制造芯片的核心设备是

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源。光刻机工作原理：光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程，现在先进的芯片有30多层。扩展资料光刻机的种类：一、接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。1、软接触，就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面。2、硬接触，是将基片通过一个气压（氮气）往上顶，使之与掩膜接触。3、真空接触，是在掩膜和基片中间抽气，使之更加好的贴合。特点：光刻胶污染掩膜板，掩膜板的磨损，容易损坏,寿命很低，容易累积缺陷。上个世纪七十年代的工业水准，已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了，国产光刻机均为接触式曝光，国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。二、接近式曝光（Proximity Printing）：掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙，可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用。特点：掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少，接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。三、投影式曝光（Projection Printing）：在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。特点：提高了分辨率，掩膜板的制作更加容易，掩膜板上的缺陷影响减小。参考资料来源：百度百科--光刻机

光刻机是制造芯片的核心装备，采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上，光刻机目前只有荷兰的光刻机最好，光客机有很多问题难以攻克，所以非常难造出来。

光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种：有用于生产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制造领域的投影光刻机。用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。在高端光刻机上，除了龙头老大ASML，尼康和佳能也曾做过光刻机，而且尼康还曾经得到过Intel的订单。但是近些年，尼康在ASML面前被打的毫无还手之力，高端光刻机市场基本被ASML占据。光刻机工作原理在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。等离子刻蚀刻机等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。

国内光刻机技术比较先进，已经量产的应该是上海微电子装备有限责任公司（简称SMEE)，已经实现90nm的量产，目前正在研究65nm的工艺。其他的包括 合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技有限公司、无锡影速半导体科技有限公司等一些企业，在光刻机上衣和有自己的成果。但这些光刻机企业，目前还是在原来的道路上一步一步往前走，相信只要努力，未来也能达到很高的水平。但对于光刻机行业来说，他们的追赶速度虽然很快，但技术进步的速度也是很快。所以，他们只能持续在低端方面，占有一定的市场份额。如果要进入高端市场，目前国内最先进的光刻机技术，应该是中科院光电技术研究所的技术成果。2018年11月29日，新华社报道称，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。据悉，该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。也就是中国科学院光电技术研究所的这个成果，直接将中国光刻机技术向前推进好几代。当然，这个科研成果，距离完整实现量产，还有好几个关卡要过。首先是光刻分辨力达到22纳米只是一次极限测试，属于单次曝光，还制造不了芯片。其次是，能够实验室制造芯片，还要实现量产，这又是一个关卡。但总的来说，已经有了“光刻分辨力达到22纳米”，那么距离成型机，已经没有那么遥远了。

很难。因为光刻机是制造芯片的机器，它需要在很小面积内集成成千上万个二极管，所以制造难度很大。

芯片虽小却五脏俱全，原来芯片制造这么难？看完总算懂为何要进口