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本论文主要围绕氧化锌及其复合半导体材料的、表征和通过对所的复合物和氧化锌单体的性能对比分析，得出复合物较单一氧化锌的性能更为优异。研究内容如下：（1）海胆状氧化锌(ZnO)的、表征及光学性能研究以二水醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O...
其中,氧化锌半导体纳米材料的优良性能注定其研究尤为重要。在本论文中,我们通过控制Zn0的生长条件,实现了对氧化锌的微结构及性能的调控;并通过摸索实验条件,成功出基于Zn0的异质结结构,这些异质结结构同样具有优良的性能。
近年来,利用金属表面等离激元效应增强半导体发光效率的相关研究引起人们广泛关注。在众多的半导体材料中,氧化锌具有宽直接带隙（3.37eV）、高激子能（60meV）等优点,被认为是紫外光电器件的理想材料。通常情况下,氧化锌中的一部分激子被缺陷能级,导致紫
摘要:氧化锌（ZnO）是一种应用广泛的半导体金属氧化物，其在吸波领域的应用引起了越来越多研究者的关注。本文简述了氧化锌的特点、应用、吸波原理，并对近年来国内外纳米氧化锌吸波材料的研究进展做了简要介绍。关键词:纳米ZnO，微波吸收
氧化锌半导体材料掺杂技术与应用,电子版下载半导体材料ZnO专题介绍深圳大学考试答题纸(以论文、报告等形式考核专用)二～二学年度第学期课程编号课程名称姓名专业年级主讲教师评分题目：目录1.ZnO的发展历史与基本性1.1ZnO的发展历1.2ZnO
宽禁带半导体ZnO、GaN及其相关材料的微结构调控与性能研究,宽禁带半导体,氧化锌,氮化镓,微结构调控。材料科学的发展是人类文明发展的标志,从人类诞生到现在先后经历了石器时代、青铜时代、铁器时代,而现在人们进入了以半导体材...
氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO_2)以其优异的光电性质以及高灵敏的气敏性质一直被认为是金属氧化物中最有应用前景的两种功能材料,它们都是典型的n型宽禁带直接半导体,其室温禁带宽度分别为3.37eV…
1.4ZnO纳米半导体1.4.1ZnO纳米半导体的结构与性能1.4.2ZnO纳米半导体的1.4.3ZnO纳米半导体的应用1.5课题立题意义和主要研究内容1.5.1立题意义1.5.2主要研究内容及技术路线图2试验材料与表征方法2.1试验材料
氧化锌半导体材料掺杂技术与应用.pdf返回小木虫查看更多分享至：更多今日热帖有机图像传感请教各位大神，在...论文投稿基金申请学术会议出国留学留学生活公派出国访问学者海外博后...
作为第三代半导体材料的典型代表,ZnO呈现本征n型导电,其高质量的n型掺杂很容易实现,但其稳定、高效、可重复的p型掺杂却异常困难,这严重阻碍了ZnO材料在光电领域的大规模应用。可靠p型ZnO的关键是解决受主态的稳定性问题。围绕这一核心...
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其中,氧化锌半导体纳米材料的优良性能注定其研究尤为重要。在本论文中,我们通过控制Zn0的生长条件,实现了对氧化锌的微结构及性能的调控;并通过摸索实验条件,成功出基于Zn0的异质结结构,这些异质结结构同样具有优良的性能。
近年来,利用金属表面等离激元效应增强半导体发光效率的相关研究引起人们广泛关注。在众多的半导体材料中,氧化锌具有宽直接带隙（3.37eV）、高激子能（60meV）等优点,被认为是紫外光电器件的理想材料。通常情况下,氧化锌中的一部分激子被缺陷能级,导致紫
摘要:氧化锌（ZnO）是一种应用广泛的半导体金属氧化物，其在吸波领域的应用引起了越来越多研究者的关注。本文简述了氧化锌的特点、应用、吸波原理，并对近年来国内外纳米氧化锌吸波材料的研究进展做了简要介绍。关键词:纳米ZnO，微波吸收
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作为第三代半导体材料的典型代表,ZnO呈现本征n型导电,其高质量的n型掺杂很容易实现,但其稳定、高效、可重复的p型掺杂却异常困难,这严重阻碍了ZnO材料在光电领域的大规模应用。可靠p型ZnO的关键是解决受主态的稳定性问题。围绕这一核心...
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