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FinFET工艺论文..doc,微电子前沿（4）姓名：学号：签名：微电子前沿-----FinFET技术引言：2015年，这是一个FinFET的时代，FinFET器件纷纷进入移动市场，苹果，三星，华为纷纷推出自己的使用了FinFET工艺的芯片。在16nm以及14nm制程...
绝缘体上硅衬底FinFET专利技术概述.摘要:（国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心湖北武汉430000）下载论文网摘要：由于智能电子技术的不断发展，采用传统晶体管的摩尔定律已经走到极限，人们迫切需要新一代半导体技术来进一步减小器件尺寸。.一...
14纳米及其以下的Finfet工艺概述和瓶颈分析.李丽.【摘要】：半导体器件的性能要求越来越高,在14nm以及其以下工艺节点中,鳍式场效应管(FinField–EffectTransistor,FinFET)因为先进的性能,成为高端SOC(systemonchip)的必然趋势,本文将介绍Finfet技术的发展现状以及其技术...
摘要：.在先进工艺节点下，鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺相对于平面技术提供了在功耗、性能与面积上的优势。.但相对地，FinFET也会引起局部晶体管电流密度的骤增的问题，这也意味着信号线和电源地网络的金属电迁移可靠性会受到更大的冲击。.随着FinFET的...
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了.1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。.而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。.真空管的发明是电子工业发展的重要动力...
摘要第1-6页ABSTRACT第6-9页第1章绪论第9-14页1.1研究背景及意义第9-11页1.2MOS器件的发展和FinFET第11-13页1.3论文的结构和内容第13-14页第2章FinFET器件概述及其自热效应
期刊论文[1]FINFET技术[J].朱范婷.数字技术与应用.2014(01)[2]深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析[J].王洪涛,王茺,李亮,胡伟达,周庆,杨宇.功能材料.2009(05)硕士论文[1]CMOS晶体管毫米波大信号模型研究[D].王秋平.电子科技大学
1.2MOS器件的发展和FinFET第11-13页1.3论文的结构和内容第13-14页第2章FinFET器件概述及其自热效应第14-19页2.1FinFET器件第14-16页2.1.1FinFET器件的结构和工作机理第14页2.1.2FinFET器件的制造和工艺第14-16
TCAD模拟结果表明,与位于晶体管长链中部的FinFET相比,的FinFET在沟道内产生的应力更弱[12]。这种应力直接影响PMOSFinFET的迁移率。3栅极间距效应
FET概述&类型摘要场效应管规格交界处、场效应管JFET场效应管双栅MOSFET功率MOSFETVMOSUMOSTrenchMOSGaAs场效应晶体管/MESFETHEMT/PHEMTFinFET场效应晶体…
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绝缘体上硅衬底FinFET专利技术概述.摘要:（国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心湖北武汉430000）下载论文网摘要：由于智能电子技术的不断发展，采用传统晶体管的摩尔定律已经走到极限，人们迫切需要新一代半导体技术来进一步减小器件尺寸。.一...
14纳米及其以下的Finfet工艺概述和瓶颈分析.李丽.【摘要】：半导体器件的性能要求越来越高,在14nm以及其以下工艺节点中,鳍式场效应管(FinField–EffectTransistor,FinFET)因为先进的性能,成为高端SOC(systemonchip)的必然趋势,本文将介绍Finfet技术的发展现状以及其技术...
摘要：.在先进工艺节点下，鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺相对于平面技术提供了在功耗、性能与面积上的优势。.但相对地，FinFET也会引起局部晶体管电流密度的骤增的问题，这也意味着信号线和电源地网络的金属电迁移可靠性会受到更大的冲击。.随着FinFET的...
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了.1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。.而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。.真空管的发明是电子工业发展的重要动力...
摘要第1-6页ABSTRACT第6-9页第1章绪论第9-14页1.1研究背景及意义第9-11页1.2MOS器件的发展和FinFET第11-13页1.3论文的结构和内容第13-14页第2章FinFET器件概述及其自热效应
期刊论文[1]FINFET技术[J].朱范婷.数字技术与应用.2014(01)[2]深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析[J].王洪涛,王茺,李亮,胡伟达,周庆,杨宇.功能材料.2009(05)硕士论文[1]CMOS晶体管毫米波大信号模型研究[D].王秋平.电子科技大学
1.2MOS器件的发展和FinFET第11-13页1.3论文的结构和内容第13-14页第2章FinFET器件概述及其自热效应第14-19页2.1FinFET器件第14-16页2.1.1FinFET器件的结构和工作机理第14页2.1.2FinFET器件的制造和工艺第14-16
TCAD模拟结果表明,与位于晶体管长链中部的FinFET相比,的FinFET在沟道内产生的应力更弱[12]。这种应力直接影响PMOSFinFET的迁移率。3栅极间距效应
FET概述&类型摘要场效应管规格交界处、场效应管JFET场效应管双栅MOSFET功率MOSFETVMOSUMOSTrenchMOSGaAs场效应晶体管/MESFETHEMT/PHEMTFinFET场效应晶体…
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