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中国硕士学位论文全文数据库.前10条.1.张绪强;基于FinFET器件的逻辑电路设计[D];宁波大学;2017年.2.申雅茹;应用于大功率IGBT器件的热瞬态测试技术算法及软件实现[D];华北电力大学(北京);2018年.3.陈建文;含银硫系化合物忆阻器的热特性及其阻变机理研究[D...
基于FinFET的设计机遇与挑战.pdf,WhitePaper基于FinFET的设计:机遇与挑战2012年9月作者前言在双重图形和其它先进光刻技术的帮助下，CMOS技术继续向20纳米（nm）及更小的尺寸迈进。但是，凭借其卓越的特JamilKawa性，FinFET正在替代...
FinFET器件结构发展综述所属分类：技术论文上传者：aetmagazine文档大小：746K标签：场效应晶体管FinFET器件结构所需积分：0分积分不够怎么办？文档介绍：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的...
半导体行业目前面临集成电路（IC）制造方法的巨大变革，这一变革旨在不断提高IC的性能和密度，可能会对设计方法产生影响。晶圆代工厂家目前正准备根据finFET概念加强使用三维晶体管结构的14nm和16nm工艺，因为相比较20nm的平面型晶体管，它们可以提供更高的性能。
到这里，我们差不多可以做个总结了：.1）FinFET对于数字电路和低频模拟电路加成明显；.2）对于毫米波电路，FinFET晶体管的性能指标接近最后一代平面工艺，略有不如，但能量效率高一些；.3）单晶体管的性能只是毫米波电路设计中的一小部分，还有一些本文...
该论文展示了一个基于动态锁存器和混合TFET与FinFET器件的levelshifter电路设计。该电路结构可实现50mV到1.2V的电压转换，并在功耗延时及性能方面实现了明显的提升，显示了新器件TFET在低压电路设计中的优势。陈开泉就他的论文
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了.1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。.而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。.真空管的发明是电子工业发展的重要动力...
FinFETSRAM辐射效应建模研究作者姓名学校导师姓名、职称吴振宇副教授软件工程企业导师姓名、职称付永朝高工申请学位类别工程硕士提交学位论文日期2015年1月107011211122899TN4公开西安电子科技大学硕士学位论文FinFET...
花了比较大的篇幅分析如何利用电路结构来减少工艺漂移对电路的影响（主要是Corner）.2.ASubthresholdVoltageReferenceWithScalableOutputVoltageforLow-PowerIoTSystems.这一篇只用了几个晶体管，但我没复现出来（.3.AnAll-MOSFETSub-1-VVoltageReferenceWitha-51…
在以前的理论论文中也提及过类似于FinFET的概念。然而，胡正明及其团队真实地做出了可生产的器件，并展示了如何设计将晶体管缩小至25纳米甚至更小。“其他读过论文的人不认为这是一个解决方案，因为制作的难度非常大，也许可行，也许行不通。
中国硕士学位论文全文数据库.前10条.1.张绪强;基于FinFET器件的逻辑电路设计[D];宁波大学;2017年.2.申雅茹;应用于大功率IGBT器件的热瞬态测试技术算法及软件实现[D];华北电力大学(北京);2018年.3.陈建文;含银硫系化合物忆阻器的热特性及其阻变机理研究[D...
基于FinFET的设计机遇与挑战.pdf,WhitePaper基于FinFET的设计:机遇与挑战2012年9月作者前言在双重图形和其它先进光刻技术的帮助下，CMOS技术继续向20纳米（nm）及更小的尺寸迈进。但是，凭借其卓越的特JamilKawa性，FinFET正在替代...
FinFET器件结构发展综述所属分类：技术论文上传者：aetmagazine文档大小：746K标签：场效应晶体管FinFET器件结构所需积分：0分积分不够怎么办？文档介绍：随着集成电路技术日新月异的发展，器件尺寸不断缩小，当场效应晶体管沟道缩短至22nm以后，传统平面场效应晶体管不再满足发展的...
半导体行业目前面临集成电路（IC）制造方法的巨大变革，这一变革旨在不断提高IC的性能和密度，可能会对设计方法产生影响。晶圆代工厂家目前正准备根据finFET概念加强使用三维晶体管结构的14nm和16nm工艺，因为相比较20nm的平面型晶体管，它们可以提供更高的性能。
到这里，我们差不多可以做个总结了：.1）FinFET对于数字电路和低频模拟电路加成明显；.2）对于毫米波电路，FinFET晶体管的性能指标接近最后一代平面工艺，略有不如，但能量效率高一些；.3）单晶体管的性能只是毫米波电路设计中的一小部分，还有一些本文...
该论文展示了一个基于动态锁存器和混合TFET与FinFET器件的levelshifter电路设计。该电路结构可实现50mV到1.2V的电压转换，并在功耗延时及性能方面实现了明显的提升，显示了新器件TFET在低压电路设计中的优势。陈开泉就他的论文
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了.1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。.而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。.真空管的发明是电子工业发展的重要动力...
FinFETSRAM辐射效应建模研究作者姓名学校导师姓名、职称吴振宇副教授软件工程企业导师姓名、职称付永朝高工申请学位类别工程硕士提交学位论文日期2015年1月107011211122899TN4公开西安电子科技大学硕士学位论文FinFET...
花了比较大的篇幅分析如何利用电路结构来减少工艺漂移对电路的影响（主要是Corner）.2.ASubthresholdVoltageReferenceWithScalableOutputVoltageforLow-PowerIoTSystems.这一篇只用了几个晶体管，但我没复现出来（.3.AnAll-MOSFETSub-1-VVoltageReferenceWitha-51…
在以前的理论论文中也提及过类似于FinFET的概念。然而，胡正明及其团队真实地做出了可生产的器件，并展示了如何设计将晶体管缩小至25纳米甚至更小。“其他读过论文的人不认为这是一个解决方案，因为制作的难度非常大，也许可行，也许行不通。
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