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大连理工大学博士学位论文单晶硅片超精密磨削表面层损伤的研究姓名：张银霞申请学位级别：博士专业：机械制造及其自动化指导教师：康仁科20060601大连理工大学博士学位论文单晶硅片是集成电路（IC）制造过程中最常用的衬底材料，硅片的表面层质量直接影响着器件的性能、成品率...
单晶硅的ELID磨削原理与技术研究.【摘要】：精密磨削中,砂轮容易堵塞和磨粒容易变钝是影响材料效率和表面质量的两个重要因素,如何使砂轮在高速磨削状态下一直保持锋利状态是解决单晶硅、陶瓷、光学玻璃、蓝宝石、硬质合金的等硬脆材料的关键...
单晶硅片磨削减薄关键技术及试验研究.国内图书分类号：TG580.6学校代码：10213国际图书分类号：621密级：公开工程硕士学位论文单晶硅片磨削减薄关键技术及试验研究授予学位单位：哈尔滨工业大学ClassifiedIndex:TG580.6U.D.C.:621DissertationMasterDegree...
摘要：单晶硅片是集成电路(IC)制造过程中最常用的衬底材料,硅片的表面层质量直接影响着器件的性能,成品率以及寿命.随着硅片尺寸的增大,新的硅片高效超精密平整化工艺得到了大量的研究,其中,具有高效率,高精度,低损伤等优点的硅片自旋转磨削技术正逐步成为抛光硅片和图形硅片背面减薄...
ADPE单晶硅片超精密磨削减薄技术试验研究能够去除硅片背面由于磨削引起的损伤层，速度为1＂一49rn／min，背面去除量可达50～1001am，后的表面平整性比湿式腐蚀好120J。.干式抛光是新出现的去除硅片应力的技术，其原理类似于硅片磨削，与磨削...
单晶硅高速磨削亚表层损伤的与实验研究.【摘要】：随着集成电路集成度的不断提高,单晶硅太阳能电池转换效率的升高以及微纳机电系统的微型化、智能化、多功能化,单晶硅广泛应用于各个领域并且对其表面质量要求也越来越高。.传统工艺存在...
【摘要】：单晶硅片是集成电路(IC)制造过程中最常用的衬底材料，硅片的表面层质量直接影响着器件的性能、成品率以及寿命。随着硅片尺寸的增大，新的硅片高效超精密平整化工艺得到了大量的研究，其中，具有高效率、高精度、低损伤等优点的硅片自旋转磨削技术正逐步成为抛光硅片和...
单晶硅微锥塔结构表面的磨削精度评价.卓友望.【摘要】：在光学、汽车、航天航空、生物医药和太阳能工程中，核心零部件表面被制造出高表面质量和高精度的微结构阵列，可以产生新的功能特性。.但是，这些高附加值的零部件主要采用硅、陶瓷、玻璃等硬...
单晶硅材料机械性能研究及进展(论文资料),单晶硅材料,单晶硅论文,材料物理性能论文,单晶硅,单晶硅回收,单晶硅太阳能电池板,单晶硅价格,单晶硅太阳能电池,单晶硅多晶硅
分类：教育论文网→工业技术论文→金属学与金属工艺论文→金属切削及机床论文→磨削与磨床论文→一般性问题论文→磨削工艺论文单晶硅超精密磨削分子动力学并行的研究
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摘要：单晶硅片是集成电路(IC)制造过程中最常用的衬底材料,硅片的表面层质量直接影响着器件的性能,成品率以及寿命.随着硅片尺寸的增大,新的硅片高效超精密平整化工艺得到了大量的研究,其中,具有高效率,高精度,低损伤等优点的硅片自旋转磨削技术正逐步成为抛光硅片和图形硅片背面减薄...
ADPE单晶硅片超精密磨削减薄技术试验研究能够去除硅片背面由于磨削引起的损伤层，速度为1＂一49rn／min，背面去除量可达50～1001am，后的表面平整性比湿式腐蚀好120J。.干式抛光是新出现的去除硅片应力的技术，其原理类似于硅片磨削，与磨削...
单晶硅高速磨削亚表层损伤的与实验研究.【摘要】：随着集成电路集成度的不断提高,单晶硅太阳能电池转换效率的升高以及微纳机电系统的微型化、智能化、多功能化,单晶硅广泛应用于各个领域并且对其表面质量要求也越来越高。.传统工艺存在...
【摘要】：单晶硅片是集成电路(IC)制造过程中最常用的衬底材料，硅片的表面层质量直接影响着器件的性能、成品率以及寿命。随着硅片尺寸的增大，新的硅片高效超精密平整化工艺得到了大量的研究，其中，具有高效率、高精度、低损伤等优点的硅片自旋转磨削技术正逐步成为抛光硅片和...
单晶硅微锥塔结构表面的磨削精度评价.卓友望.【摘要】：在光学、汽车、航天航空、生物医药和太阳能工程中，核心零部件表面被制造出高表面质量和高精度的微结构阵列，可以产生新的功能特性。.但是，这些高附加值的零部件主要采用硅、陶瓷、玻璃等硬...
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