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SRAM设计和Compiler技术.合肥工业大学硕士学位论文SRAM设计和Compiler技术姓名：丁海涛申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：毛友德20030618SRAM设计和Compiler技术随着微电子技术的飞速发展，毫无疑问，2l世纪将是信息的世纪。.而半导体...
首页»硕士论文»嵌入式SRAM编译器的容量扩展方法的研究嵌入式SRAM编译器的容量扩展方法的研究作者：师大云端图书馆时间：2021-10-30分类：硕士论文喜欢：2549【摘要】近年来,随着集成电路的高速发展,嵌入式SoC系统的设计成为一个热门的...
华中科技大学硕士学位论文基于FPGA的安全SRAM的测试系统的研究与设计姓名曹勇申请学位级别硕士专业软件工程指导教师刘政林20100522华中科技大学硕士学位论文静态随机访问存储器StaticRandomAccessMemory简写作SRAM作为使用...
SRAM的动态故障测试研究中图分类号:TN407论文编号102870312-S219学科分类号:080402硕士学位论文SRAM的动态故障测试研究研究姓名钱榴源学科、专业测试计量技术及仪器研计算机测控系南京航空航天大学研究生院自动化学院年十二月...
合肥工业大学硕士学位论文SRAM中新型结构的灵敏放大器及地址译码器的设计姓名：刘艳申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：毛友德2002.1.1SRAM中新型结构的灵敏放大器及地址译码器的设计f自本世纪50年代晶体管诞生以来，微电子技术发展异常迅速，目前已进入葚大规…
SRAM的动态故障测试研究测试计量技术及仪器专业论文.docx,承诺书本人声明所呈交的硕士学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得南京航空航天大学或其他教育机构...
论文同时对SRAM外围电路进行单粒子瞬态效应的统计分析。在随机的时间、对随机选择存储单元中的敏感节点进行故障注入,注入电流源的脉冲宽度和峰值在一定范围内随机,,结果为100次重复的统计平均值。对SRAM的逻辑电路模块、行译码器模块、列...
本论文基于的SRAM编译器所生12x32的SRAM的Tcq值为580ps，Tcc为665ps，也即最高工作频率为1．5GHz，随着工艺和技术的进步，这个值将进一步减小。（2）高密度随着集成电路工艺的提高，SRAM已由传统的双极性电路转变为现存的CMOS...
首页»硕士论文»抗工艺变化的SRAM时序控制电路技术抗工艺变化的SRAM时序控制电路技术作者：师大云端图书馆时间：2021-10-30分类：硕士论文喜欢：1916【摘要】随着静态随机存取存储器(SRAM)在移动互联网等不仅需要数据快速存取而且追求低...
低电压下纳米SRAM的研究和设计.【摘要】：随着半导体工艺尺寸缩小到纳米数量级，芯片的集成度和晶体管的工作速度都得到了显著地提高，但也导致其功耗的剧增，而手机等移动设备的使用对低功耗有迫切的需求。.降低电源电压是一种有效的办法，但是随着...
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低电压下纳米SRAM的研究和设计.【摘要】：随着半导体工艺尺寸缩小到纳米数量级，芯片的集成度和晶体管的工作速度都得到了显著地提高，但也导致其功耗的剧增，而手机等移动设备的使用对低功耗有迫切的需求。.降低电源电压是一种有效的办法，但是随着...
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