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集成电路制造中选择性锗化硅外延工艺研究来自万方喜欢0阅读量：225作者：涂火金展开摘要...论文还研究了选择性外延锗化硅生长过程中的影响因数.如温度,压力的影响,二氯硅烷气体流量,锗烷气体流量和氯化氢气体流量的影响.分析了上述几个...
硅集成电路工艺基础8.pdf.第八章光刻与刻蚀工艺光刻是集成电路工艺中的关键性技术。.在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图在集成电路制造中，利用光刻胶图形作为保护膜，对选定区域进行刻蚀，或进行离子注入，形成...
集成电路原理制造工艺及原理技术--期末论文.ppt,1.半导体材料的主要特点2.硅的晶体结构3.硅单晶材料的制造过程4.直拉...
等集成电路工艺线。因此充分利用微电子芯片生产线的闲置或淘汰产能，可直接将成熟的集成电路工艺直接应用于硅光芯片的超大规模生产制造。近年来，台积电、Intel、GlobalFoundries等CMOS晶圆厂均开发出了商用化硅光芯片工艺流程，硅光芯片的开发流程
本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。.祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业实验室工作，主要研究光通信电路和硅光电集成芯片，学术界和工业界的经验都非常丰富。.目前他的课题组跨光、电两个领域，主要...
集成电路工艺探索（论文）.doc,集成电路工艺探索论文姓名：刘王飞（宁波工程学院机械工程学院浙江宁波）摘要：集成电路工艺技术介绍，发展历史及未来发展趋势。关键词：集成电路工艺分类应用现状发展趋势引言：集成电路工艺（integratedcircuittechnique）是把电路所需要的晶体管、二…
集成电路工艺原理期末论文第3页共26页期末考试特殊考试方式电子科学与技术学院集成电路工艺原理期末成绩考核报告姓名：学号：正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。.它的分辨率高可以达到0.5μm、台阶覆盖好、对比度好，取代了负性光刻胶是...
硅基光电子具有与CMOS工艺兼容，借助成熟的微电子工艺平台可以实现大规模批量生产，具有低成本、高集成度、高可靠性的优势，是实现光电子和微电子集成、光互连的最佳方案。.硅基光电子技术是指基于硅材料的光电子器件设计、制作与集成技术...
硅集成电感及CMOS射频集成电路研究.刘畅.【摘要】：快速增长的无线通信市场的巨大需求也造成了对射频集成电路的需求。.近年来，随着特征尺寸的不断减小，深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上，使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路...
P型硅外延片工艺技术的研究.安静.【摘要】：21世纪的微电子技术仍将以硅为主流。.硅外延材料为半导体硅器件特别是各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础,支撑着当代微电子产业的持续发展。.而外延材料的制造水平则成为世界各国集成电路...
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硅集成电感及CMOS射频集成电路研究.刘畅.【摘要】：快速增长的无线通信市场的巨大需求也造成了对射频集成电路的需求。.近年来，随着特征尺寸的不断减小，深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上，使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路...
P型硅外延片工艺技术的研究.安静.【摘要】：21世纪的微电子技术仍将以硅为主流。.硅外延材料为半导体硅器件特别是各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础,支撑着当代微电子产业的持续发展。.而外延材料的制造水平则成为世界各国集成电路...
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