发布时间：
由于光刻技术的水平直接决定芯片制造工艺和性能的水平，光刻已成为集成电路制造中最复杂、最关键的工艺步骤。光刻机是光刻技术的核心设备，被誉为半导体工业皇冠上的明珠。目前最先进的是第五代EUV光刻机，它利用极紫外光将最小工艺节点推到7Nm。荷兰阿斯姆制造。 我国光刻技术比较先进，上海微电子设备有限公司已经实现了90nm的批量生产。目前，65nm技术正在研究中。其他包括合肥新硕半导体有限公司、仙腾光电科技有限公司、无锡英苏半导体科技有限公司等企业，在光刻方面有自己的成就。然而，这些光刻企业仍在原有的道路上一步步前进。我们相信只要我们努力，我们就能在未来达到一个很高的水平。但对于平版印刷行业来说，虽然他们的追赶速度很快，但技术进步的速度也很快。因此，他们只能在低端保持一定的市场份额。 要想进入高端市场，中国最先进的光刻技术应该是中科院光电技术研究所的技术成果。2018年11月29日，新华社报道，国家重大科研装备研制项目“超分辨率光刻设备研制”于11月29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制。光刻分辨率达到22nm。结合双曝光技术，未来还可以用于制造10nm级芯片。 也就是说，中国科学院光电技术研究所的这一成果，直接推动了中国光刻技术的几代人的发展。当然，要使这一科研成果在量产中得到充分实现，还有几个障碍。一是光刻分辨率达到22nm，这只是一个极限测试。它属于一次曝光，不能做芯片。其次，要能够在实验室制造芯片，还要实现量产，这是另一个关卡。但总的来说，已经有了22纳米的光刻分辨率，所离成型机的距离，还没有那么远。另外，目前的紫外光刻技术需要在7Nm芯片问世后有一个新的技术突破。就像从液体浸泡到EUV的技术飞跃一样。
因为它有几千种工序，每一种工具都极其复杂。因为其中很多技术都是垄断的，我们没有掌握。
光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种：有用于生产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制造领域的投影光刻机。用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。在高端光刻机上，除了龙头老大ASML，尼康和佳能也曾做过光刻机，而且尼康还曾经得到过Intel的订单。但是近些年，尼康在ASML面前被打的毫无还手之力，高端光刻机市场基本被ASML占据。光刻机工作原理在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。等离子刻蚀刻机等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。
光刻机，是芯片制造的最最核心设备，技术难度极高。全球市场，日本荷兰占据90%以上份额，最高级EUV技术，则只有荷兰ASML掌握。为啥光刻机这么难搞？为什么说光刻机是人类智慧的结晶？中国又应该怎么办？
国内光刻机技术比较先进，已经量产的应该是上海微电子装备有限责任公司（简称SMEE)，已经实现90nm的量产，目前正在研究65nm的工艺。其他的包括 合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技有限公司、无锡影速半导体科技有限公司等一些企业，在光刻机上衣和有自己的成果。但这些光刻机企业，目前还是在原来的道路上一步一步往前走，相信只要努力，未来也能达到很高的水平。但对于光刻机行业来说，他们的追赶速度虽然很快，但技术进步的速度也是很快。所以，他们只能持续在低端方面，占有一定的市场份额。如果要进入高端市场，目前国内最先进的光刻机技术，应该是中科院光电技术研究所的技术成果。2018年11月29日，新华社报道称，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。也就是中国科学院光电技术研究所的这个成果，直接将中国光刻机技术向前推进好几代。当然，这个科研成果，距离完整实现量产，还有好几个关卡要过。首先是光刻分辨力达到22纳米只是一次极限测试，属于单次曝光，还制造不了芯片。其次是，能够实验室制造芯片，还要实现量产，这又是一个关卡。但总的来说，已经有了“光刻分辨力达到22纳米”，那么距离成型机，已经没有那么遥远了。
制造一枚芯片需要经历10余个步骤，且每个步骤需重复6-15遍。因为光刻机的结构很复杂，仅凭一个国家的力量是根本无法完成的。
因为它有几千种工序，每一种工具都极其复杂。因为其中很多技术都是垄断的，我们没有掌握。
