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电子信息工程类毕业论文、半导体材料砷化镓的结构与性能毕业设计.doc,成都工业学院本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATPAGE\*MERGEFORMATIIPAGE\*MERGEFORMATIPAGE\*MERGEFORMATI本科毕业设计(论文...
砷化镓（GaAs）材料压痕响应的试验研究.孔令奇.【摘要】：随着科学技术的发展,半导体材料被广泛应用于信息通讯、国防军工、航空航天等领域。.与传统的硅半导体材料相比,砷化镓材料具有禁带宽度宽、电子迁移率高、光电特性好、抗辐射、高频性能好等...
砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景.屠海令郑安生张峰翊邓志杰王永鸿钱嘉裕韩庆彬陈坚邦.【摘要】：随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。.以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物...
半导体硅与砷化镓光学性质温度依赖性的第一性原理研究.【摘要】：温度是影响材料热辐射物性的最为重要的状态参数之一。.对材料热辐射物性的温度依赖性的理论研究有助于理解温度影响热辐射物性的微观机理,从而应用于辐射调控等领域以实现特定的功能...
砷化镓的能带具有双能谷结构，适合于制作体效应器件。砷化镓也是制作高效率激光器和红外线光源的良好材料，砷化镓还广泛用于制作其他微波器件，用砷化镓还可以制得高速集成电路3.固溶体半…
2.4非晶半导体材料非晶半导体材料是具有半导体特性的非晶体组成的材料，如α-硅、α-锗、α-砷化镓、α-硫化砷、α-硒等。论文发表。这类材料，原子排列短程有序，长程无序，又称无定形半导体，部分称作玻璃半导体。
毕业论文课题相关文献综述一、本课题研究目的GaAs是典型的III-V族化合物半导体材料（Ⅲ-Ⅴ族化合物材料主要包括GaAs,InP,GaN,AlAs等二元化合物,以及由Ga,As,In,P,Al,N等Ⅲ族、Ⅴ族元素构成的三元和四元化...
【摘要】：砷化镓作为第二代半导体材料的代表,在高能对撞物理实验、航天科技和核放射性废料检测等辐照环境下有着重要的应用。为此,对砷化镓材料的辐照效应及其抗辐照能力进行研究是很有意义的。但目前我国还未见有一种简单、快速且完全非破坏性的技术来对其抗辐射能力进行评估。
掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料特性研究,稀磁性半导体,离子注入,快速热退火,铁磁性,居里温度。稀磁性半导体(DMS)是指在半导体化合物中,由磁性过渡族金属离子部分替代非磁性离子所形成的一类新型半导体材料。由于这种材...
半导体技术论文高分子材料论文：半导体材料的发展现状摘要在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。
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砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景.屠海令郑安生张峰翊邓志杰王永鸿钱嘉裕韩庆彬陈坚邦.【摘要】：随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。.以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物...
半导体硅与砷化镓光学性质温度依赖性的第一性原理研究.【摘要】：温度是影响材料热辐射物性的最为重要的状态参数之一。.对材料热辐射物性的温度依赖性的理论研究有助于理解温度影响热辐射物性的微观机理,从而应用于辐射调控等领域以实现特定的功能...
砷化镓的能带具有双能谷结构，适合于制作体效应器件。砷化镓也是制作高效率激光器和红外线光源的良好材料，砷化镓还广泛用于制作其他微波器件，用砷化镓还可以制得高速集成电路3.固溶体半…
2.4非晶半导体材料非晶半导体材料是具有半导体特性的非晶体组成的材料，如α-硅、α-锗、α-砷化镓、α-硫化砷、α-硒等。论文发表。这类材料，原子排列短程有序，长程无序，又称无定形半导体，部分称作玻璃半导体。
毕业论文课题相关文献综述一、本课题研究目的GaAs是典型的III-V族化合物半导体材料（Ⅲ-Ⅴ族化合物材料主要包括GaAs,InP,GaN,AlAs等二元化合物,以及由Ga,As,In,P,Al,N等Ⅲ族、Ⅴ族元素构成的三元和四元化...
【摘要】：砷化镓作为第二代半导体材料的代表,在高能对撞物理实验、航天科技和核放射性废料检测等辐照环境下有着重要的应用。为此,对砷化镓材料的辐照效应及其抗辐照能力进行研究是很有意义的。但目前我国还未见有一种简单、快速且完全非破坏性的技术来对其抗辐射能力进行评估。
掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料特性研究,稀磁性半导体,离子注入,快速热退火,铁磁性,居里温度。稀磁性半导体(DMS)是指在半导体化合物中,由磁性过渡族金属离子部分替代非磁性离子所形成的一类新型半导体材料。由于这种材...
半导体技术论文高分子材料论文：半导体材料的发展现状摘要在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。
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