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1.4半浮栅晶体管的难点本课题研究的半浮栅晶体管“很新、很难”它是在13月，由复旦大学微电子学院由张卫教授带领的微电子团队首先研发了世界第一个半浮栅晶体管（SFGT），同时研究论文刊登于《科学》杂志上，因其目前没有“中文文献”可供查询，而且
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管.8月9日出版的《科学》（Science）杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。.这是我国科学家在该...
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管.8月9日出版的《科学》（Science）杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题...
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管.8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。.这是我国科学家在该顶级...
半浮栅晶体管则可以单个晶体管构成一个存储单元，存储速度接近由6个晶体管构成的SRAM存储单元。因此，由半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM单元面积更小，密度相比传统SRAM大约…
关键字:计算机晶体管半浮栅晶体管复旦CPU微电子中国基础研究观察者头条头条上海新高度8月9日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。
因此，由半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM单元面积更小，密度相比传统SRAM大约可提高10倍。显然如果在同等工艺尺寸下，半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM具有高密度和低功耗的明显优势。其次，半浮栅晶体管（SFGT）还可以应用于DRAM领域。
本论文通过设计了几种新型的器件结构,使隧穿型晶体管的性能得到优化,并研究了隧穿晶体管在新型半浮栅存储器件中的应用。.本文第一部分主要设计并研究了具有U型沟道以及SiGe异质结结构的新型隧穿晶体管。.由于隧穿晶体管与普通MOS器件相比,主要缺陷在于...
;半浮栅晶体管将引发芯片革命[J];工业设计;2013年10期16;半浮栅晶体管将引发芯片革命[J];电子产品可靠性与环境试验;2014年06期17;我国研发出世界首个半浮栅晶体管有助获得芯片制造话语权[J];材料导报;2013年18期18;半浮栅晶体管将引发芯片革命[J];工业19
最新发现与创新科技日报讯（金婉霞记者王春）8月9日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权…
1.4半浮栅晶体管的难点本课题研究的半浮栅晶体管“很新、很难”它是在13月，由复旦大学微电子学院由张卫教授带领的微电子团队首先研发了世界第一个半浮栅晶体管（SFGT），同时研究论文刊登于《科学》杂志上，因其目前没有“中文文献”可供查询，而且
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管.8月9日出版的《科学》（Science）杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。.这是我国科学家在该...
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管.8月9日出版的《科学》（Science）杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题...
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管.8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。.这是我国科学家在该顶级...
半浮栅晶体管则可以单个晶体管构成一个存储单元，存储速度接近由6个晶体管构成的SRAM存储单元。因此，由半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM单元面积更小，密度相比传统SRAM大约…
关键字:计算机晶体管半浮栅晶体管复旦CPU微电子中国基础研究观察者头条头条上海新高度8月9日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。
因此，由半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM单元面积更小，密度相比传统SRAM大约可提高10倍。显然如果在同等工艺尺寸下，半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM具有高密度和低功耗的明显优势。其次，半浮栅晶体管（SFGT）还可以应用于DRAM领域。
本论文通过设计了几种新型的器件结构,使隧穿型晶体管的性能得到优化,并研究了隧穿晶体管在新型半浮栅存储器件中的应用。.本文第一部分主要设计并研究了具有U型沟道以及SiGe异质结结构的新型隧穿晶体管。.由于隧穿晶体管与普通MOS器件相比,主要缺陷在于...
;半浮栅晶体管将引发芯片革命[J];工业设计;2013年10期16;半浮栅晶体管将引发芯片革命[J];电子产品可靠性与环境试验;2014年06期17;我国研发出世界首个半浮栅晶体管有助获得芯片制造话语权[J];材料导报;2013年18期18;半浮栅晶体管将引发芯片革命[J];工业19
最新发现与创新科技日报讯（金婉霞记者王春）8月9日，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权…
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