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一般是将硅芯片置于已镀金膜的陶瓷基板芯片基座上，再加热至约425C,借助金硅共晶反应液面的移动使硅逐渐扩散至金中而形成的紧密结合；接粘贴法是另一种利用合金反应进行芯片粘贴的方法，工艺是将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni，同时在焊盘上淀积
等集成电路工艺线。因此充分利用微电子芯片生产线的闲置或淘汰产能，可直接将成熟的集成电路工艺直接应用于硅光芯片的超大规模生产制造。近年来，台积电、Intel、GlobalFoundries等CMOS晶圆厂均开发出了商用化硅光芯片工艺流程，硅光芯片的开发流程
来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）授权转载自【haikun01】，作者贾海昆，谢谢！本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业…
芯片的截面示意图如图20所示，为了实现光电子和微电子的单片集成，需要对CMOS工艺做一些改进，增加一些工艺步骤，比如用来做隔离的氧化硅厚度增加到1.5μm，标准的CMOS工艺中STI浅沟隔离的氧化硅厚度远远小于1.5μm。
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
硅通孔（tsv）转接板微组装技术研究进展.第148期2015年8月硅通孔（TSV）转接板微组装技术研究进展江南计算技术研究所，江苏无锡214083；华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，江苏无锡214135；中国科学院微电子研究所，北京100029）摘要：以硅通孔...
完成半导体芯片的连接后，需要利用成型工艺给芯片外部加一个包装，以保护半导体集成电路不受温度和湿度等外部条件影响。根据需要制成封装模具后，我们要将半导体芯片和环氧模塑料(EMC)都放入模具中并进行密封。密封之后的芯片就是最终形态了。
硅品包括硅电极和硅环，生产工艺均为下料、粗、激光打印、蚀刻、精清洁、烘干和包装，但是硅电极和硅环的蚀刻和清洗工艺不同。工件的输送方式为硅品总工艺流程见图6-1,硅电极蚀刻工艺见图6-2,健环蚀…
首先，将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中，由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。.多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块（lump）状以便于熔融。.硅的熔点大约为1420℃，因此炉内要用石墨隔热材料，炉壁要用水冷等隔热散热。.首先将称为籽晶（seed）的短棒状或...
该论文提出一种新型的全数字宽频毫米波直接调制全正交发射机芯片，其中的数字化毫米波功率放大器集成整合10-bit数字模拟转换器（mm-wavepower-DAC）。基于国产硅基28nmCMOS射频工艺，完成了从数字基带信号到毫米波频段调制信号的直…
一般是将硅芯片置于已镀金膜的陶瓷基板芯片基座上，再加热至约425C,借助金硅共晶反应液面的移动使硅逐渐扩散至金中而形成的紧密结合；接粘贴法是另一种利用合金反应进行芯片粘贴的方法，工艺是将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni，同时在焊盘上淀积
等集成电路工艺线。因此充分利用微电子芯片生产线的闲置或淘汰产能，可直接将成熟的集成电路工艺直接应用于硅光芯片的超大规模生产制造。近年来，台积电、Intel、GlobalFoundries等CMOS晶圆厂均开发出了商用化硅光芯片工艺流程，硅光芯片的开发流程
来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）授权转载自【haikun01】，作者贾海昆，谢谢！本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业…
芯片的截面示意图如图20所示，为了实现光电子和微电子的单片集成，需要对CMOS工艺做一些改进，增加一些工艺步骤，比如用来做隔离的氧化硅厚度增加到1.5μm，标准的CMOS工艺中STI浅沟隔离的氧化硅厚度远远小于1.5μm。
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
硅通孔（tsv）转接板微组装技术研究进展.第148期2015年8月硅通孔（TSV）转接板微组装技术研究进展江南计算技术研究所，江苏无锡214083；华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，江苏无锡214135；中国科学院微电子研究所，北京100029）摘要：以硅通孔...
完成半导体芯片的连接后，需要利用成型工艺给芯片外部加一个包装，以保护半导体集成电路不受温度和湿度等外部条件影响。根据需要制成封装模具后，我们要将半导体芯片和环氧模塑料(EMC)都放入模具中并进行密封。密封之后的芯片就是最终形态了。
硅品包括硅电极和硅环，生产工艺均为下料、粗、激光打印、蚀刻、精清洁、烘干和包装，但是硅电极和硅环的蚀刻和清洗工艺不同。工件的输送方式为硅品总工艺流程见图6-1,硅电极蚀刻工艺见图6-2,健环蚀…
首先，将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中，由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。.多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块（lump）状以便于熔融。.硅的熔点大约为1420℃，因此炉内要用石墨隔热材料，炉壁要用水冷等隔热散热。.首先将称为籽晶（seed）的短棒状或...
该论文提出一种新型的全数字宽频毫米波直接调制全正交发射机芯片，其中的数字化毫米波功率放大器集成整合10-bit数字模拟转换器（mm-wavepower-DAC）。基于国产硅基28nmCMOS射频工艺，完成了从数字基带信号到毫米波频段调制信号的直…
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