由于光刻技术的水平直接决定芯片制造工艺和性能的水平，光刻已成为集成电路制造中最复杂、最关键的工艺步骤。光刻机是光刻技术的核心设备，被誉为半导体工业皇冠上的明珠。目前最先进的是第五代EUV光刻机，它利用极紫外光将最小工艺节点推到7Nm。荷兰阿斯姆制造。 我国光刻技术比较先进，上海微电子设备有限公司已经实现了90nm的批量生产。目前，65nm技术正在研究中。其他包括合肥新硕半导体有限公司、仙腾光电科技有限公司、无锡英苏半导体科技有限公司等企业，在光刻方面有自己的成就。然而，这些光刻企业仍在原有的道路上一步步前进。我们相信只要我们努力，我们就能在未来达到一个很高的水平。但对于平版印刷行业来说，虽然他们的追赶速度很快，但技术进步的速度也很快。因此，他们只能在低端保持一定的市场份额。 要想进入高端市场，中国最先进的光刻技术应该是中科院光电技术研究所的技术成果。2018年11月29日，新华社报道，国家重大科研装备研制项目“超分辨率光刻设备研制”于11月29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制。光刻分辨率达到22nm。结合双曝光技术，未来还可以用于制造10nm级芯片。 也就是说，中国科学院光电技术研究所的这一成果，直接推动了中国光刻技术的几代人的发展。当然，要使这一科研成果在量产中得到充分实现，还有几个障碍。一是光刻分辨率达到22nm，这只是一个极限测试。它属于一次曝光，不能做芯片。其次，要能够在实验室制造芯片，还要实现量产，这是另一个关卡。但总的来说，已经有了22纳米的光刻分辨率，所离成型机的距离，还没有那么远。另外，目前的紫外光刻技术需要在7Nm芯片问世后有一个新的技术突破。就像从液体浸泡到EUV的技术飞跃一样。
5G“规模化” 计算“边缘化” 晶圆制造“异构化” 芯片“专用化” 计算架构“开放” EDA走向“云端” MEMS/传感器“融合” GaN/SiC新材料“替代” 存储器件市场“复苏” 高性能“模拟”一、5G“规模化”商用将带动5G手机、基站、VR/AR设备，以及工业0、自动驾驶和医疗等新兴应用的发展5G相对于4G网络，就像中国的高铁相对于传统的普通铁路一样，高速率、低延迟和大容量是5G网络的显著特点。3GPP定义了5G的三大技术及应用场景，即：增强的移动宽带(eMBB)，主要针对3D/超高清视频，VR/AR等应用;海量机器通信(mMTC)，主要面向智能可穿戴、智能家居、智慧城市、车联网和行业物联网等物联网应用;高可靠低时延(uRLLC)，主要针对自动驾驶、工业自动化和移动医疗等高可靠性关键应用。
一是制造芯片的成本非常昂贵，二是很难掌握核心技术。还有就是国家欠缺制造芯片相关知识的人才。芯片在市场上需求量比较大，高科技产品，甚至人们的出行工具中都离不开芯片，而芯片制造的过程又比较漫长复杂，所以这些因素都是制造芯片的难点原因之一。
芯片不仅用于手机、电脑等设备，还广泛用于军工、无人机、通讯信号塔等领域，当然很重要，我国的芯片主要依赖于国外进口，但近几年我们也能做出自己的芯片了。
芯片属于基础中的基础，我们用的各种电子产品，核心就是一块芯片。世界上造芯片的都依赖于荷兰的高端光刻机，西方还是掌握着很强的技术。
很多知道的和没有公布的企业可能都在进行一定的研发吧。
光刻机又称眼膜光刻机又称掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等
由于光刻技术的水平直接决定芯片制造工艺和性能的水平，光刻已成为集成电路制造中最复杂、最关键的工艺步骤。光刻机是光刻技术的核心设备，被誉为半导体工业皇冠上的明珠。目前最先进的是第五代EUV光刻机，它利用极紫外光将最小工艺节点推到7Nm。荷兰阿斯姆制造。 我国光刻技术比较先进，上海微电子设备有限公司已经实现了90nm的批量生产。目前，65nm技术正在研究中。其他包括合肥新硕半导体有限公司、仙腾光电科技有限公司、无锡英苏半导体科技有限公司等企业，在光刻方面有自己的成就。然而，这些光刻企业仍在原有的道路上一步步前进。我们相信只要我们努力，我们就能在未来达到一个很高的水平。但对于平版印刷行业来说，虽然他们的追赶速度很快，但技术进步的速度也很快。因此，他们只能在低端保持一定的市场份额。 要想进入高端市场，中国最先进的光刻技术应该是中科院光电技术研究所的技术成果。2018年11月29日，新华社报道，国家重大科研装备研制项目“超分辨率光刻设备研制”于11月29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制。光刻分辨率达到22nm。结合双曝光技术，未来还可以用于制造10nm级芯片。 也就是说，中国科学院光电技术研究所的这一成果，直接推动了中国光刻技术的几代人的发展。当然，要使这一科研成果在量产中得到充分实现，还有几个障碍。一是光刻分辨率达到22nm，这只是一个极限测试。它属于一次曝光，不能做芯片。其次，要能够在实验室制造芯片，还要实现量产，这是另一个关卡。但总的来说，已经有了22纳米的光刻分辨率，所离成型机的距离，还没有那么远。另外，目前的紫外光刻技术需要在7Nm芯片问世后有一个新的技术突破。就像从液体浸泡到EUV的技术飞跃一样。
