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本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。.祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业实验室工作，主要研究光通信电路和硅光电集成芯片，学术界和工业界的经验都非常丰富。.目前他的课题组跨光、电两个领域，主要...
如今，我们可以在硅芯片上实现包括调制器在内的所有光子功能的单片集成，也可以采用同一套流片工艺将硅光子功能元件与微电子集成电路进行一体化集成。这种前所未有的光电融合能力，给未来芯片性能的飞跃带来无限的可能性。硅光技术到底有多重要？
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文，介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
本论文首先采用有限元分析的方法分别对这种基于硅玻基底材料的细胞电融合芯片和课题组前期研制的基于SOI材料芯片的内部电场分布情况进行了,并对结果进行了对比。.结果表明,在芯片内部产生相同场强的情况下,采用基于硅玻基底材料的细胞电...
高集成硅基微波光子芯片的研究进展及趋势11-15基于四孔复合结构的PCF的特性研究11-15一种10Gbit∕sEPON的综合安全方案11-15基于SOA-XGM的对称型UWB信号光学产生的研究11-15灵敏度与误码率关系分析及其快速测试11-15
论文1中提出基于电感正反馈共射共基交错调谐放大器架构，在接近fmax频率下同时提升放大器单元增益和带宽，提出带补偿的三导体传输线巴伦来实现4路宽带功率提高输出功率，利用130-nmSiGeBiCMOS工艺成功实现了一款250–310GHz功放芯片。
硅基光电子芯片：换道超车的核心技术.2018年4月16日，美国商务部激活了对中兴通讯的拒绝令，禁止美国公司向中兴通讯销售任何零部件、商品、软件和技术，直到2025年3月13日。.这一禁令立刻使中兴通讯业务陷入休克状态，甚至影响到“中国制造2025”的实现...
论文《SiN、SiBCN和SiOCN侧墙电介质的时间依赖介质击穿》全面比较了在晶体管电触点间隙中用作绝缘体的多种材料。这些侧墙电介质是芯片中最薄的绝缘体——在22纳米芯片中的测试厚度为10纳米，在7纳米芯片中约为6纳米。
硅光电学有能力以极低的功率大幅改善封装内的片上和芯片间通信，但确保信号完整性长期保持一致并不那么简单。将硅光子芯片推向主流仍面临诸多挑战。需要提升硅光电技术的可靠性虽然这项技术至少已在过去十年中已实现商业化使用，但它从未获得主流地位。
由于现在的芯片制程在纳米尺度，未来如果要进一步提升芯片的密度和性能，势必要求我们研发在埃米尺度上的晶体管。由于埃米尺度也正是单个原子半径的经典大小，因此，芯片的下一步发展方向将由现在的纳米级制程进入到原子级制程，即下一代芯片将从现在的“纳米时代”进入到“原子时代”。
本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。.祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业实验室工作，主要研究光通信电路和硅光电集成芯片，学术界和工业界的经验都非常丰富。.目前他的课题组跨光、电两个领域，主要...
如今，我们可以在硅芯片上实现包括调制器在内的所有光子功能的单片集成，也可以采用同一套流片工艺将硅光子功能元件与微电子集成电路进行一体化集成。这种前所未有的光电融合能力，给未来芯片性能的飞跃带来无限的可能性。硅光技术到底有多重要？
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文，介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
本论文首先采用有限元分析的方法分别对这种基于硅玻基底材料的细胞电融合芯片和课题组前期研制的基于SOI材料芯片的内部电场分布情况进行了,并对结果进行了对比。.结果表明,在芯片内部产生相同场强的情况下,采用基于硅玻基底材料的细胞电...
高集成硅基微波光子芯片的研究进展及趋势11-15基于四孔复合结构的PCF的特性研究11-15一种10Gbit∕sEPON的综合安全方案11-15基于SOA-XGM的对称型UWB信号光学产生的研究11-15灵敏度与误码率关系分析及其快速测试11-15
论文1中提出基于电感正反馈共射共基交错调谐放大器架构，在接近fmax频率下同时提升放大器单元增益和带宽，提出带补偿的三导体传输线巴伦来实现4路宽带功率提高输出功率，利用130-nmSiGeBiCMOS工艺成功实现了一款250–310GHz功放芯片。
硅基光电子芯片：换道超车的核心技术.2018年4月16日，美国商务部激活了对中兴通讯的拒绝令，禁止美国公司向中兴通讯销售任何零部件、商品、软件和技术，直到2025年3月13日。.这一禁令立刻使中兴通讯业务陷入休克状态，甚至影响到“中国制造2025”的实现...
论文《SiN、SiBCN和SiOCN侧墙电介质的时间依赖介质击穿》全面比较了在晶体管电触点间隙中用作绝缘体的多种材料。这些侧墙电介质是芯片中最薄的绝缘体——在22纳米芯片中的测试厚度为10纳米，在7纳米芯片中约为6纳米。
硅光电学有能力以极低的功率大幅改善封装内的片上和芯片间通信，但确保信号完整性长期保持一致并不那么简单。将硅光子芯片推向主流仍面临诸多挑战。需要提升硅光电技术的可靠性虽然这项技术至少已在过去十年中已实现商业化使用，但它从未获得主流地位。
由于现在的芯片制程在纳米尺度，未来如果要进一步提升芯片的密度和性能，势必要求我们研发在埃米尺度上的晶体管。由于埃米尺度也正是单个原子半径的经典大小，因此，芯片的下一步发展方向将由现在的纳米级制程进入到原子级制程，即下一代芯片将从现在的“纳米时代”进入到“原子时代”。
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