发表服务
中国科学院半导体研究所材料中心北京1000831．引言I族氮化物材料属于近年来研究最热的半导体材料．具有宽的直接带隙（AIN、GaN、InN的禁带宽度分别为6．28eV、3．39eV、1．95eV）．而且其三元合金体系也为直接带隙，带宽可以近线性地从1．95eV变到6．28eV，覆盖了整个可见光到紫外光波段。
本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面
多孔氮化镓半导体材料的可控及其性能研究.侯飞.【摘要】：本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓(GaN)为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化...
【摘要】：氮化镓作为第三代半导体的代表,有着宽禁带、高电子迁移率、高击穿电压等优点,在高温及高频电子器件等领域占据着重要地位。近几十年来,氮化镓体材料的研究工作不胜枚举,而由于实验上的困难,对于超薄氮化镓的研究则是近些年来才兴起。超薄氮化镓一定程度上可视为氮化镓的...
概述|第三代半导体材料氮化镓（GaN）的应用和局限.一般而言，GaN晶体管比传统硅器件更快且更有效。.但如果是这样的话，有什么限制可以阻止它从宝座上取下硅芯片？.硅技术正在接近其极限。.同时，仍然需要更快，需要更有效的电路。.从这一点开始...
原标题：新材料：2020年第三代半导体氮化镓GaN行业研究报告.来源：华安证券.一、第三代半导体GaN：射频、电源、光电子广泛运用.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。.第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑...
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
最新博士论文—《基于氮化镓晶体管高频和快速开关下的效应分析及解决方案研究》摘要第1-6页abstract第6-16页第一章绪论第16-27页1.1研究背景及意义第16-19页
氮化镓半导体材料及氮化镓芯片研发、生产项目开始动土，一期总投资3亿元，占地125亩，总建筑面积66600平方米，包括综合研发实验室、半导体及芯片生产车间、应用产品生产车间、制氢站车间、仓库及员工生活配套区，新上氮化镓外延生产线、芯片生产线
如果能够成熟的使用氮化镓半导体材料的话，那么相比起硅材料半导体，就会有一个很大的提升。国内的芯片产业，也会有一个飞跃的发展。丁跃只希望自己的这一篇论文，对国内氮化镓半导体材料的发展能够有一定的推动作用吧。又过了三天之后。
中国科学院半导体研究所材料中心北京1000831．引言I族氮化物材料属于近年来研究最热的半导体材料．具有宽的直接带隙（AIN、GaN、InN的禁带宽度分别为6．28eV、3．39eV、1．95eV）．而且其三元合金体系也为直接带隙，带宽可以近线性地从1．95eV变到6．28eV，覆盖了整个可见光到紫外光波段。
本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面
多孔氮化镓半导体材料的可控及其性能研究.侯飞.【摘要】：本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓(GaN)为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化...
【摘要】：氮化镓作为第三代半导体的代表,有着宽禁带、高电子迁移率、高击穿电压等优点,在高温及高频电子器件等领域占据着重要地位。近几十年来,氮化镓体材料的研究工作不胜枚举,而由于实验上的困难,对于超薄氮化镓的研究则是近些年来才兴起。超薄氮化镓一定程度上可视为氮化镓的...
概述|第三代半导体材料氮化镓（GaN）的应用和局限.一般而言，GaN晶体管比传统硅器件更快且更有效。.但如果是这样的话，有什么限制可以阻止它从宝座上取下硅芯片？.硅技术正在接近其极限。.同时，仍然需要更快，需要更有效的电路。.从这一点开始...
原标题：新材料：2020年第三代半导体氮化镓GaN行业研究报告.来源：华安证券.一、第三代半导体GaN：射频、电源、光电子广泛运用.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。.第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑...
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
最新博士论文—《基于氮化镓晶体管高频和快速开关下的效应分析及解决方案研究》摘要第1-6页abstract第6-16页第一章绪论第16-27页1.1研究背景及意义第16-19页
氮化镓半导体材料及氮化镓芯片研发、生产项目开始动土，一期总投资3亿元，占地125亩，总建筑面积66600平方米，包括综合研发实验室、半导体及芯片生产车间、应用产品生产车间、制氢站车间、仓库及员工生活配套区，新上氮化镓外延生产线、芯片生产线
如果能够成熟的使用氮化镓半导体材料的话，那么相比起硅材料半导体，就会有一个很大的提升。国内的芯片产业，也会有一个飞跃的发展。丁跃只希望自己的这一篇论文，对国内氮化镓半导体材料的发展能够有一定的推动作用吧。又过了三天之后。
发表服务