口热点图以及布局后得到的有关利用率、拥塞程度和时序预估的数据,最终得出了模块版图的硬核布放方案。
金林;王菲菲;;FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响[J];半导体技术;2016年07期中国博士学位论文全文数据库前2条1于俊庭;体硅FinFET器件单粒子瞬态若干关键影响因素研究[D];国防科学技术大学;2017年2;氢热处理优化FinFET沟道表面研究...
FinFET器件结构发展综述所属分类：技术论文上传者：aetmagazine文档大小：746K标签：场效应晶体管FinFET器件结构所需积分：0分积分不够怎么办？文档介绍：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的...
中国半导体工艺落后国际大厂谈突破先了解FinFET和胡正明-日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOIFinFET上实现了全...
半导体发展至今，无论是从结构和技术多方面都发生了很多的改进，如同GordonE.Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到现在的...
由于优异的器件性能，FinFET已经成为当前的主流逻辑工艺，台积电和三星等公司已经量产了7nmFinFET，并且已经朝着更小的器件尺寸进发了。然而由于器件尺寸的微缩，以及FinFET的3D漏源结构，其漏源的寄生电容电阻越来越不可忽视且复杂。在...
随着更先进工艺的芯片陆续进入工业和汽车领域应用，芯片制造商们正在努力解决新工艺下的先进芯片的可靠性问题，诸如EOS，ESD以及其他一些与电力相关的问题，由于汽车和工业部门对电路的可靠性有着非常严格的要求，制造商必须重新审视先进工艺制造的芯片潜在的有可能影响器件长期使用可…
半导体工艺发展到现在，包括7nm、5nm、3nm，甚至以后的1nm，都离不开FinFET工艺。上述视频中，FinFET工艺发明人胡正明教授，也是梁孟松的博士论文指导教授。换句话说，梁孟松是这个技术的核心人物之一，他离开台积电加入三星之后，目前任职中芯
FinFET工艺由于其自身结构的特点,与相同工艺节点下的平面工艺相比,敏感面积更小,抗单粒子翻转能力更好。从整体趋势来看,随着工艺节点的减小,FinFET工艺的本征抗总剂量能力较为可观,而本征抗单粒子翻转能力较差。
FinFET工艺论文..doc,微电子前沿（4）姓名：学号：签名：微电子前沿-----FinFET技术引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程...
本论文通过使用流程化设计软件和后端设计的EDA工具完成了,一款基于FINFET工艺的加速处理器中,位于显示核心区域的模块后端物理设计。论文通过对硬核不同布放的版图的标准单元端口热点图以及布局后得到的有关利用率、拥塞程度和时序预估的数据,最终得出了模块版图的硬核布放方案。
金林;王菲菲;;FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响[J];半导体技术;2016年07期中国博士学位论文全文数据库前2条1于俊庭;体硅FinFET器件单粒子瞬态若干关键影响因素研究[D];国防科学技术大学;2017年2;氢热处理优化FinFET沟道表面研究...
FinFET器件结构发展综述所属分类：技术论文上传者：aetmagazine文档大小：746K标签：场效应晶体管FinFET器件结构所需积分：0分积分不够怎么办？文档介绍：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的...
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随着更先进工艺的芯片陆续进入工业和汽车领域应用，芯片制造商们正在努力解决新工艺下的先进芯片的可靠性问题，诸如EOS，ESD以及其他一些与电力相关的问题，由于汽车和工业部门对电路的可靠性有着非常严格的要求，制造商必须重新审视先进工艺制造的芯片潜在的有可能影响器件长期使用可…
半导体工艺发展到现在，包括7nm、5nm、3nm，甚至以后的1nm，都离不开FinFET工艺。上述视频中，FinFET工艺发明人胡正明教授，也是梁孟松的博士论文指导教授。换句话说，梁孟松是这个技术的核心人物之一，他离开台积电加入三星之后，目前任职中芯
FinFET工艺由于其自身结构的特点,与相同工艺节点下的平面工艺相比,敏感面积更小,抗单粒子翻转能力更好。从整体趋势来看,随着工艺节点的减小,FinFET工艺的本征抗总剂量能力较为可观,而本征抗单粒子翻转能力较差。
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