制作我笑了，中国成千上万的工程师，研制了几十年都没有研究成功，
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源。光刻机工作原理：光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程，现在先进的芯片有30多层。扩展资料光刻机的种类：一、接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。1、软接触，就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面。2、硬接触，是将基片通过一个气压（氮气）往上顶，使之与掩膜接触。3、真空接触，是在掩膜和基片中间抽气，使之更加好的贴合。特点：光刻胶污染掩膜板，掩膜板的磨损，容易损坏,寿命很低，容易累积缺陷。上个世纪七十年代的工业水准，已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了，国产光刻机均为接触式曝光，国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。二、接近式曝光（Proximity Printing）：掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙，可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用。特点：掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少，接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。三、投影式曝光（Projection Printing）：在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。特点：提高了分辨率，掩膜板的制作更加容易，掩膜板上的缺陷影响减小。参考资料来源：百度百科--光刻机
光刻机是制造芯片的核心装备，采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上，光刻机目前只有荷兰的光刻机最好，光客机有很多问题难以攻克，所以非常难造出来。
光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种：有用于生产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制造领域的投影光刻机。用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。在高端光刻机上，除了龙头老大ASML，尼康和佳能也曾做过光刻机，而且尼康还曾经得到过Intel的订单。但是近些年，尼康在ASML面前被打的毫无还手之力，高端光刻机市场基本被ASML占据。光刻机工作原理在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。等离子刻蚀刻机等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。
国内光刻机技术比较先进，已经量产的应该是上海微电子装备有限责任公司（简称SMEE)，已经实现90nm的量产，目前正在研究65nm的工艺。其他的包括 合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技有限公司、无锡影速半导体科技有限公司等一些企业，在光刻机上衣和有自己的成果。但这些光刻机企业，目前还是在原来的道路上一步一步往前走，相信只要努力，未来也能达到很高的水平。但对于光刻机行业来说，他们的追赶速度虽然很快，但技术进步的速度也是很快。所以，他们只能持续在低端方面，占有一定的市场份额。如果要进入高端市场，目前国内最先进的光刻机技术，应该是中科院光电技术研究所的技术成果。2018年11月29日，新华社报道称，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。也就是中国科学院光电技术研究所的这个成果，直接将中国光刻机技术向前推进好几代。当然，这个科研成果，距离完整实现量产，还有好几个关卡要过。首先是光刻分辨力达到22纳米只是一次极限测试，属于单次曝光，还制造不了芯片。其次是，能够实验室制造芯片，还要实现量产，这又是一个关卡。但总的来说，已经有了“光刻分辨力达到22纳米”，那么距离成型机，已经没有那么遥远了。