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本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业实验室工作，主要研究光通信电路和硅光电集成芯片，学术界和工业界的经验都非常丰富。
本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业实验室工作，主要研究光通信电路和硅光电集成芯片，学术界和工业界的经验都非常丰富。
等集成电路工艺线。因此充分利用微电子芯片生产线的闲置或淘汰产能，可直接将成熟的集成电路工艺直接应用于硅光芯片的超大规模生产制造。近年来，台积电、Intel、GlobalFoundries等CMOS晶圆厂均开发出了商用化硅光芯片工艺流程，硅光芯片的开发流程
摘要：根据摩尔定律:集成电路特征尺寸每18个月将减小30%,集成度增加一倍,产品性价比增加一倍.在先进CMOS中,传统靠减薄栅氧化层厚度的方法已经不能满足器件的需求.于是人们不得不通过其它方法来改善器件性能,如高介电常数栅氧技术和应力增强技术.应力增强方法中最重要的就是在P型半导体的源...
2018-9-5第4章CMOS集成电路的制造5§4.1硅工艺概述z集成电路的基本操作¾形成某种材料的薄膜¾在各种薄膜材料上形成需要的图形¾通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型2018-9-5第4章CMOS集成电路的制造6•SiO2称为石英玻璃，电阻率约为1012Ω·cm...
集成电路制造工艺——应变硅技术.传统的CMOS技术通过工艺微缩来提供更好的器件性能和更高的元件密度，从而在更低的成本下获得更好的系统性能。.然而，随着工艺的不断微缩，传统的金属氧化物半导体场效应晶体管结构正受到一些基本要求的限制，它所...
集成电路的发展历史集成电路IntegratedCircuit，缩写IC通过一系列特定的工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如…
锗硅宽带低噪声放大器和激光驱动器集成电路设计研究DesignSiGeWidebandLowNoiseAmplifierLaserDriverIntegratedCircuit学科专业集成电路工程教授二零一二年十二月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和...
集成电路无疑是近60年来世界高新技术的最典型代表，它的产生、进步和发展无疑高度凝聚了人类的智慧结晶。集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，也是我国的战略性必争产业。
世界集成电路发展历史前言发现和研究半导体效应“触点式"晶体管的发明-1947年12月16日晶体管名字的由来结型晶体管的诞生-1948贝尔实验室授权晶体管技术-1952“集成电路”的发明制成首个金属氧化半导体(MOS)绝缘栅场效应晶体管-1960集成电路工业进入发展期“摩尔定律”预言未来集成电路的发展…
本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业实验室工作，主要研究光通信电路和硅光电集成芯片，学术界和工业界的经验都非常丰富。
本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业实验室工作，主要研究光通信电路和硅光电集成芯片，学术界和工业界的经验都非常丰富。
等集成电路工艺线。因此充分利用微电子芯片生产线的闲置或淘汰产能，可直接将成熟的集成电路工艺直接应用于硅光芯片的超大规模生产制造。近年来，台积电、Intel、GlobalFoundries等CMOS晶圆厂均开发出了商用化硅光芯片工艺流程，硅光芯片的开发流程
摘要：根据摩尔定律:集成电路特征尺寸每18个月将减小30%,集成度增加一倍,产品性价比增加一倍.在先进CMOS中,传统靠减薄栅氧化层厚度的方法已经不能满足器件的需求.于是人们不得不通过其它方法来改善器件性能,如高介电常数栅氧技术和应力增强技术.应力增强方法中最重要的就是在P型半导体的源...
2018-9-5第4章CMOS集成电路的制造5§4.1硅工艺概述z集成电路的基本操作¾形成某种材料的薄膜¾在各种薄膜材料上形成需要的图形¾通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型2018-9-5第4章CMOS集成电路的制造6•SiO2称为石英玻璃，电阻率约为1012Ω·cm...
集成电路制造工艺——应变硅技术.传统的CMOS技术通过工艺微缩来提供更好的器件性能和更高的元件密度，从而在更低的成本下获得更好的系统性能。.然而，随着工艺的不断微缩，传统的金属氧化物半导体场效应晶体管结构正受到一些基本要求的限制，它所...
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集成电路无疑是近60年来世界高新技术的最典型代表，它的产生、进步和发展无疑高度凝聚了人类的智慧结晶。集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，也是我国的战略性必争产业。
世界集成电路发展历史前言发现和研究半导体效应“触点式"晶体管的发明-1947年12月16日晶体管名字的由来结型晶体管的诞生-1948贝尔实验室授权晶体管技术-1952“集成电路”的发明制成首个金属氧化半导体(MOS)绝缘栅场效应晶体管-1960集成电路工业进入发展期“摩尔定律”预言未来集成电路的发展…
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