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该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。第三代半导体最成熟的两大品类：SiC、GaN第三代半导体指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化物半导体（如氧化锌ZnO）、III族氮化物（如氮化铝AlN）、金刚石半导体等宽禁带半导体材料。
【摘要】：氮化镓基电力电子器件在电力电子领域具有很大的应用潜力,其击穿电压的相关研究至关重要。目前GaN基电力电子器件的击穿电压距离其理论极限还有很大的距离,这就意味着其击穿特性还有很大的提升空间。为了充分提高GaN基电力电子器件的击穿特性,就需要对其击穿机理进行研究。
学位论文库会议论文库年鉴全文库学术百科工具书学术不端检测注册|登录|我的账户基础科学|工程科技I辑|工程科技II辑|医药卫生科技|信息科技|农业科技...
概述|第三代半导体材料氮化镓（GaN）的应用和局限.一般而言，GaN晶体管比传统硅器件更快且更有效。.但如果是这样的话，有什么限制可以阻止它从宝座上取下硅芯片？.硅技术正在接近其极限。.同时，仍然需要更快，需要更有效的电路。.从这一点开始...
原标题：新材料：2020年第三代半导体氮化镓GaN行业研究报告.来源：华安证券.一、第三代半导体GaN：射频、电源、光电子广泛运用.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。.第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑...
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
2021-07-21.GaN世界·2021-07-21.一文看懂氮化镓：纳微最全介绍，带你极速认识第三代半导体.以下文章来源于纳微芯球，作者纳微半导体.纳微芯球.全球首个氮化镓功率芯片研发团队纳微半导体，拥有100多项技术专利，覆盖欧美亚太，引领行业发展，定义快充新...
山东大学硕士学位论文氮化镓光学性质研究及氮化镓基光电探测器性能测试姓名：连传昕申请学位级别：硕士专业：光学工程指导教师：刘骥;李向阳20040320山东大学颐士学位论文摘要氮化镓（GaN）是一种直接宽带隙半导体材料，具有优异的物理和化学性质，是高温、高功率、高频电子...
最新博士论文—《基于氮化镓晶体管高频和快速开关下的效应分析及解决方案研究》摘要第1-6页abstract第6-16页第一章绪论第16-27页1.1研究背景及意义第16-19页
西电新闻网讯（通讯员刘筱筱梁佳博）2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一...
该论文是氮化镓集成电路方向的重要里程碑，对氮化镓基芯片的发展具有重要意义。第三代半导体最成熟的两大品类：SiC、GaN第三代半导体指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化物半导体（如氧化锌ZnO）、III族氮化物（如氮化铝AlN）、金刚石半导体等宽禁带半导体材料。
【摘要】：氮化镓基电力电子器件在电力电子领域具有很大的应用潜力,其击穿电压的相关研究至关重要。目前GaN基电力电子器件的击穿电压距离其理论极限还有很大的距离,这就意味着其击穿特性还有很大的提升空间。为了充分提高GaN基电力电子器件的击穿特性,就需要对其击穿机理进行研究。
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西电新闻网讯（通讯员刘筱筱梁佳博）2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEETransactionsonElectronDevices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一...
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